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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SRP600B-E3/54 | - | ![]() | 2106 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | P600, axial | SRP600 | Padrão | P600 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 6 A | 100 ns | 10 µA A 100 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 6a | - | ||
![]() | R504140 | 158.8200 | ![]() | 2005 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | - | Alcançar Não Afetado | 150-R504140 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,25 V @ 1000 A | 75 µA @ 1400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | |||||
![]() | Csa2g-e3/i | - | ![]() | 8293 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | CSA2 | Padrão | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,15 V @ 2 A | 2,1 µs | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.6a | 11pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | S380ZR | 86.5785 | ![]() | 5464 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | S380 | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S380ZRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2000 v | 1,2 V @ 380 A | 10 µA A 1600 V | -60 ° C ~ 180 ° C. | 380a | - | |||
![]() | Fesb8cthe3_a/p | 0,8085 | ![]() | 7828 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FESB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | PMEG2005EPK, 315 | 0,4200 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-xdfn | PMEG2005 | Schottky | DFN1608D-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 410 mV @ 500 mA | 3 ns | 130 µA A 10 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 35pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | SF35G-BP | 0,1454 | ![]() | 1687 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF35 | Padrão | Do-201d | download | 353-SF35G-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,27 V @ 3 a | 35 ns | 5 µA A 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | STTH1210G-TR | - | ![]() | 7654 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STTH1210 | Padrão | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 2 V @ 12 A | 90 ns | 10 µA A 1000 V | 175 ° C (max) | 12a | - | ||
![]() | 1N5828 | 12.4155 | ![]() | 6466 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N5828 | Schottky | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N5828GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 15 A | 10 mA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||
![]() | MBRH20040RL | - | ![]() | 5433 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D-67 Half-Pak | Schottky, reversa polaridada | D-67 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 600 mv @ 200 a | 5 mA a 40 V | 200a | - | |||||||
![]() | SF62G B0G | - | ![]() | 1616 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF62 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 6 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SS25SHE3/61T | - | ![]() | 2060 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS25 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mv @ 2 a | 200 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||
![]() | RF501BM2STL | 1.3400 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RF501 | Padrão | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 920 mV @ 5 A | 25 ns | 1 µA A 200 V | 150 ° C (Máximo) | 5a | - | ||
![]() | SB10-04A3-BT | - | ![]() | 8782 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SB10 | Schottky | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 800 µA A 40 V | 125 ° C (Máximo) | 1a | 45pf @ 10V, 1MHz | ||||
![]() | STTH5L06FP | 1.4900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | STTH5 | Padrão | TO-220FPAC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 5 A | 95 ns | 5 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 5a | - | ||
![]() | BYC5D-500.127 | 0,3960 | ![]() | 5339 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | BYC5 | Padrão | TO-220AC | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 2 V @ 5 A | 16 ns | 40 µA @ 500 V | 150 ° C (Máximo) | 5a | - | |||
![]() | UF4005-AP | - | ![]() | 9870 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF4005 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1N4047 | 21.0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Padrão | Do-9 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N4047 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA A 200 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||
![]() | MSASC100H30H/TR | - | ![]() | 1061 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-MSASC100H30H/TR | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | NSR05F20NXT5G | 0,4800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 0402 (1006 Mética) | NSR05 | Schottky | 2-DSN (1x0.6), (0402) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 430 mV @ 500 mA | 75 µA a 20 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | |||
![]() | PMEG6020PASX | 0,4200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 3-AUDFN PAD EXPOSTO | PMEG6020 | Schottky | DFN2020D-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 575 mV @ 2 a | 5,5 ns | 250 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 250pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | CGRM4004-G | 0,3700 | ![]() | 454 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123T | CGRM4004 | Padrão | Mini SMA/SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MNS1N6640US | 12.3600 | ![]() | 4499 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/609 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, d | Padrão | D-5D | - | Alcançar Não Afetado | 150-MNS1N6640US | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | - | ||||
SB040-E3/73 | - | ![]() | 3197 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | MPG06, axial | SB040 | Schottky | MPG06 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV a 600 mA | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 600mA | - | ||||
![]() | 1n5282tr | 0,2200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5282 | Padrão | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 900 mV @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 55 V | 175 ° C (max) | 200Ma | 2.5pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | MBR1080_T0_00001 | 0,7300 | ![]() | 1733 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | MBR108 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 800 mv @ 10 a | 50 µA A 80 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | |||
![]() | 1N5062 | 0,0331 | ![]() | 440 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO15/DO204AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2796-1N5062tr | 8541.10.0000 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 2 A | 1,5 µs | 5 µA A 800 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||
1N4001G BK | - | ![]() | 3366 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | ||||||||||||||
![]() | 1N4937 | 0,0200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4937 | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 300 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||
![]() | 1N1203R | 34.7100 | ![]() | 5861 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1203 | Polaridada reversa padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,2 V @ 30 A | 10 µA A 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - |
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