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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | V30dm120hm3/i | 0.7301 | ![]() | 4936 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | V30DM120 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,06 V @ 30 A | 1 ma @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | |||
![]() | S1yl | 0,0556 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC, SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-S1YLTR | 8541.10.0000 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2000 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA @ 2000 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | SS2p3-M3/85A | 0,1363 | ![]() | 1313 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | Ss2p3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mv @ 2 a | 150 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | FESB8JT-E3/81 | 1.3200 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FESB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | Jantxv1N6864 | - | ![]() | 4165 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/620 | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | Schottky | B, axial | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 700 mv @ 3 a | 18 mA a 80 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | VS-80-7880 | - | ![]() | 6194 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7880 | - | 112-VS-80-7880 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-50WQ06FNTRHM3 | 0,9913 | ![]() | 8157 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 50WQ06 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs50wq06fnthm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 570 mV @ 5 A | 3 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5.5a | 360pf @ 5V, 1MHz | ||
![]() | SS14-6605HE3J_B/H. | - | ![]() | 9418 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA a 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | Jantx1N6631 | 15.1650 | ![]() | 3825 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Volume | Ativo | Através do buraco | E, axial | Padrão | E, axial | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1,95 V @ 2 A | 60 ns | 4 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 40pf @ 10V, 1MHz | |||||
![]() | RS2K-E3/5BT | 0,4200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Rs2k | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1,5 A | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N2279R | 2.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2279R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA a 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||
![]() | S3420 | 39.0750 | ![]() | 6285 | 0,00000000 | Microchip Technology | S34 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | S342 | Padrão | Do-5 | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 90 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 45a | - | ||||
![]() | FYV0203SMTF | 0,2000 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 2 µA A 30 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | STPSC12H065D | 4.9500 | ![]() | 979 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | STPSC12 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 650 v | 1,75 V @ 12 A | 120 µA @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 600pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | VS-10TQ045STRlhm3 | 1.0857 | ![]() | 8752 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10TQ045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 570 mV @ 10 A | 2 mA a 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 900pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | MSASC100H60HS/TR | - | ![]() | 8819 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-MSASC100H60HS/TR | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-85HF20 | 11.3600 | ![]() | 1003 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 85HF20 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 267 A | 9 mA a 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 85a | - | |||
![]() | S3G-TP | 0,4800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3G | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 3 A | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | R6200440XXOO | - | ![]() | 9374 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200aa, a-puk | R6200440 | Padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 800 A | 9 µs | 50 mA a 400 V | 400A | - | ||||
![]() | 1N2059R | 21.0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-9 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2059R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||
![]() | 1N4946-TP | - | ![]() | 1650 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4946 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | D921S45TXPSA1 | 2.0000 | ![]() | 7158 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Do-200d | D921S45 | Padrão | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 4500 v | 2,6 V @ 2500 A | 100 mA a 4500 V | -40 ° C ~ 140 ° C. | 1630A | - | |||
![]() | G4S06515HT | - | ![]() | 5198 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220F | - | Fornecedor indefinido | 4436-G4S06515HT | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 23.8a | 645pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | UF4007 | - | ![]() | 4198 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF400 | Padrão | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-30APF04-M3 | 3.4444 | ![]() | 5503 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | 30APF04 | Padrão | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS30APF04M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,41 V @ 30 A | 60 ns | 100 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |
![]() | AG01AV | - | ![]() | 1972 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | AG01 | Padrão | Axial | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | AG01AV DK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,8 V @ 600 mA | 100 ns | 100 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | - | ||
![]() | SBT150-10Y-DL-E | 1.4000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | |||||||||||||||
![]() | Gn1g | 0,2100 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||
UF5400-E3/73 | - | ![]() | 9121 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UF5400 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | NTE588 | 1.1400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Padrão | DO-27 | download | ROHS3 Compatível | 2368-nte588 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 155pf @ 4V, 1MHz |
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