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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Vs-25ets10strlpbf | - | ![]() | 9336 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 25ets10 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs25ets10Strlpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,14 V @ 25 A | 100 µA A 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | ||
![]() | BAS83-GS08 | 0,3900 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Bas83 | Schottky | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 60 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 60 V | 125 ° C (Máximo) | 30Ma | 1.6pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | UG06BHA1G | - | ![]() | 9029 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | UG06 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 600 mA | 15 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 600mA | 9pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | RGP10ME-E3/73 | 0,4300 | ![]() | 5369 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | RGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Jantxv1n5822us.tr | - | ![]() | 8463 | 0,00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/620 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem NA Superfície | SQ-Melf | Schottky | - | download | 600-Jantxv1n5822us.tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 3 a | 100 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||
HS1B R3G | 0,5700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Descontinuado no sic | Montagem NA Superfície | DO-214AC, SMA | Hs1b | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | GL41THE3/96 | - | ![]() | 7844 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | GL41 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Gl41the3_a/h | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1300 v | 1,2 V @ 1 A | 10 µA A 1300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SFS1602GHMNG | - | ![]() | 7411 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SFS1602 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | RS3000-TP | - | ![]() | 8528 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | RS3000 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 3000 v | 4 V @ 500 mA | 5 µA @ 3000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | VS-HFA16PB120PBF | - | ![]() | 5810 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | HFA16 | Padrão | TO-247AC Modifado | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3 V @ 16 A | 135 ns | 20 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | ||
![]() | SB660F_T0_00001 | 0,7400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | SB660 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-SB660F_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mV @ 6 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | ||
![]() | S2K-13 | - | ![]() | 4640 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem NA Superfície | DO-214AA, SMB | S2K | Padrão | SMB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,15 V @ 1,5 A | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | RS3M-13-F | 0,5600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-214AB, SMC | Rs3m | Padrão | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 3 A | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SL310AFL-TP | 0,4800 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | SL310 | Schottky | DO-221AC (SMA-FL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 600 mv @ 3 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | SK59C M6G | - | ![]() | 8344 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem NA Superfície | DO-214AB, SMC | SK59 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||
![]() | SMD210PL-TP | 0,4000 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | SOD-123F | SMD210 | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 2 a | 500 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 210pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | DSF07S30U (TPH3, F) | - | ![]() | 5138 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | SC-76, SOD-323 | DSF07 | Schottky | USC | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 450 mV @ 700 mA | 50 µA A 30 V | 125 ° C (Máximo) | 700mA | 170pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | 1N2137RA | 3.9500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2137Ra | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,25 V @ 200 A | 25 µA A 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70A | - | |||
BY228GP-E3/54 | 1.5500 | ![]() | 2213 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | BY228 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1500 v | 1,6 V @ 2,5 A | 2 µs | 5 µA A 1500 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Jantxv1n5712ur-1/tr | 60.0900 | ![]() | 6701 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N5712UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 16 v | 1 V @ 35 mA | 150 Na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | SDT40B100ST | 0,7134 | ![]() | 3672 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SDT40 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 680 mV @ 20 A | 120 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 40A | - | |||
![]() | P2000B | 0,7141 | ![]() | 4797 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | P600, axial | Padrão | P600 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-P2000BTR | 8541.10.0000 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 20 A | 1,5 µs | 10 µA A 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||||
![]() | V8pm63hm3/h | 0,2439 | ![]() | 4124 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-V8pm63hm3/htr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 8 a | 20 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4.3a | 1460pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-T70HFL60S02 | 31.2900 | ![]() | 188 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | D-55 T-Múdulo | T70 | Padrão | D-55 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 200 ns | 100 µA A 600 V | 70A | - | ||||
![]() | Es1jhe3-ltp | 0,0886 | ![]() | 8509 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-214AC, SMA | ES1J | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | 353-ES1JHE3-LTP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | LSIC2SD120A20A | 12.4568 | ![]() | 2713 | 0,00000000 | Littelfuse Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220-2L | - | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | -1024-LSIC2SD120A20A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 100 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 54.5a | 1142pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | CDLL914 | 2.1150 | ![]() | 2262 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-213AA | CDLL914 | Padrão | DO-213AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1,2 V @ 50 Ma | 20 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||
Jantx1n5415us/tr | 9.0450 | ![]() | 1671 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/411 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | SQ-Melf, b | Padrão | B, Sq-Melf | - | 150-JANTX1N5415US/TR | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||||||
![]() | GL34J/1 | - | ![]() | 3277 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | DO-213AA (Vidro) | GL34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 500 mA | 1,5 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | ER3G | 0.1997 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2796-ER3GTR | 8541.10.0000 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - |
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