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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT42WS-TP | 0,3900 | ![]() | 642 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BAT42 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 Na @ 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 100mA | 10pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | SDM2L40P1-7 | - | ![]() | 3625 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Powerdi®123 | Schottky | Powerdi ™ 123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 2 a | 100 µA A 40 V | - | 2a | 63pf @ 10V, 1MHz | ||||
![]() | VS-10ETS12STRR-M3 | 0,8331 | ![]() | 7978 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10ets12 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,1 V @ 10 A | 50 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
![]() | SFE1A | 0,0820 | ![]() | 8024 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | Padrão | Mell Do-213ab | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-SFE1ATR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
MBR750 | - | ![]() | 8494 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | MBR750 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | MBR750DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mV @ 7.5 A | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | 400pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | UPS6150E3/TR13 | 0,9450 | ![]() | 9989 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-216AA | UPS6150 | Schottky | Powermite | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 750 mV @ 6 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||
![]() | APD340VGTR-E1 | - | ![]() | 9765 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | APD340 | Schottky | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 40 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | |||
![]() | CD4955D | 19.5600 | ![]() | 400 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-CD4955D | 1 | ||||||||||||||||
![]() | DSF10TB | - | ![]() | 9982 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | DSF10 | Padrão | - | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 10 µA A 100 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | - | ||||
![]() | EGP10D-E3/73 | - | ![]() | 3078 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | EGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | ES2BA | 0,0380 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES2BATR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||
![]() | VS-20ETF08SPBF | - | ![]() | 1631 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20ETF08 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs20etf08spbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,31 V @ 20 A | 100 µA A 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||
![]() | CSFMT106-HF | 0,4400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | CSFMT106 | Padrão | SOD-123H | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | PMEG6010EP/6X | - | ![]() | 2499 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-128 | PMEG6010 | Schottky | SOD-128/CFP5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934071081115 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 530 mV @ 1 a | 60 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | 120pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | C3D10060G | 6.4500 | ![]() | 6606 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Z-REC® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | C3D10060 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-263-2 | download | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 1,8 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 29a | 480pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | 60EPU02 | - | ![]() | 2635 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | 60EPU02 | Padrão | TO-247AC Modifado | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,08 V @ 60 A | 35 ns | 50 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - | ||
![]() | SF62-TP | - | ![]() | 9948 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | SF62 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 6 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 6a | 120pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1N4004-N-0-2-BP | - | ![]() | 8791 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4004 | Padrão | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1N4004-N-0-2-BPMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | - | 1a | - | |||
![]() | RHRP850 | - | ![]() | 1083 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Avalanche | TO-220AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 2,1 V @ 8 A | 35 ns | 100 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||
![]() | Vs-60cpf02pbf | - | ![]() | 3964 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | 60cpf02 | Padrão | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 60 A | 180 ns | 100 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | ||
![]() | FFPF20U40STU | - | ![]() | 7253 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | FFPF20 | Padrão | TO-220F-2L | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 20 A | 50 ns | 50 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||
![]() | PR6005-T | - | ![]() | 5518 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | R-6, axial | PR6005 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 6 A | 250 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 70pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MUR4L20HB0G | - | ![]() | 8152 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | MUR4L20 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 890 mV @ 4 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | FFSPF0665A | 3.3800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | FFSPF0665 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220F-2FS | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,75 V @ 6 A | 0 ns | 200 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 361pf @ 1V, 100kHz | ||
![]() | SDT5A100P5-7 | 0,1884 | ![]() | 2013 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | SDT5A100 | Schottky | Powerdi ™ 5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 660 mV @ 5 A | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||
Rs1jlhm2g | - | ![]() | 1387 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1j | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 800 mA | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1N3879 | 41.7900 | ![]() | 8553 | 0,00000000 | Motorola | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,4 V @ 6 A | 200 ns | 15 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||
![]() | R30450 | 49.0050 | ![]() | 7908 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-R30450 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | ES3C R6G | - | ![]() | 9088 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-ES3CR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | CUS08F30, H3F | 0,3300 | ![]() | 362 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | CUS08F30 | Schottky | USC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 220 mV a 10 mA | 50 µA A 30 V | 125 ° C (Máximo) | 800mA | 170pf @ 0V, 1MHz |
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