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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71016S20YG8 | - |  | 9282 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm de largura) | 71016S | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 44-SOJ | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Volátil | 1Mbit | 20 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 20ns | |||
 | Mt29gz5a3bpgga-53aat.87k tr | - | | 3143 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 149-WFBGA | Flash - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06V ~ 1,17V, 1,7V ~ 1,95V | 149-WFBGA (8x9.5) | download | 557-MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87KTR | Obsoleto | 2.000 | Não Volátil, Volátil | 4gbit | 25 ns | Flash, Ram | 512m x 8 | Onfi | 30ns | |||||||
 | 709269S9pf8 | - | | 3911 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | 709269S | SRAM - PORTA DUPLA, SÍNCRONA | 4.5V ~ 5,5V | 100-TQFP (14x14) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | Volátil | 256kbit | 9 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | - | |||
 | JS28F256P30T2E | - | | 6618 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | JS28F256P30 | Flash - NEM | 1.7V ~ 2V | 56-TSOP | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 576 | 40 MHz | Não Volátil | 256Mbit | 110 ns | Clarão | 16m x 16 | Paralelo | 110ns | ||
| 7164L45TPGI | - | | 3735 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Última Vez compra | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Através do buraco | 28-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 28-PDIP | - | 800-7164L45TPGI | 1 | Volátil | 64kbit | 45 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||||||
 | CY7C1515KV18-333BZXC | 190.9250 | | 9291 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1515 | SRAM - Síncrono, QDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | -CY7C1515KV18-333BZXC | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.360 | 333 MHz | Volátil | 72MBIT | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | ||
 | 6116SA25SOG | 5.2200 | | 159 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | 6116SA | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 24-SOIC | download | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 16kbit | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||||
| CG7703AA | 90.3980 | | 8463 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | CG7703 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 2015-CG7703AAINACTIVA | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 272 | |||||||||||||||
 | TC58NVG1S3HBAI4 | - | | 7572 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | TC58NVG1 | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 63-TFBGA (9x11) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Tc58nvg1s3hbai4jdh | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 210 | Não Volátil | 2gbit | 25 ns | Clarão | 256m x 8 | Paralelo | 25ns | ||
| NDS73PBE-20ET TR | 3.2952 | | 9457 | 0,00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 1982-NDS73PBE-20ETTR | 2.000 | |||||||||||||||||||
 | IS49NLS93200-25BLI | - | | 9531 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | Rldram 2 | 1.7V ~ 1,9V | 144-FCBGA (11x18.5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Volátil | 288Mbit | 20 ns | Dram | 32m x 9 | Paralelo | - | ||
 | 7142LA100C | - | | 9885 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Através do buraco | 48-DIP (0,600 ", 15,24mm) | 7142la | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 48 Lados Bronzeados | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 8 | Volátil | 16kbit | 100 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 100ns | |||
| 70V38L20PF8 | - | | 5760 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | 70V38L | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 3V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x14) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | Volátil | 1.125 MBBIT | 20 ns | Sram | 64k x 18 | Paralelo | 20ns | |||
 | N25Q064A13EV140 | - | | 5342 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | N25Q064A13 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | Não Volátil | 64MBIT | Clarão | 16m x 4 | Spi | 8ms, 5ms | |||
| MT41J512M4HX-15E: d | - | | 1944 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | MT41J512M4 | Sdram - ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x11.5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volátil | 2gbit | 13.5 ns | Dram | 512m x 4 | Paralelo | - | ||
| 24aa02h-i/s16k | - | | 9326 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Morrer | 24aa02 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 400 kHz | Não Volátil | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | I²C | 5ms | ||
 | 24FC02-E/MS | 0,3600 | | 1 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) | 24FC02 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8 msop | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Não Volátil | 2kbit | 450 ns | EEPROM | 256 x 8 | I²C | 5ms | ||
| MT49H32M18FM-25E: b | - | | 7465 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Descontinuado no sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Dram | 1.7V ~ 1,9V | 144 µbga (18,5x11) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Volátil | 576MBIT | 15 ns | Dram | 32m x 18 | Paralelo | - | ||
| MT29C4G48MAZAMAMK-5 IT | - | | 2531 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 153-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOvel | 1.7V ~ 1,95V | 153-VFBGA | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Não Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Flash, Ram | 256m x 16 (NAND), 128m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
 | AT27BV256-70TI | - | | 5781 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 28-TSSOP (0,465 ", 11,80 mm de largura) | AT27BV256 | EPROM - OTP | 2,7V ~ 3,6V, 4,5V ~ 5,5V | 28-TSOP | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | AT27BV25670TI | Ear99 | 8542.32.0061 | 234 | Não Volátil | 256kbit | 70 ns | Eprom | 32k x 8 | Paralelo | - | ||
 | M95128-DFMC6TG | 0,7500 | | 5 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-UFDFN PAD EXPOSTO | M95128 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8-ufdfpn (2x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 20 MHz | Não Volátil | 128kbit | EEPROM | 16k x 8 | Spi | 5ms | |||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C tr | 56.5050 | | 1283 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 556-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 556-WFBGA (12,4x12.4) | download | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: Ctr | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 64GBIT | 3,5 ns | Dram | 1g x 64 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | MT53E256M16D1FW-046 WT: B TR | 7.4850 | | 5256 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | download | 557-MT53E256M16D1FW-046WT: BTR | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 4gbit | 3,5 ns | Dram | 256m x 16 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT29F8T08EWLEEM5-T: E TR | 171.6300 | | 8452 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C. | - | - | Flash - NAND (TLC) | - | - | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-T: ETR | 1.500 | Não Volátil | 8tbit | Clarão | 1T x 8 | Paralelo | - | |||||||||
 | 24AA1026-I/P. | 4.5300 | | 3446 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 24AA1026 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 24AA1026IP | Ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | Não Volátil | 1Mbit | 900 ns | EEPROM | 128k x 8 | I²C | 5ms | |
| GD25LB512MEYIGR | 4.6509 | | 1068 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | download | 1970-GD25LB512Meyigrtr | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | ||||||||
 | MT41J128M16JT-125: K tr | 5.3700 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | MT41J128M16 | Sdram - ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Volátil | 2gbit | 13,75 ns | Dram | 128m x 16 | Paralelo | - | ||
| A2884834-C | 62.5000 | | 8089 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-A2884834-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IS43DR16640A-3DBL | - | | 8828 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 84-TFBGA | IS43DR16640 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 84-TWBGA (8x13.65) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 333 MHz | Volátil | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| IS43R86400F-5TL-TR | 3.2532 | | 7255 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | Sdram - ddr | 2.3V ~ 2,7V | 66-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS43R86400F-5TL-TR | 1.500 | 200 MHz | Volátil | 512MBIT | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Sstl_2 | 15ns |
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