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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR120LSFT3 | - | ![]() | 9323 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123F | MBR120 | Schottky | SOD-123fl | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 1 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
![]() | G4S06515CT | 8.3300 | ![]() | 4595 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252 | download | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 35.8a | 645pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | PMEG3005ESFC315 | 0,0400 | ![]() | 207 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PMEG3005 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | RS1KB-13-G | - | ![]() | 1822 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Rs1k | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | RS1KB-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||
VS-300U40A | 50.1800 | ![]() | 7564 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | 300U40 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 942 A | 40 mA a 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | ||||
![]() | MBRS10100H | 0,5043 | ![]() | 3851 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS10100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | ||||
![]() | V15pm12hm3/h | 0,9600 | ![]() | 1957 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V15pm12 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 840 mV @ 15 A | 800 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||
![]() | PMEG120G10ELRX | 0,4800 | ![]() | 133 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | PMEG120 | SIGE (Silício Germânio) | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 840 mV @ 1 a | 12 ns | 30 Na @ 120 V | 175 ° C (max) | 1a | 36pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | GPAS1004 Mng | - | ![]() | 8739 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | GPAS1004 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 10 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||
HS2GA R3G | 0,2251 | ![]() | 8720 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | HS2G | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1,5 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | APT10SCE65K | - | ![]() | 9637 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Tubo | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | |||||||||||||||||
![]() | Jan1N6642UB | 20.6700 | ![]() | 3376 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1N6642 | Padrão | Ub | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | 5pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | MUR120-AP | - | ![]() | 4861 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MUR120 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,35 V @ 1 A | 45 ns | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-40HF10 | 6.5300 | ![]() | 79 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 40HF10 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 125 A | 9 mA a 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40A | - | |||
![]() | RB055L-60DDTE25 | 0,5600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | RB055 | Schottky | PMDS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 680 mV @ 3 a | 70 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | 3a | - | |||
![]() | 1N5401GH A0G | - | ![]() | 6496 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-1N5401GHA0GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 3 A | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-90APF06L-M3 | 5.0424 | ![]() | 1903 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | 90APF06 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 90 A | 190 ns | 100 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 90A | - | ||
![]() | FR604-TP | - | ![]() | 9069 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | R-6, axial | FR604 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 6 A | 150 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 150pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Ug2d a0g | 0,2636 | ![]() | 6051 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Ug2d | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | CRSH30-4 | - | ![]() | 1576 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | CAIXA | Obsoleto | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Schottky | Do-4 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1514-CRSH30-4 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 630 mV @ 30 A | 2 mA a 40 V | - | 30a | - | ||||
![]() | BYT53B-TAP | 0,2772 | ![]() | 7016 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Sod-57, axial | BYT53 | Avalanche | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.9a | - | ||
![]() | MBR1645 | 0,9400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1655-1033 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 630 mV @ 16 a | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | EGP10BHE3/73 | - | ![]() | 3771 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | EGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | RL202 | - | ![]() | 9699 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | RL20 | Padrão | DO-15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 2 A | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Jantx1n5711bcc | 104.4300 | ![]() | 4532 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 4-smd, sem chumbo | Schottky | Ub | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||
SD103R16S15PV | - | ![]() | 7352 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AC, DO-30, Stud | SD103 | Padrão | DO-205AC (DO-30) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *SD103R16S15PV | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 2,23 V @ 345 A | 1,5 µs | 35 mA a 1600 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 110a | - | ||
![]() | 10BQ030 | - | ![]() | 5013 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 10BQ030 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 420 mV @ 1 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | PMEG4005AEA/ZLX | - | ![]() | 7918 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | PMEG4005 | Schottky | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934068672115 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 43pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | V35pwm12hm3/i | 1.3600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | V35pwm12 | Schottky | Slimdpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,05 V @ 35 A | 1,2 mA a 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 35a | 2080pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Jan1n5189 | 9.4800 | ![]() | 6868 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/424 | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | 1N5189 | Padrão | B, axial | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 2 V @ 9 A | 300 ns | 2 µA A 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - |
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