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Diodos únicos (57622)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | LSM340G/TR13 | 1.5000 |  | 3169 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-215AB, Asa de Gaivota SMC | LSM340 | Schottky | DO-215AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 520 mv @ 3 a | 1,5 mA a 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
 | LS101A-GS18 | 0.0611 | | 4879 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | LS101 | Schottky | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 60 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | 125 ° C (Máximo) | 30Ma | 2pf @ 0V, 1MHz | |||
| CRSH2-6 BK | - | | 7199 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Schottky | DO-15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 170pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | Jantxv1n6858ur-1/tr | - | | 5405 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N6858UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 650 mV @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75mA | 4.5pf @ 0V, 1MHz | ||||
 | SD101BW-E3-08 | 0,3300 | | 28 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 15 mA | 1 ns | 200 Na @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 30Ma | 2pf @ 0V, 1MHz | ||
 | PUAD4DH | 0,7200 | | 9459 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | PUAD4 | Padrão | Thindpak | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 920 mV @ 4 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 77pf @ 4V, 1MHz | ||||
 | D4015L52 | - | | 5469 | 0,00000000 | Littelfuse Inc. | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Guia Isolada parágrafo 220-3, FiOS Formados | D4015 | Padrão | Guia Isolada parágrafo 220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | -D4015L52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,6 V @ 9,5 A | 4 µs | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 9.5a | - | ||
 | Sft14g r0g | 0,0848 | | 7571 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SFT14 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||
| SD453N16S30PC | - | | 7311 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | B-8 | SD453 | Padrão | B-8 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *SD453N16S30PC | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,85 V @ 1500 A | 3 µs | 50 mA a 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 450a | - | |
 | 30eth06 | - | | 8139 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 30eth06 | Padrão | TO-220AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,6 V @ 30 A | 35 ns | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | ||
 | BYV29-300-E3/45 | - | | 1416 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | BYV29 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,25 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA A 300 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
 | 1N3290R | - | | 4365 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N3290 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,5 V @ 100 A | 24 mA A 300 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||
 | RL1N1800F | 0,0380 | | 1192 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | A-405 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RL1N1800FTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1800 v | 1,8 V @ 500 mA | 300 ns | 5 µA @ 1800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
 | Jantxv1n6628us | - | | 2103 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SQ-Melf, e | Padrão | D-5b | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 660 v | 1,35 V @ 2 A | 30 ns | 2 µA A 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.75a | 40pf @ 10V, 1MHz | |||
 | SK310BH-LTP | 0,4200 | | 7833 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK310 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||
 | 1N4003GL TR | - | | 7503 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||
| Ues1105smhr2/tr | 68.8050 | | 7081 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-ues1105smhr2/tr | 1 | |||||||||||||||||
| Jantx1N6661 | - | | 2865 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/587 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N6661 | Padrão | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 225 v | 1 V @ 400 mA | 50 Na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | - | |||
 | US1JFA | 0,5300 | | 4 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | US1J | Padrão | SOD-123FA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
 | 20etf04fp | - | | 8958 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | 20ETF04 | Padrão | To-220ab pak cheio | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 20 A | 160 ns | 100 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||
 | RB521FS-30T40RB | 0,3500 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | RB521 | Schottky | SMD0402 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 40.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 370 mV a 10 mA | 7 µA A 10 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | - | |||
 | Jantxv1n6642ub2r | 40.3500 | | 1498 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | 1N6642 | Padrão | UB2 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | - | ||
 | BAT43XV2 | 0,0300 | | 2524 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | Schottky | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.830 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 Na @ 25 V | 125 ° C. | 200Ma | 7pf @ 1V, 1MHz | |||
 | Bas40/zlvl | - | | 2930 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 1 V @ 40 Ma | 10 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 120mA | 5pf @ 0V, 1MHz | |||
 | SL13 | 0,4600 | | 37 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SL13 | Schottky | SMA (DO-214AC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 380 mV @ 1 a | 500 µA A 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
 | CD214A-R1200 | - | | 2814 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | CD214A | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||
 | Jantxv1N4249 | 8.0100 | | 9240 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/286 | Volume | Ativo | Através do buraco | A, axial | 1N4249 | Padrão | A, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
| LL5817-J0 L0 | - | | 3316 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | Schottky | Mell | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-LL5817-J0L0TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 1 a | 500 µA A 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||
 | EGF1B-E3/5CA | 0,6800 | | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214BA | EGF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
 | Jantx1N5621 | 6.4650 | | 5203 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Volume | Ativo | Através do buraco | A, axial | 1N5621 | Padrão | A, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,6 V @ 3 A | 150 ns | 500 Na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 12V, 1MHz |
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