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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S2A | 0,4500 | ![]() | 51 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S2A | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,15 V @ 2 A | 2 µs | 1 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MBRA120ET3 | - | ![]() | 6747 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | MBRA120 | Schottky | SMA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 530 mV @ 1 a | 10 µA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | UF1005-E3/73 | - | ![]() | 7568 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF1005 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MSE1PG-M3/89A | 0,3700 | ![]() | 81 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | MicroSMP | MSE1 | Padrão | MicroSMP (DO-219AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 780 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 5pf @ 4V, 1MHz | ||
10etf04 | - | ![]() | 6935 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | 10etf04 | Padrão | TO-220AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *10etf04 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 10 A | 145 ns | 100 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||
![]() | RB400VA-50TR | 0,6500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | 2-SMD, Chumbo Plano | RB400 | Schottky | TUMD2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV a 500 mA | 50 µA A 30 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | 125pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | NRVBS330T3G | - | ![]() | 9103 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | NRVBS330 | Schottky | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mv @ 3 a | 2 mA a 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | RJU6053TDPP-EJ#T2 | - | ![]() | 2137 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | TO-220FP-2L | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3 V @ 20 A | 25 ns | 1 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 20a | - | |||
Jantx1N6623U | 15.0300 | ![]() | 4640 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Jantx1 | Padrão | D-5A | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,55 V @ 1 a | 50 ns | 500 Na @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | BAS16WS-HE3-18 | 0,2300 | ![]() | 6804 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | Bas16 | Padrão | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,25 V @ 150 Ma | 6 ns | 1 µA A 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 250mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | IDY15S120XKSA1 | - | ![]() | 9932 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-247-3 Variante | IDY15S120 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A247HC-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 280 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 10 A | 0 ns | 180 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | 375pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | CDBA180-G | - | ![]() | 8595 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | CDBA180 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 850 mV @ 1 a | 500 µA A 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | BAT46W-G3-08 | 0,4000 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | BAT46 | Schottky | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 250 Ma | 5 µA @ 75 V | 125 ° C (Máximo) | 150mA | 6pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | 1N3291A | 33.5805 | ![]() | 8851 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N3291 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N3291AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 100 A | 24 mA a 400 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||
![]() | SK53C | 0.1897 | ![]() | 2943 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK53 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 5 A | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||
![]() | EGP10DHM3/54 | - | ![]() | 9340 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | EGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22pf @ 4V, 1MHz | ||
Mr856rlg | - | ![]() | 9108 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | MR856 | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 3 A | 300 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | |||
![]() | DFLU1400-7 | 0,4100 | ![]() | 169 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi®123 | DFLU1400 | Padrão | Powerdi ™ 123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 1 A | 25 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 14pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N2061R | 21.0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-9 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2061R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA A 400 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||
![]() | VSSAF3M10-M3/H. | 0,4300 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS®, Slimsma ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | SAF3M10 | Schottky | DO-221AC (Slimsma) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 720 mv @ 3 a | 200 µA a 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 364pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | R5021010RSZT | 141.3800 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | TO-209AC, parágrafo 94-4, Stud | R5021010 | Padrão | Parágrafo 94 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 835-1206 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 300 ns | 45 mA a 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 100a | - | |||
![]() | SS39HM6G | - | ![]() | 6086 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SS39 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | ES2J | 0,4800 | ![]() | 3869 | 0,00000000 | Yageo | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | UF4003 R0G | - | ![]() | 9067 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF4003 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N4933GHA0G | - | ![]() | 4377 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4933 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 10BQ060 | 0,3800 | ![]() | 197 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 10bq | Schottky | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 600 mV @ 1 a | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 62pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | WNSC2D04650Q | 1.4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1740-WNSC2D04650Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA A 650 V | 175 ° C. | 4a | 125pf @ 1V, 1MHz | ||
STTH60L04W | - | ![]() | 1524 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Do-247-2 (leads retos) | STTH60 | Padrão | Do-247 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 60 A | 90 ns | 50 µA A 400 V | 175 ° C (max) | 60a | - | |||
![]() | 1n648ur-1/tr | 4.2800 | ![]() | 8443 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 230 | ||||||||||||||||||||
![]() | NRTS6100TFSTAG | 0,2636 | ![]() | 1921 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | Schottky | 8-WDFN (3,3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NRTS6100TFSTAGTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 680 mV @ 6 a | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 782pf @ 1V, 1MHz |
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