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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
VF30100S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30100S-E3/4W 1.6000
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 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada VF30100 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 910 mV @ 30 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C. 30a -
FFPF10UA60ST Fairchild Semiconductor FFPF10UA60ST 1.0000
RFQ
 ECAD 8081 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão TO-220F-2L download Ear99 8542.39.0001 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,3 V @ 10 A 120 ns 100 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a -
MBRS140 onsemi MBRS140 -
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 ECAD 2833 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AA, SMB MBRS140 Schottky DO-214AA (SMB) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 1 mA a 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a -
RGP10M-5304M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10M-5304M3/54 -
RFQ
 ECAD 4590 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial RGP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
S2BF Diodes Incorporated S2bf -
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 ECAD 7786 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Padrão SMB - Alcançar Não Afetado 31-S2bf Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,15 V @ 1,5 A 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 20pf @ 4V, 1MHz
NTE5842 NTE Electronics, Inc NTE5842 6.5500
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 ECAD 7 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Não Compatível 2368-nte5842 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 3 A 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
S10MC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S10MC R6G -
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 ECAD 9212 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-S10MCR6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 10 A 1 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 60pf @ 4V, 1MHz
R7003603XXUA Powerex Inc. R7003603XXUA -
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 ECAD 1963 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano Do-200aa, a-puk R7003603 Padrão DO-200AA, R62 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 3600 v 2,15 V @ 1500 A 9 µs 50 mA A 3600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
BAS20W_R1_00001 Panjit International Inc. Bas20w_r1_00001 0,1900
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 ECAD 3 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Bas20 Padrão SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-BAS20W_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 150 v 1 V @ 100 Ma 50 ns 100 Na @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
RRE02VS6SGTR Rohm Semiconductor Rre02vs6sgtr 0,0983
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 ECAD 7578 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano Rre02 Padrão TUMD2S download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 600 v 1,1 V @ 200 mA 1 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 200Ma -
BAS16,235 NXP Semiconductors Bas16.235 0,0200
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores nxp Automotive, AEC-Q101, BAS16 Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas16 Padrão TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BAS16.235-954 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 215mA 1.5pf @ 0V, 1MHz
S2KDFQ-13 Diodes Incorporated S2KDFQ-13 0,3700
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 ECAD 10 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano S2K Padrão D-flat download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 2 A 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 8pf @ 4V, 1MHz
V8PM15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8pm15hm3/h 0,6100
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 ECAD 21 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN V8pm15 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,08 V @ 8 A 150 µA @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C. 8a 460pf @ 4V, 1MHz
MUR460 Diotec Semiconductor Mur460 0,4604
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 ECAD 1 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial Padrão DO-201 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 2796-MUR460TR 8541.10.0000 1.700 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,28 V @ 4 a 75 ns 5 µA A 600 V -50 ° C ~ 175 ° C. 4a 50pf @ 4V, 1MHz
VS-305URA250P4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-305URA250P4 -
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 ECAD 5095 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud 305URA250 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 12 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 2000 v 1,46 V @ 942 A -40 ° C ~ 180 ° C. 300A -
VS-SD1553C18S20K Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1553C18S20K 306.1650
RFQ
 ECAD 3004 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Última Vez compra Prenda DO-200AC, K-Puk SD1553 Padrão DO-200AC, K-Puk download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSSD1553C18S20K Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1800 v 2,23 V @ 4000 A 2 µs -40 ° C ~ 150 ° C. 1825a -
VS-30ETH06FP-F3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06FP-F3 -
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 ECAD 9590 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 30eth06 Padrão Pacote completo parágrafo 220-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs30eth06fpf3 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,6 V @ 30 A 23 ns 50 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 30a -
S3AHE3-TP Micro Commercial Co S3ahe3-tp 0.1156
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 ECAD 1498 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Última Vez compra Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S3a Padrão SMC (DO-214AB) download 353-S3AHE3-TP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,2 V @ 3 A 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
ESH2C R5G Taiwan Semiconductor Corporation Esh2c R5g -
RFQ
 ECAD 4408 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Esh2 Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 900 mV @ 2 a 20 ns 2 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 25pf @ 4V, 1MHz
BY254GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY254GP-E3/73 -
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 ECAD 3006 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial By254 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 3 A 3 µs 5 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 40pf @ 4V, 1MHz
FFPF10H60STU onsemi FFPF10H60STU -
RFQ
 ECAD 9563 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 FFPF10 Padrão TO-220F-2L download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,5 V @ 10 A 40 ns 1 mA a 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a -
SE30AFG-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30AFG-M3/6B 0,4500
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 ECAD 7847 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads SE30 Padrão DO-221AC (Slimsma) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 3 A 1,5 µs 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.4a 19pf @ 4V, 1MHz
S310 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd S310 0,3000
RFQ
 ECAD 1566 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F Schottky SOD-123fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 3 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 165pf @ 4V, 1MHz
SS32 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SS32 R6G -
RFQ
 ECAD 5150 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SS32R6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 mv @ 3 a 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
P2000KTL-CT Diotec Semiconductor P2000KTL-CT 3.0850
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 ECAD 6438 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tira Ativo Através do buraco P600, axial P2000K Padrão P600 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada 2721-P2000KTL-CT 8541.10.0000 12 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 20 A 1,5 µs 10 µA a 800 V -50 ° C ~ 175 ° C. 20a -
BYT77-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT77-TAP 0,5247
RFQ
 ECAD 3141 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Sod-64, axial BYT77 Avalanche SOD-64 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 12.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,2 V @ 3 A 250 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a -
G5S06504CT Global Power Technology Co. Ltd G5S06504CT -
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 ECAD 9367 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 - Fornecedor indefinido 4436-G5S06504CT 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,6 V @ 4 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 13.8a 181pf @ 0V, 1MHz
PMEG3005EJ-QX Nexperia USA Inc. PMEG3005EJ-QX 0,0861
RFQ
 ECAD 7066 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F PMEG3005 Schottky SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1727-PMEG3005EJ-QXTR Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 430 mV @ 500 mA 150 µA A 30 V -65 ° C ~ 150 ° C. 500mA 55pf @ 1V, 1MHz
SFA1002GH Taiwan Semiconductor Corporation SFA1002GH -
RFQ
 ECAD 5367 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFA1002GH Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 975 mV @ 10 A 35 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 70pf @ 4V, 1MHz
EG01A Sanken EG01A -
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 ECAD 6530 0,00000000 Sanken - Volume Ativo Através do buraco Axial EG01 Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) EG01A DK Ear99 8541.10.0070 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2 V @ 500 mA 100 ns 100 µA A 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 500mA -
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