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Diodos únicos (57622)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NRVBS260T3G | - |  | 9397 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | NRVBS26 | Schottky | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 630 mv @ 2 a | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | |||
 | 10ets12s | - | | 8573 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10ets12 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *10ets12s | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,1 V @ 10 A | 50 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||
 | BY206GPHE3/73 | - | | 3049 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BY206 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,5 V @ 2 A | 1 µs | 2 µA A 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | ||
 | SSL510B | 0,4200 | | 7326 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 700 mv @ 5 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||
 | R6000630XXYA | 68.3540 | | 6139 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | R6000630 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 13 µs | 50 mA a 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 300A | - | |||||
| Jan1n1206ar | 67.3200 | | 9835 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/260 | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1206 | Polaridada reversa padrão | Do-203aa (DO-4) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,35 V @ 38 A | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||
 | MA2Z00100L | - | | 8092 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | MA2Z001 | Padrão | Smini2-f1 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 200 v | 1,2 V @ 100 Ma | 60 ns | 1 µA A 200 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 3pf @ 0V, 1MHz | ||||
 | RB751V40T1 | - | | 6232 | 0,00000000 | Onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB751 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||
 | Jantxv1n5614/tr | 8.8950 | | 5849 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | A, axial | Padrão | A, axial | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N5614/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 3 A | 2 µs | 500 Na @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - | |||
 | SF30JG-B | - | | 8992 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||
 | VS-72HF120M | 21.2611 | | 5977 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 72HF120 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs72hf120m | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,35 V @ 220 A | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70A | - | |||
| 1N4942GP-E3/73 | - | | 1097 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4942 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
| F1827D1200 | - | | 6559 | 0,00000000 | Sensata-Crydom | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,55 V @ 75 A | 25a | - | |||||||
 | 1N2445 | 15.5000 | | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Padrão | Do-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2445 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 200 A | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||
 | US2AWF-HF | 0,0828 | | 4166 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | US2A | Padrão | SOD-123F | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-US2AWF-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||
 | SK310B-LTP | 0,4200 | | 32 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK310 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 250pf @ 4V, 1MHz | |||
 | S5b v6g | - | | 5181 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S5b | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,5 µs | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||
 | RB051LAM-40TR | 0,4800 | | 20 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | RB051 | Schottky | Pmdtm | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 3 a | 1 mA a 20 V | 150 ° C (Máximo) | 3a | - | |||
| BY229B-200HE3/81 | - | | 1544 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BY229 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,85 V @ 20 A | 145 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
 | Mur815 | 0,5600 | | 4 | 0,00000000 | Harris Corporation | SwitchMode ™ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Padrão | To-220-2 | download | Rohs Não Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||||
| HS3M R6 | - | | 5117 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HS3MR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||
 | Em 1av1 | 0,7500 | | 2 | 0,00000000 | Sanken | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Axial | Em 1 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 970 mV @ 1 a | 10 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
 | RB160mm-60tr | 0,4600 | | 431 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | RB160 | Schottky | PMDU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 550 mV @ 1 a | 50 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | - | |||
 | VS-20TQ035pbf | - | | 4229 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-2 | 20TQ035 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 570 mV @ 20 A | 2,7 mA a 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||
 | ER2G_R1_00001 | 0,3800 | | 740 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | ER2G | Padrão | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 2 A | 35 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||
 | SS12LS Rvg | 0,0905 | | 7774 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | SS12 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 1 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||
| UFR8520R | 148.2150 | | 1453 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | UFR8520 | Padrão | Do-5 | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 85 A | 50 ns | 50 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 85a | 675pf @ 10V, 1MHz | |||
 | HER204G A0G | - | | 1969 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | HER204 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||
| BYC75W-600PQ | 3.6400 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | BYC75 | Padrão | To-247-2 | download | 1 (ilimito) | 934069883127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,75 V @ 75 A | 50 ns | 10 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 75a | - | |||
 | STTH3010WY | 4.3300 | | 2504 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Do-247-2 (leads retos) | STTH3010 | Padrão | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-13282-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 2 V @ 30 A | 100 ns | 15 µA A 1000 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - |
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