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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
1SS286TD-E Renesas Electronics America Inc 1ss286td-e 0,1000
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 ECAD 130 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 1
VS-87HF20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HF20 8.8076
RFQ
 ECAD 2477 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 87HF20 Padrão DO-203AB (DO-5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS87HF20 Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,2 V @ 267 A -65 ° C ~ 180 ° C. 85a -
VS-10ETF02STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF02STRLPBF -
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 ECAD 1895 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 10etf02 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs10etf02strlpbf Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,2 V @ 10 A 200 ns 100 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 10a -
PMLL4153,115 Nexperia USA Inc. PMLL4153,115 0,2000
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 ECAD 8 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 PMLL4153 Padrão LLDS; Mínimo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 2.500 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 50 v 880 mV a 50 mA 4 ns 50 Na @ 50 V 200 ° C (max) 200Ma 2pf @ 0V, 1MHz
SS1H10HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss1h10he3_a/i -
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 ECAD 5574 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SS1H10 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 770 mV @ 1 a 1 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
HS2DBF Yangjie Technology Hs2dbf 0,0600
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 ECAD 500 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-221aa, SMB plat do Padrão SMBF - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-HS2DBFTR Ear99 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 2 A 50 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
1N8024-GA GeneSiC Semiconductor 1N8024-GA -
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 ECAD 8416 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-257-3 1N8024 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-257 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 10 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,74 V @ 750 Ma 0 ns 10 µA A 1200 V -55 ° C ~ 250 ° C. 750mA 66pf @ 1V, 1MHz
TST30U45C Taiwan Semiconductor Corporation TST30U45C 1.8492
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 ECAD 2736 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 TST30 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 540 mV @ 15 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a -
MURS260HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Murs260he3_a/i 0,1518
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 ECAD 8515 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB MURS260 Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.200 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,45 V @ 2 A 75 ns 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2a -
PMEG060V100EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPDZ 0,7700
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 ECAD 131 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN PMEG060 Schottky CFP15 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 560 mV @ 10 A 33 ns 700 µA A 60 V 175 ° C (max) 10a 350pf @ 10V, 1MHz
GB50SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247 -
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 ECAD 9433 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-2 GB50SLT12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 50 A 0 ns 1 ma @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 50a 2940pf @ 1V, 1MHz
G5S12020A Global Power Technology Co. Ltd G5S12020A -
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 ECAD 4021 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC - Fornecedor indefinido 4436-G5S12020A 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 63.5a 1320pf @ 0V, 1MHz
SFC44148A SMC Diode Solutions SFC44148A -
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 ECAD 9997 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Obsoleto Montagem na Superfície 0402 (1006 Mética) SFC44148 Padrão 2-WLCSP (1x0.6) - 1655-SFC44148A 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 75 v 1 V @ 10 Ma 30 ns 500 Na @ 75 V 150 ° C. 300mA 5pf @ 0V, 1MHz
B140BQ-13-F Diodes Incorporated B140BQ-13-F 0,4000
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 ECAD 1 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB B140 Schottky SMB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 500 µA A 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
1F5G-AP Micro Commercial Co 1F5G-AP -
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 ECAD 6154 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco R-1, axial 1f5g Padrão R-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 1 a 250 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 12pf @ 4V, 1MHz
MCL4151-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MCL4151-TR3 0,2100
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 ECAD 3354 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo McL4151 Padrão Micromell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1 V @ 50 Ma 4 ns 50 Na @ 50 V 125 ° C (Máximo) 200Ma 2pf @ 0V, 1MHz
S1JFS MWG Taiwan Semiconductor Corporation S1JFS MWG 0,4300
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 ECAD 17 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 S1J Padrão SOD-128 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
SS3P5LHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss3p5lhm3_a/i 0,2145
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 ECAD 1374 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN SS3P5 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 600 mv @ 3 a 150 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
B0540W-7 Diodes Incorporated B0540W-7 -
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 ECAD 1382 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SOD-123 B0540 Schottky SOD-123 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 510 mV @ 500 mA 20 µA A 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 500mA 170pf @ 0V, 1MHz
VS-HFA06PB120PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA06PB120PBF -
RFQ
 ECAD 3966 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Hexfred® Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-2 HFA06 Padrão TO-247AC Modifado download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 3 V @ 6 A 80 ns 5 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a -
SS19HM2G Taiwan Semiconductor Corporation SS19HM2G -
RFQ
 ECAD 2535 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SS19 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
R6100830XXYZ Powerex Inc. R6100830XXYZ -
RFQ
 ECAD 3441 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Obsoleto Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud Padrão DO-205AB (DO-9) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 7 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,4 V @ 800 A 13 µs 50 mA a 800 V -65 ° C ~ 190 ° C. 300A -
APT30D20BG Microchip Technology APT30D20BG 2.9500
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 ECAD 363 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 APT30D20 Padrão To-247 [b] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 30 A 24 ns 250 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a -
IDH03SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH03SG60CXKSA1 -
RFQ
 ECAD 9127 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 IDH03SG60 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-PARA220-2-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 600 v 2,3 V @ 3 A 0 ns 15 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 60pf @ 1V, 1MHz
1N6625E3 Microchip Technology 1N6625E3 -
RFQ
 ECAD 1293 0,00000000 Microchip Technology - Volume Descontinuado no sic Através do buraco A, axial Padrão A, axial - Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1100 v 1,95 V @ 1,5 A 80 ns 1 µA A 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a -
D8320N02TVFXPSA1 Infineon Technologies D8320N02TVFXPSA1 -
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 ECAD 1170 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem do chassi Do-200d D8320N02 Padrão - download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 795 mV @ 4000 A 100 mA a 200 V -25 ° C ~ 150 ° C. 8320a -
ES1BL MTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL MTG -
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 ECAD 1998 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB ES1B Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 1V, 1MHz
AS1PJHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS1PJHM3/85A 0,3630
RFQ
 ECAD 6656 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-220AA AS1 Avalanche DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,15 V @ 1,5 A 1,5 µs 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.5a 10.4pf @ 4V, 1MHz
1PS79SB30,135 Nexperia USA Inc. 1PS79SB30,135 0,3200
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1PS79SB30 Schottky SOD-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 600 mV a 200 mA 500 Na @ 25 V 150 ° C (Máximo) 200Ma 20pf @ 1V, 1MHz
JANTXV1N5196 Microchip Technology Jantxv1N5196 -
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 ECAD 8232 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/118 Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 225 v 1 V @ 100 Ma 1 µA A 250 V -65 ° C ~ 175 ° C. 100mA -
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