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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR1AAFC_R1_00001 | 0,0465 | ![]() | 1571 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | FR1A | Padrão | SMAF-C | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 120.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N5404G-T | 0,3700 | ![]() | 35 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | 1N5404 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 3 A | 2 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | RB070MM-30TR | 0,3800 | ![]() | 193 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | RB070 | Schottky | PMDU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 490 mV @ 1,5 A | 50 µA A 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1.5a | - | |||
![]() | V20pwm45hm3/i | 1.0200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | V20pwm45 | Schottky | Slimdpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 660 mV @ 20 A | 700 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 3100pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MBR1100G | 0,4400 | ![]() | 9412 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MBR1100 | Schottky | Axial | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 790 mV @ 1 a | 500 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||
![]() | SK13-13 | - | ![]() | 4980 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK13 | Schottky | SMB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA A 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | FGP20C-E3/73 | - | ![]() | 8728 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | FGP20 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 2 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||
Rs1glhmqg | - | ![]() | 8153 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1g | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1N4942GPHE3/54 | - | ![]() | 6564 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4942 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N5397GHA0G | - | ![]() | 3855 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5397 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 1,5 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1N4937GP-TP | 0,0418 | ![]() | 5043 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4937 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | GP10GE-6329M3/73 | - | ![]() | 3396 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | VS-8EWF12SPBF | - | ![]() | 3890 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ewf12 | Padrão | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs8ewf12spbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,3 V @ 8 A | 100 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | Vs-25fr40m | 8.5474 | ![]() | 7639 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 25fr40 | Polaridada reversa padrão | Do-203aa (DO-4) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs25fr40m | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 78 A | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | |||
![]() | BYV95-3-EBT1124TAP | - | ![]() | 3904 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | * | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | BYV95 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | |||||||||||||||
![]() | Jantxv1n6910utk2 | - | ![]() | 9368 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Thinkey ™ 2 | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N6910UTK2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 15 v | 520 mV @ 25 A | 1,2 mA a 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 2000pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | 1N4150UR-1/TR | 1.4000 | ![]() | 9975 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | 1N4150 | Padrão | DO-213AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 676 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | - | ||
![]() | S3db | 0.1105 | ![]() | 9432 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S3d | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1n914b | 0,0300 | ![]() | 140 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 11.539 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | PR1002GL-T | - | ![]() | 2087 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | PR1002 | Padrão | DO-41 | - | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
MBR7H60HE3/45 | - | ![]() | 3526 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | MBR7 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 730 mV @ 7.5 A | 50 µA A 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | - | ||||
![]() | 1N4448WS RRG | 0,0276 | ![]() | 3179 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 1N4448 | Padrão | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | ||
GS1GAFC-AU_R1_000A1 | - | ![]() | 2355 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | GS1 | Padrão | SMAF-C | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-GS1GAFC-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | |||
Jantxv1n6625us/tr | 21.0750 | ![]() | 8606 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N6625US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1100 v | 1,75 V @ 1 A | 60 ns | 1 µA A 1100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | B130LB-13-F | 0,4600 | ![]() | 93 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | B130 | Schottky | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 445 mV @ 2 a | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 90pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | R42100TS | 59.8350 | ![]() | 7499 | 0,00000000 | Microchip Technology | R42 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | R42100 | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 200 A | 50 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 125a | - | ||||
![]() | JANS1N6874UTK2 | 608.4000 | ![]() | 4923 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/469 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 2 | Padrão | Thinkey ™ 2 | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N6874UTK2 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | |||||||
![]() | VS-60EPU04LHN3 | - | ![]() | 8956 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | VS-60EPU04 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 60 A | 85 ns | 50 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - | ||
![]() | MUR440S V7G | 1.3400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Mur440 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 20F140 | 1.8670 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-20F140 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,2 V @ 20 A | 10 µA A 1400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - |
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