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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UF2M_R1_00001 | 0,5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Uf2m | Padrão | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-UF2M_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 2 A | 100 ns | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 28pf @ 4V, 1MHz | |
![]() | MF500U12F2-BP | 58.6863 | ![]() | 7079 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | MF500 | Padrão | F2 | download | 353-MF500U12F2-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 2 V @ 500 A | 200 ns | 1 ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 500A | - | ||||
Es1fl rhg | - | ![]() | 1378 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | ES1F | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | SFF505G | 0,5374 | ![]() | 4045 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF505 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Fesb8fthe3_a/i | 0,8910 | ![]() | 4153 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FESB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | Cllr1u-04 tr | - | ![]() | 1036 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | Padrão | Mell | download | 1514-CLLR1U-04TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | RKD702KP#R0 | 0,1400 | ![]() | 110 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | RKD702 | Schottky | MP6 | - | Não Aplicável | Ear99 | 0000.00.0000 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 400 mv @ 5 mA | 250 Na @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 50mA | 2.5pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | 1N3973 | 102.2400 | ![]() | 4353 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N3973 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 200 A | 50 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||||
SK315AHR3G | - | ![]() | 8974 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SK315 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 3 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | JANS1N6872UTK2 | 608.4000 | ![]() | 3699 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/469 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 2 | Padrão | Thinkey ™ 2 | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N6872UTK2 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | |||||||
![]() | DZ23C43Q | 0,0460 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-DZ23C43QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | 1N3296A | 93.8550 | ![]() | 2033 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N3296 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 1n3296ams | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,1 V @ 200 A | 200 µA A 1200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||
Jan1n6663/tr | - | ![]() | 2665 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N6663/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 400 mA | 50 Na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | - | |||||
![]() | 301U140 gr Bl | - | ![]() | 7899 | 0,00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | 301U140 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,22 V @ 942 A | 15 mA a 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 300A | - | |||
![]() | TRS10A65F, S1Q | 4.5900 | ![]() | 4279 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | TRS10A65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220F-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,6 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | 175 ° C (max) | 10a | 36pf @ 650V, 1MHz | |||||
![]() | SF37GH | - | ![]() | 2766 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SF37GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | CFSH01-30 TR | - | ![]() | 7087 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-882 | CFSH01 | Schottky | SOD-882 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 460 mV a 10 mA | 300 Na @ 10 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 100mA | 7pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | Jantx1n6911utk2as | - | ![]() | 4574 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Thinkey ™ 2 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 30 v | 540 mV @ 25 A | 1,2 mA a 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | ||||||
![]() | MBRF760 | - | ![]() | 5118 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRF760 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mV @ 7.5 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | |||
![]() | HSM880J/TR13 | 2.2950 | ![]() | 2510 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | HSM880 | Schottky | DO-214AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 780 mV @ 8 a | 500 µA A 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||
![]() | 1N4592R | 102.2400 | ![]() | 2300 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N4592R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 200 A | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||||
![]() | MBRB1045HE3/45 | - | ![]() | 4101 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB10 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
![]() | 1N4004-N-0-4-AP | - | ![]() | 6137 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4004 | Padrão | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1N4004-N-0-4-APMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | - | 1a | - | |||
![]() | RBR3LB30BTBR1 | 0,6400 | ![]() | 6970 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Rbr3lb | Schottky | SMBP | download | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 530 mV @ 3 a | 80 µA A 30 V | 150 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | 1n2136r | 74.5200 | ![]() | 8731 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | DO-5 (DO-203AB) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N2136R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 450 v | 1,25 V @ 200 A | 25 µA @ 450 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70A | - | |||||
![]() | HSR101-01TRE-E | 0,3400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | SK33BH | 0,1239 | ![]() | 5867 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK33 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | |||
![]() | AZ23C7V5Q | 0,0460 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | download | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-AZ23C7V5QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | 1N1203RA | 1.9500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N1203Ra | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,2 V @ 30 A | 10 µA A 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - | |||
![]() | Ar3pdhm3_a/i | 0,4950 | ![]() | 6620 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | AR3 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,6 V @ 3 A | 140 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.8a | 44pf @ 4V, 1MHz |
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