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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UGF12JDH | - | ![]() | 4323 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-UGF12JDH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3,1 V @ 12 A | 45 ns | 500 Na @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 12a | - | ||
![]() | VS-6TQ035S-M3 | 0,5595 | ![]() | 9235 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 6TQ035 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 600 mv @ 6 a | 800 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 400pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | SD103BW-7-F | 0,4000 | ![]() | 8544 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | SD103 | Schottky | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 600 mV a 200 mA | 10 ns | 5 µA a 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 350mA | 28pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | PMEG050V150EPEZ | 0,9200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | CFP15B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 650 mV @ 15 a | 27 ns | 370 µA A 50 V | 175 ° C. | 15a | 833pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | SL02-GS08 | 0,4200 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SL02 | Schottky | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 420 mV @ 1.1 A | 10 ns | 250 µA A 20 V | 125 ° C (Máximo) | 1.1a | - | ||
![]() | GPP60DHE3/54 | - | ![]() | 4149 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | P600, axial | GPP60 | Padrão | P600 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 6 A | 5,5 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | ||
![]() | S306020F | 49.0050 | ![]() | 9305 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-S306020F | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S14 | 0,1500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 100 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | SD103BWS-G3-08 | 0,0646 | ![]() | 8752 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | SD103 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 600 mV a 200 mA | 10 ns | 5 µA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 350mA | 50pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | SR210HA0G | - | ![]() | 8026 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SR210 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 2 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||
MSC050SDA070B | 11.1700 | ![]() | 6835 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | MSC050 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 700 v | 1,5 V @ 50 A | 0 ns | - | 50a | - | ||||
![]() | U3C-E3/57T | 0,2279 | ![]() | 3665 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | U3c | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||
1N914-1 | 0,9600 | ![]() | 8288 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N914-1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1,2 V @ 50 Ma | 5 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | D452N16EXPSA1 | - | ![]() | 7775 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do parafuso | Não -Padronizado | D452N | Padrão | FL54 | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 50 mA a 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 450a | - | |||||
![]() | RGF1J-E3/67A | 0,5400 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214BA | RGF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.5pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | VS-80APF10PBF | - | ![]() | 2138 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | 80APF10 | Padrão | TO-247AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs80apf10pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,35 V @ 80 A | 480 ns | 100 µA A 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 80a | - | |
![]() | 1N4249US | 7.3650 | ![]() | 4800 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf | Padrão | Melf-1 | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N4249US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | RL101-TP | - | ![]() | 2232 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | RL101 | Padrão | A-405 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | FR30M05 | 10.3155 | ![]() | 3813 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR30M05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 V @ 30 A | 500 ns | 25 µA a 800 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 30a | - | |||
![]() | Ru 4z | - | ![]() | 8674 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Axial | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 3,5 A | 400 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | - | ||||
![]() | R4240 | 102.2400 | ![]() | 9841 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | - | Alcançar Não Afetado | 150-R4240 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 200 A | 50 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 125a | - | |||||
MR2504 | - | ![]() | 2200 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | Botão Microde | MR25 | Padrão | Botão Microde | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | MR2504OS | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,18 V @ 78,5 A | 100 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | |||
![]() | SS10P6HM3/87A | - | ![]() | 9387 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS10P6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 550 mV @ 7 a | 150 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7a | - | |||
MBR1660 | - | ![]() | 5164 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | MBR1660 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | MBR1660DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 16 a | 1 mA a 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 450pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | HER206G-AP | 0,0625 | ![]() | 9393 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | HER206 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | FR3A | 0,1583 | ![]() | 5383 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-FR3ATR | 8541.10.0000 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | HFA08TB60STRL | - | ![]() | 4461 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA08 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 8 a | 55 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | BZX584B11VQ | 0,0290 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX584B11VQTR | Ear99 | 8.000 | ||||||||||||||||
![]() | RGP10B | 0,4500 | ![]() | 3266 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | RGP10 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | UES1305 | 30.6900 | ![]() | 3973 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | UES1305 | Padrão | B, axial | download | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,25 V @ 3 A | 50 ns | 20 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - |
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