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Diodos únicos (57622)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S1ahe3/5at | - |  | 7380 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1A | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 1 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||
 | MMBD1701A | - | | 8623 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD17 | Padrão | SOT-23-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 1,1 V @ 50 mA | 1 ns | 50 Na @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | 50mA | 1pf @ 0V, 1MHz | |||
 | Es2ja r3g | 0,7700 | | 14 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES2J | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 2 A | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||
 | FR40GR02 | 13.8360 | | 6032 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1054 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 40 A | 200 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 40A | - | |||
 | V30K170-M3/i | 0,8006 | | 9280 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | download | Alcançar Não Afetado | 112-V30K170-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 170 v | 1,04 V @ 30 A | 150 µA @ 170 V | -40 ° C ~ 165 ° C. | 3.4a | 1250pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | 1N3070-1 | 7.0200 | | 135 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204aa, do-7, axial | 1N3070 | Padrão | Do-7 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 175 v | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 100mA | - | |||
 | Fs2mfl-tp | 0,0616 | | 3509 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Fs2m | Padrão | DO-221AC (SMA-FL) | download | 353-FS2MFL-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 2 A | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||
| S1KA-E3/5AT | - | | 9592 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1K | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µs | 3 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||
 | VS-80PF160W | 6.3468 | | 8948 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | 80pf160 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs80pf160w | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,46 V @ 220 A | -55 ° C ~ 150 ° C. | 80a | - | |||
 | S3M-E3/9AT | 0,5300 | | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3M | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,15 V @ 2,5 A | 2,5 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
 | FR1004-TP | - | | 3131 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | R-6, axial | FR1004 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 10 A | 150 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
 | VS-10ETF06THM3 | 1.7900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | 10etf06 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 10 A | 200 ns | 100 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||
 | HERAF1008G | - | | 8344 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HERAF1008G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 10 A | 80 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
 | CDBB280-G | - | | 5409 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | CDBB280 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 850 mv @ 2 a | 500 µA A 80 V | 125 ° C (Máximo) | 2a | - | ||||
| BAT46WH/DG/B2115 | 0,0300 | | 5431 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.590 | ||||||||||||||||||
| SFA1006G | - | | 2239 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Padrão | TO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SFA1006G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||
| S3KHE3/57T | - | | 7851 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3K | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,15 V @ 2,5 A | 2,5 µs | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
| CPR1U-040 BK | - | | 4716 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Última Vez compra | Através do buraco | R-1, axial | CPR1U | Padrão | GPR-1A | - | Alcançar Não Afetado | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,6 V @ 1,5 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||||||
 | PMEG4002esfyl | 0,0300 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 0201 (0603 Mética) | Schottky | DSN0603-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG4002esfyl-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 600 mV a 200 mA | 1,28 ns | 6,5 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 17pf @ 1V, 1MHz | |||
 | S1PJHE3/84A | - | | 4772 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-220AA | S1p | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6pf @ 4V, 1MHz | ||
| SS2p3-M3/84A | 0,4400 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | Ss2p3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mv @ 2 a | 150 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||
 | GI1-1400GPHE3/54 | - | | 7925 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Gi1 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 10 µA A 1400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
| GI816-E3/73 | - | | 9961 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | GI816 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 750 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||
 | D740N46TXPSA1 | - | | 6255 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Do-200ab, B-Puk | D740N46 | Padrão | - | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 4600 v | 1,45 V @ 700 A | 70 mA @ 4600 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 750A | - | ||||
 | MURB1520-1 | - | | 7518 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MURB1520 | Padrão | TO-262-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 15 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | ||
 | Jantxv1n5616us | - | | 5041 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 2 µs | 500 Na @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - | |||
 | MA2J72900L | - | | 7526 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | MA2J729 | Schottky | Smini2-f1 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 550 mV a 200 mA | 3 ns | 50 µA A 30 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 30pf @ 0V, 1MHz | ||||
 | VS-5EWH06FNTR-M3 | 0,8500 | | 24 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 5EWH06 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,85 V @ 5 A | 25 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | ||
| 1N6540 | 16.5300 | | 1723 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | 1N6540 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||
 | IDW30E60AFKSA1 | - | | 4097 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-247-3 | IDW30E60 | Padrão | PG-A247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000547582 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 30 A | 143 ns | 40 µA A 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - |
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