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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43LD16128C-18BLI | 10.5177 |  | 4351 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14V ~ 1,3V, 1,7V ~ 1,95V | 134-TFBGA (10x11,5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 706-IS43LD16128C-18BLI | 171 | 533 MHz | Volátil | 2gbit | 5,5 ns | Dram | 128m x 16 | Hsul_12 | 15ns | |||||
 | IS42S16800D-75ETLI | - | | 6290 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 108 | 133 MHz | Volátil | 128Mbit | 6,5 ns | Dram | 8m x 16 | Paralelo | - | |||
 | GD25R64EWIGR | 1.2636 | | 4714 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25R | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (5x6) | - | 1970-GD25R64EWIGRTR | 3.000 | 200 MHz | Não Volátil | 64MBIT | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s | - | |||||||||
| S26361-F3843-E617-C | 110.0000 | | 1466 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-S26361-F3843-E617-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| SST26VF032BT-104V/TD | - | | 7162 | 0,00000000 | Microchip Technology | SST26 SQI® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | SST26VF032 | Clarão | 2.7V ~ 3,6V | 24-TBGA (6x8) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-SST26VF032BT-104V/TDTR | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 104 MHz | Não Volátil | 32Mbit | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s | 1,5ms | ||||
 | CY7C1480V33-167AXCT | - | | 8944 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | CY7C1480 | SRAM - Síncrono, SDR | 3.135V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x20) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 167 MHz | Volátil | 72MBIT | 3,4 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | |||
 | S70FS01GSAGBHB210 | 16.5550 | | 6905 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q100, FS-S | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | S70FS01 | Flash - NEM | 1.7V ~ 2V | 24-BGA (8x6) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.690 | 133 MHz | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 128m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||||
 | MT58L512Y36PT-5 | 18.3500 | | 423 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | SRAM - Padrão | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volátil | 18Mbit | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||||
| GD25UF64EQIGR | 1.0390 | | 6007 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25UF | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.14V ~ 1,26V | 8-USON (4x4) | - | 1970-GD25UF64EQIGRTR | 3.000 | 120 MHz | Não Volátil | 64MBIT | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s, dtr | - | |||||||||
 | Cat24c16li-g | - | | 6833 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CAT24C16 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8-PDIP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | Não Volátil | 16kbit | 900 ns | EEPROM | 2k x 8 | I²C | 5ms | ||||
 | IDT71V256SA10Y8 | - | | 9696 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 28-BSOJ (0.300 ", 7,62 mm de largura) | IDT71V256 | SRAM - Assíncrono | 3V ~ 3,6V | 28-SOJ | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 71V256SA10Y8 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 256kbit | 10 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 10ns | |||
| 93AA46C/S15K | - | | 5449 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Morrer | 93AA46 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 3 MHz | Não Volátil | 1kbit | EEPROM | 128 x 8, 64 x 16 | Micro -onda | 6ms | ||||
| 72141S35p | - | | 8522 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Última Vez compra | - | 800-72141S35p | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | CAT24C08YE-GT3 | - | | 7639 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | CAT24C08 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8-TSSOP | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | Não Volátil | 8kbit | 900 ns | EEPROM | 1k x 8 | I²C | 5ms | |||
| 70824S25pfi8 | - | | 3746 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 80-LQFP | Sram | 4.5V ~ 5,5V | 80-TQFP (14x14) | - | 800-70824S25pfi8tr | 1 | 33,3 MHz | Volátil | 64kbit | 25 ns | Sram | 4K x 16 | Paralelo | 25ns | ||||||||
 | R1LV5256ESA-7SI#S0 | - | | 9503 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 28-TSSOP (0,465 ", 11,80 mm de largura) | R1LV5256 | Sram | 2.7V ~ 3,6V | 28-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 256kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||
 | W25N01GVSFIG | 2.9002 | | 5483 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | W25N01 | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W25N01GVSFIG | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | Não Volátil | 1Gbit | 7 ns | Clarão | 128m x 8 | Spi - quad e/s | 700µs | ||
 | CAT24C64YI-GT3 | - | | 4451 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | CAT24C64 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8-TSSOP | download | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | Não Volátil | 64kbit | 400 ns | EEPROM | 8k x 8 | I²C | 5ms | ||||||
 | Mt46v64m8tg-5b It: j | - | | 1835 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2.5V ~ 2,7V | 66-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 200 MHz | Volátil | 512MBIT | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
 | W956D8MBYA5I TR | 1.6344 | | 6956 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | W956D8 | Hyperram | 1.7V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W956D8MBYA5ITR | Ear99 | 8542.32..0002 | 2.000 | 200 MHz | Volátil | 64MBIT | 35 ns | Dram | 8m x 8 | Hyperbus | 35ns | ||
 | CY7C1518KV18-333BZXI | 164.7600 | | 662 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1518 | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1 | 333 MHz | Volátil | 72MBIT | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | Não Verificado | |||||
| 71V25761Y5S200pfg | - | | 4459 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | 71V25761 | SRAM - Síncrono, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20) | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volátil | 4,5Mbbit | 3.1 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
| GD55WR512MEYIGY | 4.8228 | | 7672 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55WR | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD55WR512Meyigy | 4.800 | 104 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/s | - | |||||||||
 | R1EX24512asas0i#S0 | 6.0100 | | 467 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | ||||||||||||||||||
 | AT49BV320C-70CU | - | | 5485 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 47-VFBGA, CSBGA | AT49BV320 | Clarão | 2,65V ~ 3,6V | 47-CBGA (7x10) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 276 | Não Volátil | 32Mbit | 70 ns | Clarão | 2m x 16 | Paralelo | 120µs | ||||
| 5962-3829416MXA | - | | 4372 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Através do buraco | 28-CDIP (0.600 ", 15,24mm) | 5962-3829416 | SRAM - Síncrono | 4.5V ~ 5,5V | 28-CDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 800-5962-3829416MXA | Obsoleto | 13 | Volátil | 64kbit | 19 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
 | 70V06L20PFGI | 55.1936 | | 2906 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-LQFP | 70V06 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 3V ~ 3,6V | 64-TQFP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | Volátil | 128kbit | 20 ns | Sram | 16k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
 | CY7C199-35SI | 1.5900 | | 4 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | CY7C199 | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 256kbit | 35 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 35ns | |||||||
| M3004316035NX0ITBY | 12.0193 | | 7209 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C. | Montagem na Superfície | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | MRAM (Ram Magnetoresistiva) | 2.7V ~ 3,6V | 54-TSOP | - | ROHS3 Compatível | 800-M3004316035NX0ITBY | 96 | Não Volátil | 4MBIT | 35 ns | Bater | 256k x 16 | Paralelo | 35ns | ||||||||
 | SST25VF080B-50-4I-QAE-T | 1.6000 | | 7456 | 0,00000000 | Microchip Technology | SST25 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | SST25VF080 | Clarão | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.000 | 50 MHz | Não Volátil | 8MBIT | Clarão | 1m x 8 | Spi | 10µs |
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