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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
BAL99-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAL99-G3-08 0.0306
RFQ
 ECAD 3798 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAL99 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 15.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 70 v 1,25 V @ 150 Ma 6 ns 2,5 µA A 70 V -55 ° C ~ 150 ° C. 250mA 1.5pf @ 0V, 1MHz
SB040-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/53 -
RFQ
 ECAD 2050 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco MPG06, axial SB040 Schottky MPG06 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV a 600 mA 500 µA A 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 600mA -
SE40PGHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40pghm3_a/i 0,2450
RFQ
 ECAD 5438 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN SE40 Padrão TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,05 V @ 4 A 2,2 µs 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2.4a 28pf @ 4V, 1MHz
UF1GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation Uf1ghb0g -
RFQ
 ECAD 6844 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Uf1g Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
SR1503HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1503HA0G -
RFQ
 ECAD 1216 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco R-6, axial SR1503 Schottky R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 700 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 15 A 500 µA A 30 V -50 ° C ~ 150 ° C. 15a -
G4S06510CT Global Power Technology Co. Ltd G4S06510CT -
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 ECAD 7640 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 - Fornecedor indefinido 4436-G4S06510CT 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 31a 550pf @ 0V, 1MHz
EGP20B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20B-E3/54 0,8800
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 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial EGP20 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 2 a 50 ns 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 70pf @ 4V, 1MHz
SB050-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB050-E3/73 -
RFQ
 ECAD 6594 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial SB050 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mV a 600 mA 5 mA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 600mA -
B140-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division B140-M3/5AT 0,0644
RFQ
 ECAD 7469 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA B140 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 520 mv @ 1 a 200 µA a 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a -
SF13G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF13G A0G -
RFQ
 ECAD 5541 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SF13 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
ES2AA Taiwan Semiconductor Corporation Es2aa 0,1769
RFQ
 ECAD 9350 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-ES2AATR Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 2 a 35 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 25pf @ 4V, 1MHz
3A60 Taiwan Semiconductor Corporation 3A60 0,0977
RFQ
 ECAD 7855 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 3A60 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 3 A 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 27pf @ 4V, 1MHz
CD214C-B350LF Bourns Inc. CD214C-B350LF -
RFQ
 ECAD 3119 0,00000000 Bourns Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AB, SMC CD214C Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 3 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a 250pf @ 4V, 1MHz
VS-18TQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ035-N3 -
RFQ
 ECAD 1875 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 18TQ035 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs18tq035n3 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 600 mV @ 18 A 2,5 mA A 35 V -55 ° C ~ 175 ° C. 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
UPDS5100H Microsemi Corporation UPDS5100H -
RFQ
 ECAD 4955 0,00000000 Microsemi Corporation - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 UPDS5100 Schottky download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 710 mV @ 5 A 10 µA A 100 V 5a -
VB20100S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100S-M3/4W 0,7209
RFQ
 ECAD 4545 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab VB20100 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 900 mV @ 20 A 500 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C. 20a -
VS-18TQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-18tq045pbf -
RFQ
 ECAD 4203 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 18TQ045 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 600 mV @ 18 A 2,5 mA a 45 V -55 ° C ~ 175 ° C. 18a -
R6010425XXYA Powerex Inc. R6010425XXYA -
RFQ
 ECAD 4766 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud R6010425 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 11 µs 50 mA a 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 250a -
CDBF00340-HF Comchip Technology CDBF00340-HF -
RFQ
 ECAD 5399 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 1005 (2512 Mética) CDBF00340 Schottky 1005/SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 4.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 370 mV @ 1 Ma 1 µA A 40 V 125 ° C (Máximo) 30Ma 1.5pf @ 1V, 1MHz
1N6642UBCC Microchip Technology 1N6642UBCC 14.2800
RFQ
 ECAD 1141 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo 1N6642 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1
BY550-1000-CT Diotec Semiconductor BY550-1000-CT 1.1528
RFQ
 ECAD 106 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tira Ativo Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial BY550 Padrão DO-201 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada 2721-by550-1000-CT 8541.10.0000 12 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 5 A 1,5 µs 5 µA @ 1 V -50 ° C ~ 175 ° C. 5a -
JANTX1N6845U3/TR Microchip Technology Jantx1n6845u3/tr 424.2150
RFQ
 ECAD 3948 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/682 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo Schottky, reversa polaridada U3 (SMD-0.5) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-JANTX1N6845U3/TR Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 720 mV @ 20 A 100 µA A 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 30a 800pf @ 5V, 1MHz
UGF8JD Taiwan Semiconductor Corporation Ugf8jd -
RFQ
 ECAD 1940 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-UGF8JD Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,3 V @ 8 A 30 ns 500 Na @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
FFPF15S60STU onsemi FFPF15S60STU -
RFQ
 ECAD 6460 0,00000000 Onsemi Stealth ™ Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 FFPF15 Padrão TO-220F-2L download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,6 V @ 15 A 35 ns 100 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 15a -
SS24L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS24L M2G -
RFQ
 ECAD 8648 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS24 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 2 a 400 µA A 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
RL 4Z Sanken RL 4Z -
RFQ
 ECAD 7952 0,00000000 Sanken - Volume Obsoleto Através do buraco Axial Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 3,5 A 50 ns 150 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3.5a -
RBK82440XX Powerex Inc. RBK82440XX 674.9100
RFQ
 ECAD 4659 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Montagem do chassi DO-200AE RBK82440 Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 2400 v 1,17 V @ 3000 A 30 µs 150 mA @ 2400 V 4000A -
R6110625XXYZ Powerex Inc. R6110625XXYZ -
RFQ
 ECAD 2119 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Obsoleto Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,5 V @ 800 A 11 µs 50 mA a 600 V -65 ° C ~ 190 ° C. 250a -
SR1202HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1202HB0G -
RFQ
 ECAD 3000 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Descontinuado no sic Através do buraco Do-201D, axial SR1202 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 12 A 500 µA A 20 V -50 ° C ~ 150 ° C. 12a -
S5KB-13 Diodes Incorporated S5KB-13 0,4200
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 ECAD 2 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Padrão SMB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,15 V @ 5 A 10 µA a 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a 28pf @ 4V, 1MHz
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    2000+

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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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