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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | SiC Programmable | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V547S100pfi | - |  | 2380 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | 71V547 | SRAM - Síncrono, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | ALCANCE AFETADO | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 4,5Mbbit | 10 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||||
 | MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 | 4.7133 | | 2635 | 0,00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MB85RS2 | Fram (Ram Ferroelética) | 1.7V ~ 3,6V | 8-SOP | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 865-MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 40 MHz | Não Volátil | 2MBIT | 9 ns | Fram | 256k x 8 | Spi | 400µs | ||||
 | Mtfc32gjded-3m wt | - | | 3571 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Bandeja | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 169-VFBGA | MTFC32G | Flash - NAND | 1,65V ~ 3,6V | 169-VFBGA (14x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8523.51.0000 | 980 | Não Volátil | 256 gbit | Clarão | 32g x 8 | Mmc | - | ||||||
 | S25FL064LABMFM001 | 3.5658 | | 4638 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q100, FL-L | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | S25FL064 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 705 | 108 MHz | Não Volátil | 64MBIT | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | - | |||||
 | MT62F1G32D4DS-031 AAT: b | 32.5650 | | 2651 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C. | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT: b | 1 | 3.2 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||||||||
 | GS8162Z36DGD-250IV | 43.5167 | | 5898 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 165 lbga | GS8162Z36 | SRAM - Síncrono, ZBT | 1.7V ~ 2V, 2,3V ~ 2,7V | 165-FPBGA (15x13) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 2364-GS8162Z36DGD-250IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250 MHz | Volátil | 18Mbit | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||||
| S34ML01G200TFB000 | - | | 1716 | 0,00000000 | SkyHigh Memory Limited | - | Bandeja | Descontinuado no sic | S34ML01 | - | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | 2120-S34ML01G200TFB000 | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 96 | Não Verificado | |||||||||||||||||
 | CY7C1413UV18-300BZXC | 67.2400 | | 221 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1413 | SRAM - Síncrono, QDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | - | Não Aplicável | 3A991B2A | 1 | 300 MHz | Volátil | 36Mbbit | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | Não Verificado | |||||||
 | N25Q032A13EF640F TR | - | | 9737 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8-VDFN | N25Q032A13 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-VDFN (6x5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Não Volátil | 32Mbit | Clarão | 8m x 4 | Spi | 8ms, 5ms | |||||
| NDS76PT5-20ET TR | 2.0259 | | 2716 | 0,00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | Sdram | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | - | 1982-NDS76PT5-20ETTR | 1.000 | 200 MHz | Volátil | 128Mbit | Dram | 4m x 32 | Lvttl | - | ||||||||||
 | MX25V4006EM1I-13G | 0,4900 | | 161 | 0,00000000 | Macronix | MX25XXX05/06 | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MX25V4006 | Flash - NEM | 2,35V ~ 3,6V | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 98 | 75 MHz | Não Volátil | 4MBIT | Clarão | 512k x 8 | Spi | 50µs, 1ms | |||||
 | S29GL512P10TFIR10 | - | | 4296 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | S29GL512 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 56-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 2832-S29GL512P10TFIR10 | 1 | Não Volátil | 512MBIT | 100 ns | Clarão | 32m x 16 | Paralelo | 100ns | Não Verificado | |||||||
 | S25FL256SAGBHIC00 | 3.2256 | | 2 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fl | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | S25FL256 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 24-BGA (8x6) | download | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 1 | 133 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s | - | Não Verificado | |||||||
 | CY7C1353S-100AXCT | - | | 8487 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | CY7C1353 | SRAM - Síncrono, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 100 MHz | Volátil | 4,5Mbbit | 8 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | ||||
 | FM25C160ULM8 | 0,5100 | | 2244 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FM25C160 | EEPROM | 2.7V ~ 5,5V | 8-SOIC | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | Não Volátil | 16kbit | EEPROM | 2k x 8 | Spi | 15ms | |||||
| A2C0006273800 a | - | | 8722 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | - | - | Alcançar Não Afetado | A2C0006273800A | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||
 | MT53E768M32D4DT-046 AAT: e | 29.2650 | | 4217 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-VFBGA | MT53E768 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | MT53E768M32D4DT-046AAT: e | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volátil | 24 gbit | Dram | 768m x 32 | - | - | ||||
| Nlq46pfs-6nit tr | 15.2500 | | 2 | 0,00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr4 | 1,06V ~ 1,17V, 1,7V ~ 1,95V | 200-FBGA (10x14.5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.6 GHz | Volátil | 4gbit | 3,5 ns | Dram | 256m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||||
| 7024S20pfg | - | | 9319 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | 7024S20 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-7024S20PFG | Obsoleto | 1 | Volátil | 64kbit | 20 ns | Sram | 4K x 16 | Paralelo | 20ns | ||||||||
| GD25WQ128EWIGY | 1.3445 | | 6874 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 3,6V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD25WQ128EWIGY | 5.700 | 104 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 8 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | 120µs, 4ms | |||||||||
| CG8231AA | - | | 8079 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Descontinuado no sic | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||
| Mt29f4t08euleem4-m: e | 85.7850 | | 8880 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | Não Verificado | - | 557-mt29f4t08euleem4-m: e | 1 | ||||||||||||||||||||||
| N25Q032A13EF840E | - | | 6423 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8-VDFN | N25Q032A13 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | Não Volátil | 32Mbit | Clarão | 8m x 4 | Spi | 8ms, 5ms | ||||||
| CY7C1440AV33-167BZC | 51.9800 | | 183 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1440 | SRAM - Síncrono, SDR | 3.135V ~ 3,6V | 165-FBGA (15x17) | download | Rohs Não Compatível | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 167 MHz | Volátil | 36Mbbit | 3,4 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | Não Verificado | |||||
 | CAT24C01BWI | - | | 1909 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | CAT24C01 | EEPROM | 1.8V ~ 6V | 8-SOIC | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | 400 kHz | Não Volátil | 1kbit | 1 µs | EEPROM | 128 x 8 | I²C | 10ms | |||||
 | Mt48h8m16lfb4-6 it: k tr | - | | 8553 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1.7V ~ 1,95V | 54-VFBGA (8x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 1.000 | 166 MHz | Volátil | 128Mbit | 5 ns | Dram | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | DS1250W-100+ | 91.3355 | | 7847 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./maxim Integrado | - | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Através do buraco | Módulo de 32-DIP (0.600 ", 15,24mm) | DS1250W | NVSRAM (SRAM Não Volátil) | 3V ~ 3,6V | 32-EDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | Não Volátil | 4MBIT | 100 ns | NVSRAM | 512k x 8 | Paralelo | 100ns | |||||
 | IS46TR16128A-15HBLA2 | - | | 4514 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | IS46TR16128 | Sdram - ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Volátil | 2gbit | 20 ns | Dram | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
| IS43TR82560DL-107MBL-TR | 4.1340 | | 6752 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 78-TWBGA (8x10,5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR82560DL-107MBL-TR | 2.000 | 933 MHz | Volátil | 2gbit | 20 ns | Dram | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | |||||||
 | Mtfc8gamalbh-aat es tr | - | | 6870 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 153-TFBGA | Mtfc8 | Flash - NAND | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 1 (ilimito) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 64GBIT | Clarão | 8g x 8 | Mmc | - |
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