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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SDM0440S3F-7 | 0,0460 | ![]() | 1181 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | SDM0440 | Schottky | SOD-323F | - | 31-SDM0440S3F-7 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 700 mV @ 400 mA | 4,5 ns | 20 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 400mA | 38pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | 1N3615R | 1.9500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3615R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,2 V @ 50 A | 3 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - | |||
SRP300A-E3/73 | - | ![]() | 3588 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | Srp300 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 3 A | 100 ns | 10 µA a 50 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | DL4937-13 | - | ![]() | 9565 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | DL4937 | Padrão | Mell | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
Mur450pfg | - | ![]() | 4085 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Mur45 | Padrão | Axial | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 520 v | 1,15 V @ 4 A | 95 ns | 5 µA @ 520 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - | ||||
![]() | 1N4002GPE-E3/91 | - | ![]() | 7604 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4002 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N5820RL | - | ![]() | 8967 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | 1n58 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1n5820rlst | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.900 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 475 mV @ 3 a | 2 mA a 20 V | 150 ° C (Máximo) | 3a | - | ||
![]() | F1T5G A0G | - | ![]() | 4770 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | F1T5 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N1186 | 74.5200 | ![]() | 6618 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Alcançar Não Afetado | 1n1186ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,4 V @ 110 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - | |||||
UES1001SM | 24.1650 | ![]() | 3500 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | A, SQ-Melf | - | Alcançar Não Afetado | 150-AUS1001SM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 975 mV @ 1 a | 25 ns | 2 µA a 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||||
![]() | LL4006G L0 | - | ![]() | 1056 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | LL4006 | Padrão | Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | LL4006GL0 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | ES01FV0 | - | ![]() | 9950 | 0,00000000 | Sanken | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Axial | ES01 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | ES01FV0 DK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1500 v | 2 V @ 500 mA | 1,5 µs | 10 µA A 1500 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | - | ||
![]() | HERA802G C0G | - | ![]() | 7854 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-2 | HERA802 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | S2KW8C-2P | - | ![]() | 1366 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Montagem do chassi | Módlo | S2KW8 | Padrão | - | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 8000 v | 8 V @ 6 A | 2 µs | 2 µA a 8000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||
![]() | 1N6263 TR4K | - | ![]() | 4188 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Schottky | DO-35 | download | 1514-1N6263TR4K | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 60 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 15m | 2.2pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | SFAS804GH | - | ![]() | 4722 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SFAS804 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | NTE5828 | 14.0300 | ![]() | 154 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do chassi | Presente Ajuste | Padrão | Presente Ajuste | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE5828 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1 V @ 50 A | 200 µA a 800 V | -65 ° C ~ 195 ° C. | 50a | - | |||||
![]() | Uh1bhe3/5at | - | ![]() | 4781 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | UH1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,05 V @ 1 A | 30 ns | 1 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
![]() | V12p15-m3/i | 0,3300 | ![]() | 9283 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V12p15 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,08 V @ 12 A | 250 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||||
![]() | NRVB140SFT1G | 0,5200 | ![]() | 6767 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | NRVB140 | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
![]() | HER308G-TP | 0,1483 | ![]() | 9874 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | HER308 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | HER105G-AP | 0,0406 | ![]() | 6780 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | HER105 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MBRB1660-E3/81 | 1.4600 | ![]() | 377 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB1660 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 16 a | 1 mA a 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||
![]() | NTE5951 | 8.8300 | ![]() | 56 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Não Compatível | 2368-NTE5951 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,5 V @ 15 A | 10 mA a 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |||||
![]() | Mur240rl | - | ![]() | 5958 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Mur24 | Padrão | Axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 2 A | 65 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||
![]() | RB530SM-30T2R | 0,2300 | ![]() | 356 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | RB530 | Schottky | EMD2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 450 mV a 10 mA | 500 Na @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | - | |||
![]() | R4350 | 102.2400 | ![]() | 8305 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Padrão | Do-205AA (DO-8) | - | Alcançar Não Afetado | 150-R4350 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,1 V @ 200 A | 50 µA A 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||||
![]() | BY229B-400-E3/81 | - | ![]() | 4396 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BY229 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,85 V @ 20 A | 145 ns | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | VS-MBRB1635-M3 | 1.7100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB1635 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 630 mV @ 16 a | 200 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | 1N6921UTK4CS | 259.3500 | ![]() | 5870 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N6921UTK4CS | 1 |
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