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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY7C1345B-117AC | 6.2900 |  | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | CY7C1345 | SRAM - Síncrono, SDR | 3.15V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x20) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Volátil | 4,5Mbbit | 7,5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
 | S29AL008J70WHN019 | - | | 6695 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Al-j | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Morrer | S29AL008 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | Wafer | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 25 | Não Volátil | 8MBIT | 70 ns | Clarão | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| S25FL132K0XMFB013 | - | | 9305 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Volume | Ativo | - | 2156-S25FL132K0XMFB013 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| M30042040054X0PWAR | 13.8276 | | 2555 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C. | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | M30042040054 | MRAM (Ram Magnetoresistiva) | 2.7V ~ 3,6V | 8-DFN (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 800-M30042040054X0PWARTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 54 MHz | Não Volátil | 4MBIT | Bater | 1m x 4 | - | - | ||||
| S29GL01GP12FAI020 | 33.3400 | | 106 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64 lbga | S29GL01 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 64-FBGA (13x11) | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Fornecedor indefinido | 2832-S29GL01GP12FAI020 | 3A991B1a | 8542.32.0050 | 15 | Não Volátil | 1Gbit | 120 ns | Clarão | 64m x 16 | CFI | 120ns | |||
 | MT29F4G08ABAFAWP-ites: f | - | | 8486 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F4G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 960 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 512m x 8 | Paralelo | - | |||||
 | 71V35761SA200BG | 14.7800 | | 29 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 119-BGA | 71V35761S | SRAM - Síncrono, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | download | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volátil | 4,5Mbbit | 3.1 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||||||
 | 7132SA55p | - | | 7294 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Através do buraco | 48-DIP (0,600 ", 15,24mm) | 7132SA | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 48-PDIP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 7 | Volátil | 16kbit | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
| M24512E-FDW6TP | 0,3000 | | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | EEPROM | 1.6V ~ 5,5V | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 1 MHz | Não Volátil | 512kbit | 450 ns | EEPROM | 64k x 8 | I²C | 4ms | ||||
 | IS43DR82560B-25EBLI | - | | 6851 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 60-TFBGA | IS43DR82560 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 60-TWBGA (10,5x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 400 MHz | Volátil | 2gbit | 400 ps | Dram | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | R1LV0416DBG-7LI#B0 | 21.3100 | | 817 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFBGA | R1LV0416D | Sram | 2.7V ~ 3,6V | 48-TFBGA (7,5x8,5) | download | Não Aplicável | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 4MBIT | 70 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||||
 | S25FL128P0XMFI003 | 3.5400 | | 8961 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fl | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | S25FL128 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 71 | 104 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi | 3ms | ||||||
 | IS42S16160B-7B-TR | - | | 7841 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 54-LFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 54-LFBGA (8x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Volátil | 256Mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Paralelo | - | |||
| Ndl28pfr-9mit | 6.7500 | | 8385 | 0,00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-VFBGA | Ndl28 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 78-FBGA (7,5x10,5) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1982-NDL28PFR-9MIT | Ear99 | 8542.32.0036 | 210 | 933 MHz | Volátil | 2gbit | 20 ns | Dram | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT29F256G08CKCBBH2-10: B TR | - | | 8275 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-TBGA | MT29F256G08 | Flash - NAND (MLC) | 2.7V ~ 3,6V | 100-TBGA (12x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Não Volátil | 256 gbit | Clarão | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | W74M25JVZEIQ | 4.8800 | | 1588 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | W74M25 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (8x6) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W74M25JVZEIQ | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 480 | 80 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | |||
| IS25WP128F-RMLE-TR | 2.0788 | | 1091 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 1,95V | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP128F-RMLE-TR | 1.000 | 166 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | 40µs, 800µs | |||||||
 | IS43R86400D-5TL-TR | 5.3325 | | 6850 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | IS43R86400 | Sdram - ddr | 2.5V ~ 2,7V | 66-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 200 MHz | Volátil | 512MBIT | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | S25FS256SAGBHI300 | - | | 7888 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Fs-s | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | S25FS256 | Flash - NEM | 1.7V ~ 2V | 24-BGA (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | SP005654609 | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 676 | 133 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | - | |||
| 13L75AA-C | 141.2500 | | 6824 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-13L75AA-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 70V3319S133BF8 | 232.9149 | | 6657 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 208-LFBGA | 70V3319 | SRAM - PORTA DUPLA, SÍNCRONA | 3.15V ~ 3,45V | 208-Cabga (15x15) | download | Rohs Não Compatível | 4 (72 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 133 MHz | Volátil | 4,5Mbbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||
 | CAT93C56VI-1.8 | - | | 2386 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | CAT93C56 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | Não Volátil | 2kbit | EEPROM | 256 x 8, 128 x 16 | Micro -onda | - | ||||
 | W9464G6JH-5I | - | | 9301 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | W9464G6 | Sdram - ddr | 2.3V ~ 2,7V | 66-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 108 | 200 MHz | Volátil | 64MBIT | 55 ns | Dram | 4m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | AS4C512M8D3LB-10BCNTR | - | | 9812 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | AS4C512 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 78-FBGA (9x10.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1450-AS4C512M8D3LB-10BCNTR | Obsoleto | 2.500 | 933 MHz | Volátil | 4gbit | 20 ns | Dram | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| MT53D512M64D8TZ-053 WT ES: B TR | - | | 4008 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D512 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 512m x 64 | - | - | |||||
| S25FL128LAGMFB000 | - | | 9808 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Volume | Ativo | - | 2156-S25FL128LAGMFB000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| S25FS256SAGMFI003 | 4.4000 | | 36 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fs-s | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | S25FS256 | Flash - NEM | 1.7V ~ 2V | 16-SOIC | download | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Fornecedor indefinido | 2832-S25FS256SAGMFI003TR | 3A991B1a | 8542.32.0050 | 114 | 133 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | - | Não Verificado | ||
| S25FL256LAGNFN010 | 9.0700 | | 3 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fl-l | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | S25FL256 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Fornecedor indefinido | 2832-S25FL256LAGNFN010TR | 3A991B1a | 8542.32.0070 | 56 | 133 MHz | Não Volátil | 256Mbit | 6 ns | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 1,2ms | ||
| GD5F1GQ5UEWIG | 1.4109 | | 8056 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD5F1GQ5UEWIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 1Gbit | 7 ns | Clarão | 256m x 4 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | 600µs | ||||||||
 | MT53E256M32D2FW-046 AAT: B TR | 15.4950 | | 1410 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | download | 557-MT53E256M32D2FW-046AAT: BTR | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 8gbit | 3,5 ns | Dram | 256m x 32 | Paralelo | 18ns |
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