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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS45S32200L-6TLA1-TR | 4.2943 |  | 7688 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | IS45S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 1.500 | 166 MHz | Volátil | 64MBIT | 5.4 ns | Dram | 2m x 32 | Paralelo | - | |||
 | 71321LA20TFG | 31.7634 | | 6689 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-LQFP | 71321la | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 64-TQFP (10x10) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 40 | Volátil | 16kbit | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
 | GS8182T18BGD-300I | 27.9022 | | 4609 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | GS8182T18 | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FPBGA (15x13) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 2364-GS8182T18BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 300 MHz | Volátil | 18Mbit | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
 | Mt62f1g32d4ds-031 it: b tr tr | 25.6350 | | 9353 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C. | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031IT: BTR | 2.000 | 3.2 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Paralelo | - | |||||||||
 | 71V546S133PF | 1.6600 | | 986 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Volume | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | 71V546 | SRAM - Síncrono, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | ALCANCE AFETADO | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 4,5Mbbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
 | CY7C11701KV18-450BZXC | 36.3100 | | 265 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-CY7C11701KV18-450BZXC-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | IS43TR82560C-15HBLI-TR | 5.7744 | | 9816 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | IS43TR82560 | Sdram - ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10,5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 667 MHz | Volátil | 2gbit | 20 ns | Dram | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| DS2433AX-S#T. | - | | 5101 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./maxim Integrado | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 6-XBGA, FCBGA | DS2433 | EEPROM | - | 6-FlipChip (2.82x2.54) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | Não Volátil | 4kbit | 2 µs | EEPROM | 256 x 16 | 1-Wire® | - | ||||
 | MT29F2T08GELBEJ4: b | - | | 1328 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - NAND (TLC) | 2.7V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08GELBEJ4: b | Obsoleto | 1.120 | Não Volátil | 2tbit | Clarão | 256g x 8 | Paralelo | - | ||||||||
| GD25Q32ENEGR | 0,8705 | | 6144 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-AUDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-USON (3x4) | download | 1970-GD25Q32ENEGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 32Mbit | 7 ns | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s | 140µs, 4ms | ||||||||
| S99GL01GT11DHB010 | - | | 4651 | 0,00000000 | Analog Devices Inc. | - | Volume | Ativo | - | 2156-S99GL01GT11DHB010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR | 8.5785 | | 7042 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFBGA | SRAM - Assíncrono | 2.4V ~ 3,6V | 48-TFBGA (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR | 2.500 | Volátil | 16MBIT | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 10ns | |||||||
| M3004316045NX0IBCY | 14.8800 | | 293 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C. | Montagem na Superfície | 48-LFBGA | M3004316045 | MRAM (Ram Magnetoresistiva) | 2.7V ~ 3,6V | 48-FBGA (10x10) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 800-M3004316045NX0IBCY | Ear99 | 8542.32.0071 | 168 | Não Volátil | 4MBIT | 45 ns | Bater | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | |||
 | IS63LV1024L-10T | - | | 4521 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Descontinuado no sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 32-SOIC (0,400 ", 10,16 mm de largura) | IS63LV1024 | SRAM - Assíncrono | 3V ~ 3,6V | 32-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 117 | Volátil | 1Mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 10ns | ||||
| K6F1616U6A-EF55T | 6.5000 | | 650 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SRAM - Assíncrono | 2.7V ~ 3,6V | 48-TFBGA (7,5X9.5) | - | 3277-K6F1616U6A-EF55TTR | Ear99 | 8542.32.0041 | 100 | Volátil | 16MBIT | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 55ns | Não Verificado | ||||||||
| S25FS064SDSMFA010 | - | | 1139 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Volume | Ativo | - | 2156-S25FS064SDSMFA010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MEM-7201-1GB = -C | 25.0000 | | 1382 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-MEM-7201-1GB = -C | Ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS21TF64G-JCLI | 70.8800 | | 147 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 153-VFBGA | IS21TF64G | Flash - NAND (TLC) | 2.7V ~ 3,6V | 153-VFBGA (11,5x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 706-IS21TF64G-JCLI | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | Não Volátil | 512Gbit | Clarão | 64g x 8 | Mmc | - | |||
 | C-1333D3DRLPR/16G | 37.0000 | | 2118 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-C-1333D3DRLPR/16G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Nm93c46ln | 0,4100 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 93C46 | EEPROM | 2.7V ~ 5,5V | 8-DIP | download | Não Aplicável | Ear99 | 8542.32.0051 | 40 | 250 kHz | Não Volátil | 1kbit | EEPROM | 64 x 16 | Micro -onda | 15ms | ||||||
 | S25FL256LDPBHI020 | 4.1600 | | 500 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fl-l | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | S25FL256 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 24-BGA (8x6) | download | 73 | 66 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | - | Não Verificado | ||||||||
 | W631GG6MB12J TR | - | | 1498 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-VFBGA | W631GG6 | Sdram - ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-VFBGA (7,5x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W631GG6MB12JTR | Obsoleto | 3.000 | 800 MHz | Volátil | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||
| 38048555-C | 110.0000 | | 4097 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-38048555-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MX25U3232FZBI02 | 1.0900 | | 2 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-AUDFN PAD EXPOSTO | MX25U3232 | Flash - NEM | 1.65V ~ 2V | 8-USON (4x3) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1092-MX25U3232FZBI02TR | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 5.000 | 133 MHz | Não Volátil | 32Mbit | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 40µs, 3ms | |||
| MT29F8T08GULCEM4-QA: c | 156.3000 | | 4244 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QA: c | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | EMMC64G-IX29-8AC01 | 23.7300 | | 6242 | 0,00000000 | Kingston | I-temp e • mmc ™ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 153-BGA | Emmc64g | Flash - NAND (TLC) | 1.8V ~ 3,3V | 153-FBGA (11,5x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3217-EMMC64G-IX29-8AC01 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | Não Volátil | 512Gbit | Clarão | 64g x 8 | Emmc | ||||||
| 5962-8866516ZA | - | | 3812 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Através do buraco | 68-BPGA | 5962-8866516 | SRAM - PORTA DUPLA, SÍNCRONA | 4.5V ~ 5,5V | 68-PGA (29.46x29.46) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 800-5962-8866516ZA | Obsoleto | 3 | Volátil | 32kbit | 35 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 35ns | ||||
| GD25B512MEF2ry | 6.7702 | | 9276 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 16-SOP | - | 1970-GD25B512MEF2ry | 1.760 | 133 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | |||||||||
 | M95320-DRDW3TP/K. | 1.1100 | | 9268 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | M95320 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 20 MHz | Não Volátil | 32kbit | EEPROM | 4k x 8 | Spi | 4ms | ||||
 | S29GL128S10TFI010 | 4.8000 | | 2434 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-S | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | S29GL128 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 56-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 2832-S29GL128S10TFI010 | 1 | Não Volátil | 128Mbit | 100 ns | Clarão | 8m x 16 | Paralelo | 60ns | Verificado |
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