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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SL110 | 0,3700 | ![]() | 1010 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 600 mV @ 1 a | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | SL12-M3/5AT | 0,0860 | ![]() | 5939 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SL12 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 445 mV @ 1 a | 200 µA a 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1.5a | - | |||
![]() | MBRB1035-E3/81 | - | ![]() | 9934 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB10 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
![]() | 1N4933GP-M3/73 | - | ![]() | 6047 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4933 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
SS36L MTG | - | ![]() | 4717 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS36 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | Ss3p5lhm3_a/i | 0,2145 | ![]() | 1374 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS3P5 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 600 mv @ 3 a | 150 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | Es1gfl-tp | 0,0360 | ![]() | 1340 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Es1g | Padrão | DO-221AC (SMA-FL) | download | 353-ES1GFL-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
DLA40IM800PC-Trl | 4.4800 | ![]() | 352 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Dla40 | Padrão | TO-263AA | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 40 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 40A | 10pf @ 400V, 1MHz | ||||
UG5HT-E3/45 | - | ![]() | 3991 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Ug5 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,75 V @ 5 A | 50 ns | 30 µA a 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||
VS-20TT100 | - | ![]() | 9696 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 20TT100 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS20TT100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mV @ 20 A | 150 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 850pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | 1N2137A | 74.5200 | ![]() | 1911 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | DO-5 (DO-203AB) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N2137A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,25 V @ 200 A | 25 µA A 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70A | - | |||||
![]() | GS8JQ | 0,1960 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-GS8JQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | 1N2230A | 44.1600 | ![]() | 1492 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N2230A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | 60EPF02 | - | ![]() | 8716 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | 60EPF02 | Padrão | TO-247AC Modifado | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 60 A | 180 ns | 100 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | ||
![]() | VSSAF522HM3/H. | 0,6800 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Schottky | DO-221AC (Slimsma) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 5 A | 50 µA A 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 240pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | EGF1D | 1.0000 | ![]() | 9952 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | STTA806G | - | ![]() | 5138 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Turboswitch ™ | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STTA806 | Padrão | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,75 V @ 8 A | 52 ns | 100 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 8a | - | ||
![]() | Rs1kp1-7 | - | ![]() | 3135 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs1k | Padrão | SMA | - | Alcançar Não Afetado | 31-rs1kp1-7 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6pf @ 4V, 1MHz | |||
SB36AFC_R1_00001 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | SB36 | Schottky | SMAF-C | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-SB36AFC_R1_00001TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 385pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | R7S01412XX | - | ![]() | 8071 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200aa, a-puk | R7S01412 | Padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,6 V @ 1500 A | 10 µs | 50 mA A 1400 V | 1200A | - | ||||
![]() | RB520S-309Hnte61 | - | ![]() | 3198 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB520 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 846-RB520S-309Hnte61tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | S2KW24KA-3 | - | ![]() | 2323 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | - | download | 600-S2KW24KA-3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 24000 v | 24 V @ 6 A | 2 µs | 2 µA @ 24000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||
VS-STPS20L15D-M3 | 1.4500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | STPS20 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 15 v | 520 mV @ 40 A | 10 mA a 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 20a | 2000pf @ 5V, 1MHz | ||||
![]() | NSVRB521S30T1G | 0,4000 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | NSVRB521 | Schottky | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 500 mV @ 200 mA | 30 µA a 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | - | |||
![]() | 1N645 | 1.8900 | ![]() | 4072 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2383-1N645 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 225 v | 1 V @ 400 mA | 200 Na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | RL256GP-AP | 0,1096 | ![]() | 8872 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | R-3, axial | RL256 | Padrão | R-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 2,5 A | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SE10PDHM3/84A | 0,4900 | ![]() | 8555 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | SE10 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 1 A | 780 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
![]() | S4G M6 | - | ![]() | 5216 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S4GM6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,15 V @ 4 A | 1,5 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
MUR440-M3/73 | - | ![]() | 6617 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Mur440 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - | |||
![]() | PMEG045V050EPDAZ | 0,1600 | ![]() | 895 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | CFP15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG045V050EPDAZ-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 490 mV @ 5 A | 12 ns | 300 µA @ 45 V | 175 ° C (max) | 5a | 580pf @ 1V, 1MHz |
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