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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jantxv1n5621us/tr | 15.6000 | ![]() | 2885 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N5621US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,6 V @ 3 A | 300 ns | 500 Na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 12V, 1MHz | ||||
![]() | RB751S-40 | 0,1200 | ![]() | 2713 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | RB751 | Schottky | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 370 mV @ 1 Ma | 500 Na @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 30Ma | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | SFA803G C0G | - | ![]() | 5734 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | SFA803 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | EGP10BHM3/54 | - | ![]() | 2596 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | EGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | HS24045 | - | ![]() | 4353 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Meio pak | Schottky | Meio pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 550 mV @ 240 A | 12 mA a 45 V | 240a | 10500pf @ 5V, 1MHz | ||||||
![]() | GS2A-LTP | 0,0330 | ![]() | 7730 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | GS2A | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | GS2A-LTPMSTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 2 A | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Jantx1n647ur-1/tr | - | ![]() | 8638 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTX1N647UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | |||||
![]() | STPS8H100DEE-TR | 1.3600 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | STPS8 | Schottky | Powerflat ™ (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 820 mv @ 8 a | 4,5 µA a 100 V | 175 ° C (max) | 8a | - | |||
![]() | Jan1n5809urs/tr | 17.6250 | ![]() | 3599 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | Padrão | B, Sq-Melf | - | 150-JAN1N5809URS/TR | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10V, 1MHz | |||||||
![]() | HSM2838C-JTR-E | 0,1400 | ![]() | 7594 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.571 | |||||||||||||||
![]() | 1SS400G-TP-HF | - | ![]() | 7608 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-723 | 1ss400 | Padrão | SOD-723 | download | 353-1SS400G-TP-HF | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 100mA | 3pf @ 5V, 1MHz | ||||
![]() | BYD13JGP-E3/54 | - | ![]() | 6170 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | BYD13 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | HER104G | 0,0330 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-HER104GTB | Ear99 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | G3S12010C | 10.8200 | ![]() | 8007 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252 | download | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 33.2a | 765pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | SK36BE3/TR13 | - | ![]() | 2200 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK36 | Schottky | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | |||
![]() | ES1CQ | 0,0910 | ![]() | 750 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES1CQTR | Ear99 | 7.500 | ||||||||||||||||
![]() | RL102-N-2-1-BP | - | ![]() | 3892 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | RL102 | Padrão | A-405 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | RL102-N-2-1-BPMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SE8D20DHM3/H. | 0,5300 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Padrão | Slimsmaw (DO-221AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 2 A | 1,2 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | S2005 | 33.4500 | ![]() | 5983 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-203aa (DO-4) | - | Alcançar Não Afetado | 150-S2005 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||
S1JLHR3G | - | ![]() | 6059 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1J | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | CDBJCSC31200-G | - | ![]() | 9197 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Volume | Obsoleto | - | 641-CDBJCSC31200-G | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | BAS21VMTE-17 | 0,3400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Bas21 | Padrão | Umd2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 200 v | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 2.5pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | S3M-AU_R1_000A1 | - | ![]() | 7089 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3M | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-S3M-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 3 A | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 53pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SF2005PTH | 1.4290 | ![]() | 9372 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SF2005 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,5 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 175pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N3595 | 2.7150 | ![]() | 7844 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N3595 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 125 v | 1 V @ 200 mA | 3 µs | 1 Na @ 125 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | - | ||||
![]() | TSN525M60H | 1.2098 | ![]() | 1816 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-Powerldfn | TSN525 | Schottky | 8-pdfn (5.2x5.7) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSN525M60HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 630 mV @ 25 A | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | |||
![]() | SS85 | 0,1210 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS85TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | SR10100L-TP | 0,2500 | ![]() | 5259 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR10100 | Schottky | Do-201d | download | 353-SR10100L-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 750 mv @ 10 a | 200 µA a 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 700pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | S25JR | 5.2485 | ![]() | 5636 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | S25J | Polaridada reversa padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S25JRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1.1 V @ 25 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | |||
S2dfs | 0,0627 | ![]() | 4529 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S2DFSTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 28.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 2 A | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 12pf @ 4V, 1MHz |
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