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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
VS-86HFR160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-86HFR160 14.3324
RFQ
 ECAD 4536 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 86HFR160 Polaridada reversa padrão DO-203AB (DO-5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,4 V @ 267 A 4,5 mA a 1600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 85a -
UG06AHA1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06AHA1G -
RFQ
 ECAD 5079 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco T-18, axial UG06 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 600 mA 15 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 600mA 9pf @ 4V, 1MHz
VS-60APF04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APF04-M3 6.5711
RFQ
 ECAD 5584 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 60APF04 Padrão TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS-60APF04-M3GI Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 60 A 180 ns 100 µA A 400 V -40 ° C ~ 150 ° C. 60a -
S1BL RTG Taiwan Semiconductor Corporation S1BL RTG -
RFQ
 ECAD 4063 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1b Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
MBRF760HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF760HE3/45 -
RFQ
 ECAD 6079 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada MBRF7 Schottky ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 750 mV @ 7.5 A 500 µA A 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 7.5a -
VSSAF512HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF512HM3/i 0,1320
RFQ
 ECAD 9512 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads SAF512 Schottky DO-221AC (Slimsma) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 880 mV @ 5 A 400 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C. 5a 360pf @ 4V, 1MHz
SF17G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF17G A0G -
RFQ
 ECAD 2973 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SF17 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,7 V @ 1 A 35 ns 5 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
1N3611 Microchip Technology 1N3611 4.7400
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 ECAD 6664 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco A, axial 1N3611 Padrão A, axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 1 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
MBR6200_T0_00001 Panjit International Inc. MBR6200_T0_00001 0,5130
RFQ
 ECAD 9501 0,00000000 Panjit International Inc. - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 MBR6200 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-MBR6200_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 900 mV @ 6 A 50 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
1N6677-1 Microchip Technology 1N6677-1 4.3050
RFQ
 ECAD 6638 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N6677 Schottky DO-35 (DO-204AH) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 500 mV @ 200 mA 5 µA A 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200Ma 50pf @ 0V, 1MHz
SRA840 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA840 C0G -
RFQ
 ECAD 4690 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 SRA840 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a -
NSVR0320XV6T1G onsemi Nsvr0320xv6t1g 0,6000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 NSVR0320 Schottky SOT-563 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 23 v 270 mV a 10 mA 50 µA A 15 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 35pf @ 5V, 1MHz
SBRT20M80SLP-13 Diodes Incorporated SBRT20M80SLP-13 -
RFQ
 ECAD 2074 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 8-PowerTdfn SBRT20 Super Barreira PowerDi5060-8 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 80 v 610 mV @ 20 A 160 µA A 80 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a -
STTH30L06G-TR STMicroelectronics STTH30L06G-TR 2.7500
RFQ
 ECAD 6220 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab STTH30 Padrão D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,55 V @ 30 A 90 ns 25 µA A 600 V 175 ° C (max) 30a -
1N5818-E3/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5818-E3/1 -
RFQ
 ECAD 4421 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N5818 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 mA a 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a -
RS2JAL Taiwan Semiconductor Corporation Rs2jal 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads Rs2j Padrão SMA FINA - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 2 A 250 ns 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 11pf @ 4V, 1MHz
SRA1630HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1630HC0G -
RFQ
 ECAD 1709 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 SRA1630 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 16 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 16a -
SFAF801G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF801G C0G -
RFQ
 ECAD 6049 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SFAF801 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 8 A 35 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 90pf @ 4V, 1MHz
MBR3100 onsemi MBR3100 -
RFQ
 ECAD 1643 0,00000000 Onsemi - Volume Obsoleto Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial MBR3100 Schottky Axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 790 mV @ 3 a 600 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
SK38E3/TR13 Microsemi Corporation SK38E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3103 0,00000000 Microsemi Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SK38 Schottky DO-214AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 80 v 850 mv @ 3 a 500 µA A 80 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
SS8PH9HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8PH9HM3/86A -
RFQ
 ECAD 6056 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN SS8PH9 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 900 mV @ 8 a 2 µA A 90 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a 140pf @ 4V, 1MHz
HER604GP-AP Micro Commercial Co HER604GP-AP -
RFQ
 ECAD 9463 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco R-6, axial HER604 Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 450 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,1 V @ 6 A 50 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 100pf @ 4V, 1MHz
EH 1V1 Sanken Eh 1v1 -
RFQ
 ECAD 3383 0,00000000 Sanken - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Axial Eh 1 Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,35 V @ 600 mA 4 µs 10 µA A 400 V -40 ° C ~ 150 ° C. 600mA -
NGTD8R65F2SWK onsemi NGTD8R65F2SWK -
RFQ
 ECAD 7385 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície Morrer NGTD8 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 2832-NGTD8R65F2SWKTR Ear99 8541.10.0080 1 - 650 v 2,8 V @ 30 A 1 µA A 650 V 175 ° C (max) - -
CDBA5150-HF Comchip Technology CDBA5150-HF 0,6200
RFQ
 ECAD 46 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA CDBA5150 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 870 mV @ 5 A 500 µA @ 150 V -50 ° C ~ 175 ° C. 5a 380pf @ 4V, 1MHz
RB520ASA-40FHT2RB Rohm Semiconductor RB520ASA-40FHT2RB 0,4600
RFQ
 ECAD 8710 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-882 RB520 Schottky DFN1006-2W download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 550 mV @ 100 Ma 10 µA A 40 V 150 ° C. 200Ma -
R7S01012XX Powerex Inc. R7S01012XX 82.7323
RFQ
 ECAD 5407 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Montagem do chassi Do-200aa, a-puk R7S01012 Padrão DO-200AA, R62 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,6 V @ 1500 A 10 µs 50 mA a 1000 V 1200A -
VS-80EBU02HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80EBU02HF4 4.6084
RFQ
 ECAD 2231 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tubo Ativo Montagem do chassi PowerTab® 80EBU02 Padrão PowerTab® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS80EBU02HF4 Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 80 A 40 ns 50 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 80a -
BYM10-400/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM10-400/1 -
RFQ
 ECAD 9529 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) BYM10 Padrão DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 10 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
B0520LW-7-F Diodes Incorporated B0520LW-7-F 0,3300
RFQ
 ECAD 271 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 B0520 Schottky SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 385 mV @ 500 mA 250 µA A 20 V -65 ° C ~ 125 ° C. 500mA 170pf @ 0V, 1MHz
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