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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
VS-65APF12LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-65APF12LHM3 6.4600
RFQ
 ECAD 2278 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 65APF12 Padrão TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,42 V @ 65 A 480 ns 100 µA A 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 65a -
SV540_R2_00001 Panjit International Inc. SV540_R2_00001 0,5400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Sv540 Schottky To-277 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 520 mV @ 5 A 250 µA A 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 730pf @ 0V, 1MHz
SE10DTLJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE10DTLJHM3/i 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante Padrão Smpd download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 10 A 280 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3.5a 70pf @ 4V, 1MHz
MUR860H Taiwan Semiconductor Corporation MUR860H -
RFQ
 ECAD 5165 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MUR860H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 8 a 50 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
BYT51A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT51A-TAP 0,2475
RFQ
 ECAD 4350 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Sod-57, axial BYT51 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,1 V @ 1 A 4 µs 1 µA a 50 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.5a -
MMSD914T3 onsemi MMSD914T3 -
RFQ
 ECAD 5296 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123 MMSD91 Padrão SOD-123 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 4pf @ 0V, 1MHz
SBRD8330T4G onsemi SBRD8330T4G -
RFQ
 ECAD 7635 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SBRD8330 Schottky DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 600 mv @ 3 a 200 µA a 30 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
JAN1N5618US/TR Microchip Technology Jan1n5618us/tr 8.5800
RFQ
 ECAD 4838 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/427 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, a Padrão D-5A - Alcançar Não Afetado 150-JAN1N5618US/TR Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 3 A 2 µs 500 Na @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 1a -
1N5396GP-AP Micro Commercial Co 1N5396GP-AP 0,0583
RFQ
 ECAD 8421 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 1N5396 Padrão DO-15 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,4 V @ 1,5 A 5 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 15pf @ 4V, 1MHz
1N5418US Microchip Technology 1N5418US 9.9000
RFQ
 ECAD 2166 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, e 1N5418 Padrão D-5b download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,5 V @ 9 A 150 ns 1 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
JAN1N5712UR-1 Microchip Technology Jan1n5712ur-1 17.1600
RFQ
 ECAD 5428 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/444 Volume Ativo Montagem na Superfície DO-213AA Schottky DO-213AA - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 16 v 1 V @ 35 mA 150 Na @ 16 V -65 ° C ~ 150 ° C. 75mA 2pf @ 0V, 1MHz
JANTX1N4248/TR Microchip Technology Jantx1n4248/tr 7.3051
RFQ
 ECAD 6429 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/286 Tape & Reel (TR) Ativo E3 Padrão E3 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-Jantx1N4248/tr Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 3 A 5 µs 1 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
LSIC2SD065D10A Littelfuse Inc. LSIC2SD065D10A 6.1600
RFQ
 ECAD 819 0,00000000 Littelfuse Inc. Automotivo, AEC-Q101, Gen2 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-263 (D²PAK) download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,8 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 27a 470pf @ 1V, 1MHz
VS-18TQ040HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ040HN3 1.0350
RFQ
 ECAD 1375 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 18TQ040 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 18 A 2,5 mA A 35 V -55 ° C ~ 175 ° C. 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
RF201LAM4STFTR Rohm Semiconductor RF201LAM4STFTR 0,6500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 RF201 Padrão Pmdtm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 1,5 A 30 ns 1 µA A 400 V 150 ° C (Máximo) 1.5a -
SR506HL-BP Micro Commercial Co SR506HL-BP 0,2436
RFQ
 ECAD 6296 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR506 Schottky Do-201d download 353-SR506HL-BP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 620 mV @ 5 A 100 µA A 60 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a -
AR3PMHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ar3pmhm3_a/i 0,4950
RFQ
 ECAD 8359 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN AR3 Avalanche TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,9 V @ 3 A 120 ns 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.6a 34pf @ 4V, 1MHz
BAS21/8VL Nexperia USA Inc. BAS21/8VL -
RFQ
 ECAD 8682 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas21 Padrão TO-236AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 934660147235 Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 250 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V 150 ° C (Máximo) 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
NTE109 NTE Electronics, Inc NTE109 1.6400
RFQ
 ECAD 927 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Através do buraco Do-204aa, do-7, axial Padrão Do-7 download ROHS3 Compatível 2368-nte109 Ear99 8541.10.0080 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 200 mA 100 µA a 50 V -65 ° C ~ 90 ° C. 40mA 0,8pf @ 1V, 1MHz
BAT46WH/DG/B2115 NXP USA Inc. BAT46WH/DG/B2115 0,0300
RFQ
 ECAD 5431 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Ear99 8541.10.0070 2.590
HER203G Taiwan Semiconductor Corporation HER203G 0,1758
RFQ
 ECAD 8557 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-204AC (DO-15) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HER203GTR Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 2 A 50 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 35pf @ 4V, 1MHz
US5MB-HF Comchip Technology US5MB-HF 0,1783
RFQ
 ECAD 7827 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB US5M Padrão SMB/DO-214AA - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 641-US5MB-HFTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,68 V @ 5 A 75 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
HER106G-AP Micro Commercial Co HER106G-AP 0,0406
RFQ
 ECAD 7127 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial HER106 Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
NTS1260MFST1G onsemi NTS1260MFST1G -
RFQ
 ECAD 7590 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 8-powertdfn, 5 leads NTS1260 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 488-NTS1260MFST1GTR Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 600 mV @ 12 A 90 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a -
1N4005GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GPEHE3/53 -
RFQ
 ECAD 9037 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4005 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 2 µs 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
RS1FLD-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1fld-m3/h 0,3400
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Padrão DO-219AB (SMF) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,2 V @ 1 A 500 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 7pf @ 4V, 1MHz
1N4148W-AQ Diotec Semiconductor 1N4148W-AQ 0,0236
RFQ
 ECAD 4398 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F 1N4148 Padrão SOD-123F download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2796-1N4148W-AQTR 8541.10.0000 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA A 75 V -55 ° C ~ 150 ° C. 150mA 2pf @ 0V, 1MHz
LS103C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS103C-GS08 0,4300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Variante SOD-80 LS103 Schottky Sod-80 Quadromell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 600 mV a 200 mA 10 ns 5 µA A 10 V 125 ° C (Máximo) - 50pf @ 0V, 1MHz
VS-8ETH03STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH03STRLPBF -
RFQ
 ECAD 7730 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 8eth03 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS8ETH03STRLPBF Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,25 V @ 8 a 27 ns 20 µA A 300 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a -
CR3-060GPP TR Central Semiconductor Corp CR3-060GPP TR -
RFQ
 ECAD 5457 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d download 1 (ilimito) CR3-060GPPTR Ear99 8541.10.0080 1.200 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 3 A 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 30pf @ 4V, 1MHz
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