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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5417-TAP | 0,4950 | ![]() | 1847 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Sod-64, axial | 1N5417 | Avalanche | SOD-64 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,5 V @ 9 A | 100 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||
![]() | SS12P4S-M3/87A | 0,5042 | ![]() | 2526 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS12P4 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 600 mV @ 12 A | 800 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 750pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SS320HM6G | - | ![]() | 3501 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SS320 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | EGF1D-E3/67A | 0,6600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214BA | EGF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Vs-4esh01hm3/86a | 0,6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | 4esh01 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 930 mV @ 4 a | 20 ns | 2 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - | ||
![]() | HT17G | 0,0963 | ![]() | 2715 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | HT17 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | S3560 | 36.6600 | ![]() | 7395 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | S3560 | Padrão | Do-5 | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 200 A | 25 µA A 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70A | - | ||||
![]() | R5310 | 158.8200 | ![]() | 3760 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-R5310 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 60HQ100 | - | ![]() | 2522 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 60HQ100 | Schottky | DO-203AB (DO-5) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 890 mV @ 60 A | 1,5 mA a 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 60a | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | D400N18BVFXPSA1 | - | ![]() | 1316 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | D400N | Padrão | - | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1800 v | 40 mA @ 1800 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 450a | - | |||||
![]() | BYM07-300-E3/83 | 0,1513 | ![]() | 2212 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | BYM07 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | US2A-TP | 0,0783 | ![]() | 6573 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | US2A | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | 353-US2A-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N1193 | 75.5700 | ![]() | 4521 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1193 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | ||||
1N5802US | 9.7200 | ![]() | 255 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1N5802 | Padrão | D-5A | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 10V, 1MHz | |||
![]() | 1N5395-E3/73 | - | ![]() | 8713 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5395 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 1,5 A | 2 µs | 5 µA A 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SM5063-CT | 0,3070 | ![]() | 1867 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | SM5063 | Padrão | Mell Do-213ab | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-SM5063-CT | 8541.10.0000 | 30 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 2 A | 1,5 µs | 5 µA @ 1 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||
![]() | 1n3736r | - | ![]() | 7987 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | - | - | 1N3736 | - | - | - | Rohs Compatível | 1N3736R-PX | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||
![]() | MBR790HC0G | - | ![]() | 1469 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | MBR790 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 920 mV @ 7.5 A | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | |||
![]() | Nsb8bthe3_b/p | 0,6930 | ![]() | 6734 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | NSB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 55pf @ 4V, 1MHz | |||
Jantx1n6626us/tr | 18.4500 | ![]() | 4992 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, e | Padrão | D-5b | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTX1N6626US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,35 V @ 2 A | 45 ns | 2 µA a 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.75a | - | ||||
![]() | 1N5826 | 9.3340 | ![]() | 6329 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Schottky | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N5826 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 440 mV @ 15 A | 10 mA a 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 15a | - | |||
UF5407-E3/73 | 0,8900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UF5407 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 36pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | S25QR | 5.2485 | ![]() | 4089 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | S25Q | Polaridada reversa padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S25QRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1.1 V @ 25 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | |||
![]() | EGP10G-TP | - | ![]() | 6903 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | EGP10G | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||
![]() | SB140A-E3/73 | - | ![]() | 6472 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SB140 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 480 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
![]() | 1N3879 | 47.0100 | ![]() | 2241 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3879 | Padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 1n3879ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,4 V @ 20 A | 200 ns | 15 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 115pf @ 10V, 1MHz | ||
![]() | SICRD10650CT | 3.4305 | ![]() | 5219 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SICRD10650 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 60 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | ||
HER601-AP | - | ![]() | 7910 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | R-6, axial | HER601 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 6 A | 50 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||
DSS16-01AS-Trl | - | ![]() | 1364 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | DSS16 | Schottky | TO-263AA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 790 mV @ 15 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - | ||||
![]() | STPS3150RL | 0,6600 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | STPS3150 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.900 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 820 mv @ 3 a | 2 µA A 150 V | 175 ° C (max) | 3a | - |
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