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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4946-TP | - | ![]() | 1650 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4946 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SE8D20JHM3/i | 0,5300 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Padrão | Slimsmaw (DO-221AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 2 A | 1,2 µs | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MBR0530WGW | 0,0485 | ![]() | 7377 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2796-MBR0530WGWTR | 8541.10.0000 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 500 mA | 130 µA A 30 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 500mA | - | ||||
![]() | MMBD1702A | - | ![]() | 3195 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD17 | Padrão | SOT-23-3 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 4 ns | 150 ° C (Máximo) | - | - | |||||
![]() | MUR120GP-TP | 0,0742 | ![]() | 1136 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MUR120 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,35 V @ 1 A | 45 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | RB751V-40 | 0,0494 | ![]() | 3138 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-RB751V-40TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 370 mV @ 1 Ma | 500 Na @ 30 V | -45 ° C ~ 125 ° C. | 30Ma | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | F5K120 | 1.0976 | ![]() | 5011 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Padrão | DO-201 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-F5K120TR | 8541.10.0000 | 425 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 990 mV @ 5 A | 350 ns | 5 µA A 120 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||
![]() | D400N16BXPSA1 | - | ![]() | 4624 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | D400N | Padrão | - | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 40 mA a 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 450a | - | |||||
![]() | Murs4j-tp | 0,1972 | ![]() | 2156 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Murs4 | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | 353-MURS4J-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA A 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - | ||||
![]() | RGL41KHE3/97 | - | ![]() | 3102 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | RGL41 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N1195 | 75.5700 | ![]() | 9141 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1195 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | ||||
![]() | 1n5417/tr | 5.0700 | ![]() | 6905 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | B, axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N5417/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||
UG4C-M3/73 | - | ![]() | 2629 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UG4 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1n3166r | - | ![]() | 3470 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | 1N3166 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||
FR603T-G | 0,2684 | ![]() | 9205 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | Padrão | R-6 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 641-FR603T-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 6 A | 150 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N5404GHA0G | - | ![]() | 4065 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | 1N5404 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 3 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | R6200630XXOO | - | ![]() | 7905 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200aa, a-puk | R6200630 | Padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 800 A | 6 µs | 50 mA a 600 V | 300A | - | ||||
CRG02 (TE85L, Q, M) | - | ![]() | 1132 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRG02 | Padrão | S-flat (1,6x3.5) | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 700 mA | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 700mA | - | |||||
![]() | VS-99-2026pbf | - | ![]() | 5403 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | * | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||
![]() | 1N4937-AP | - | ![]() | 2232 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4937 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-TH380BL16P-S2 | - | ![]() | 9610 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Vs-Th380 | - | ROHS3 Compatível | 112-VS-TH380BL16P-S2 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SIDC06D120H8X1SA2 | - | ![]() | 7658 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SIDC06D120 | Padrão | Serra Em Papel Alumínio | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000527596 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,97 V @ 7,5 A | 27 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | - | ||
![]() | Gn1g | 0,2100 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | AU2PG-M3/86A | 0,3135 | ![]() | 4419 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Au2 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,9 V @ 2 A | 75 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.6a | 42pf @ 4V, 1MHz | ||
1N4045 | 158.8200 | ![]() | 93 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 300 A | 15 mA a 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||||
![]() | BAW62 | - | ![]() | 1412 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BAW62 | Padrão | DO-35 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (max) | 300mA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | Mur115gp-bp | 0,0941 | ![]() | 2866 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MUR115 | Padrão | DO-41 | download | 353-MUR115GP-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 970 mV @ 1 a | 45 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | VS-8ETL06FP-N3 | 1.0959 | ![]() | 5180 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | 8ETL06 | Padrão | Pacote completo parágrafo 220-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs8etl06fpn3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,4 V @ 8 A | 25 ns | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |
SK22AHR3G | - | ![]() | 3185 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SK22 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | NTS260SFT3G | - | ![]() | 9586 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123F | NTS260 | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 650 mV @ 2 a | 50 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - |
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