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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Es3bbq | 0,2170 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES3BBQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | GF1GHE3/67A | - | ![]() | 8980 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214BA | GF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
![]() | UFR3020 | 68.3850 | ![]() | 7867 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | UFR3020 | Padrão | Do-4 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 30 A | 35 ns | 15 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 140pf @ 10V, 1MHz | ||
![]() | RGL1J | 0,0816 | ![]() | 9299 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA, Mini-Melf | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-rgl1jtr | 8541.10.0000 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | JANS1N6640US | 38.1000 | ![]() | 1048 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/609 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, d | Padrão | D-5D | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | - | |||||
![]() | 1N3292A | 93.8550 | ![]() | 3176 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N3292 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 1n3292ams | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,1 V @ 200 A | 200 µA a 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||
![]() | 1N1192 | 2.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N1192 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1,2 V @ 30 A | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - | |||||
243NQ080 | - | ![]() | 8449 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D-67 Half-Pak | 243NQ080 | Schottky | D-67 Half-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *243NQ080 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 860 mV @ 240 A | 6 mA a 80 V | 240a | 5500pf @ 5V, 1MHz | ||||
RSFGL RFG | - | ![]() | 9274 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rsfgl | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | F2GF | 0,0290 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-F2GFTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | Jantx1n5806us.tr | - | ![]() | 8273 | 0,00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SQ-Melf | Padrão | - | download | 600-JANTX1N5806US.TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2.5a | 25pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | PMEG4030ER/8X | 0,3900 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | SOD-123W | PMEG4030 | Schottky | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 540 mV @ 3 a | 100 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3a | 95pf @ 10V, 1MHz | |||
![]() | GP10T-E3/54 | 0,4900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1300 v | 1,3 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA A 1300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 5pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | S3M | 0,4300 | ![]() | 265 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3M | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 3 A | 2,5 µs | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Gib1402-E3/81 | 0,7496 | ![]() | 4607 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Gib1402 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | Gr3jb | 0,2000 | ![]() | 250 | 0,00000000 | Surto | - | Bolsa | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2616-GR3JB | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SD103BM3 | 0,0330 | ![]() | 4459 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | SD103 | Schottky | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SD103BM3TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 600 mV a 200 mA | 5 µA a 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 350mA | 50pf @ 0V, 1MHz | |||
RB160M-50TR | 0.2107 | ![]() | 7134 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | - | - | RB160 | Schottky | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 360 mV @ 1 a | 1,5 mA a 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | 170pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | UTR2360 | 11.8800 | ![]() | 9844 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | - | Alcançar Não Afetado | 150-UTR2360 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 2 A | 400 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 160pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | 1N1582R | 1.9500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N1582R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - | |||
![]() | JANS1N6638US | - | ![]() | 3983 | 0,00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/578 | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | 600-JANS1N6638US | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 125 v | 1,1 V @ 200 mA | 4,5 ns | 500 Na @ 125 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | - | |||||
![]() | Jantxv1N5620 | 8.0400 | ![]() | 4848 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Volume | Ativo | Através do buraco | A, axial | 1N5620 | Padrão | A, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 3 A | 2 µs | 500 Na @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - | ||
![]() | SE10PJ-M3/85A | 0,0899 | ![]() | 7222 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | SE10 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,05 V @ 1 A | 780 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
![]() | STPS340U | 0,4300 | ![]() | 5704 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | STPS340 | Schottky | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 630 mV @ 3 a | 20 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3a | - | |||
![]() | 60HF80 | 2.4670 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-60HF80 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 60 A | 200 µA a 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | |||
![]() | S2060 | 33.4500 | ![]() | 6844 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | S2060 | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - | ||||
![]() | STPS360AFY | 0,4300 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | STPS360 | Schottky | SOD128FLAT | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 610 mV @ 3 a | 150 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||
![]() | AK 06V | - | ![]() | 5681 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | AK 06 | Schottky | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 620 mV @ 700 mA | 1 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 700mA | - | ||||
![]() | SB140-E3/54 | 0,4200 | ![]() | 58 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SB140 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 480 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
![]() | UTR3360 | 12.8400 | ![]() | 9345 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | - | Alcançar Não Afetado | 150-UTR3360 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 3 A | 400 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 160pf @ 0V, 1MHz |
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