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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY7C1318KV18-333BZC | 30.6800 |  | 1 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1318 | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 333 MHz | Volátil | 18Mbit | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | Não Verificado | |||||
 | MT45W4MW16BCGB-701 IT TR | - | | 3622 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo SRAM) | 1.7V ~ 1,95V | 54-VFBGA (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 64MBIT | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | CY14B104M-ZSP45XI | 37.1900 | | 9879 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | CY14B104 | NVSRAM (SRAM Não Volátil) | 2.7V ~ 3,6V | 54-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 108 | Não Volátil | 4MBIT | 45 ns | NVSRAM | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||
 | MX25V16066M2J02 | 0,4416 | | 4369 | 0,00000000 | Macronix | - | Tubo | Ativo | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX25V16066M2J02 | 92 | |||||||||||||||||||||
 | W25Q16JWZPIQ | 0,5829 | | 1833 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | W25Q16 | Flash - NEM | 1,65V ~ 1,95V | 8-WSON (6x5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W25Q16JWZPIQ | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | Não Volátil | 16MBIT | Clarão | 2m x 8 | Spi - quad e/s | 3ms | |||
 | CY7C1513KV18-300BZI | - | | 9847 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1513 | SRAM - Síncrono, QDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 MHz | Volátil | 72MBIT | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
 | AS4C512M8D3LA-12BAN | - | | 2516 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-VFBGA | AS4C512 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 78-FBGA (9x10.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 MHz | Volátil | 4gbit | 20 ns | Dram | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT58L512Y32DT-6 | 18.9400 | | 122 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | MT58L512Y32 | Sram | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volátil | 18Mbit | 3,5 ns | Sram | 512k x 32 | Paralelo | - | |||
 | IS39LV040-70VCE | - | | 7245 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 32-TFSOP (0,488 ", 12,40 mm de largura) | IS39LV040 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 32-VSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | Não Volátil | 4MBIT | 70 ns | Clarão | 512k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||
| MT53E768M32D2FW-046 AAT: C TR | 32.0250 | | 3941 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AAT: Ctr | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
 | 24LC014HT-I/MS | 0,4050 | | 9878 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) | 24LC014H | EEPROM | 2,5V ~ 5,5V | 8 msop | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | Não Volátil | 1kbit | 400 ns | EEPROM | 128 x 8 | I²C | 5ms | |||
| GD25LQ32ENEGR | 0,9545 | | 9190 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-AUDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x4) | download | 1970-GD25LQ32ENEGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 32Mbit | 6 ns | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 100µs, 4ms | ||||||||
 | MX25U1632FBHI02 | 0.6088 | | 3817 | 0,00000000 | Macronix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFBGA, WLCSP | MX25U1632 | Flash - NEM | 1.65V ~ 2V | 8-WLCSP | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1092-MX25U1632FBHI02TR | Ear99 | 8542.32.0071 | 6.000 | 133 MHz | Não Volátil | 16MBIT | 6 ns | Clarão | 2m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 40µs, 3ms | ||
| W634GU8QB11I TR | 5.9850 | | 1170 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-VFBGA | W634GU8 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 78-VFBGA (8x10,5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W634GU8QB11itr | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volátil | 4gbit | 20 ns | Dram | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | 70V28L20PFG | 111.0550 | | 5120 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Última Vez compra | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | 70V28 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 3V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x14) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volátil | 1Mbit | 20 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||
 | CY7C1512AV18-200BZI | - | | 1117 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1512 | SRAM - Síncrono, QDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (15x17) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volátil | 72MBIT | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
 | Mt29f2g16abbeahc: e tr | - | | 9183 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | MT29F2G16 | Flash - NAND | 1.7V ~ 1,95V | 63-VFBGA (10,5x13) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 2gbit | Clarão | 128m x 16 | Paralelo | - | |||||
| GD55T01GEB2ry | 16.8378 | | 8172 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55T | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55T01GEB2ry | 4.800 | 200 MHz | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 128m x 8 | Spi - quad e/s, dtr | - | |||||||||
 | IS42SM32200K-6BLI | - | | 8241 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 90-TFBGA | IS42SM32200 | SDRAM - Mobile | 2.7V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 240 | 166 MHz | Volátil | 64MBIT | 5,5 ns | Dram | 2m x 32 | Paralelo | - | |||
 | IS61QDB21M36-250M3 | - | | 2396 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Descontinuado no sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | IS61QDB21 | SRAM - Síncrono, Quad | 1,71V ~ 1,89V | 165-LFBGA (15x17) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volátil | 36Mbbit | 7,5 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | |||
| N25Q00AA13G1241E | - | | 6210 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24 lbga | N25Q00AA13 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 24-lpbga (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 256m x 4 | Spi | 8ms, 5ms | ||||
| IS46TR16256BL-107MBLA1 | 8.9696 | | 8044 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-TWBGA (9x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16256BL-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | Volátil | 4gbit | 20 ns | Dram | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
| Mt40a16g4wpf-062h: b tr | 194.0100 | | 5362 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT40A16G4 | Sdram - ddr4 | - | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 557-MT40A16G4WPF-062H: BTR | 8542.32.0071 | 3.000 | 1.6 GHz | Volátil | 64GBIT | Dram | 16g x 4 | - | - | ||||||||
| 24FC64F-I/MS | 0,5700 | | 9945 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) | 24FC64 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8 msop | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 24FC64FIMS | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Não Volátil | 64kbit | 400 ns | EEPROM | 8k x 8 | I²C | 5ms | ||
| W25Q64JVZPAQ | - | | 4091 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | W25Q64 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x5) | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W25Q64JVZPAQ | 1 | 133 MHz | Não Volátil | 64MBIT | 6 ns | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s | 3ms | |||||
| W74M25JWZPIQ TR | 3.7350 | | 8226 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C. | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | W74M25 | Flash - NAND | 1.7V ~ 1,95V | 8-WSON (6x5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W74M25JWZPIQTR | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 5.000 | 104 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | - | - | |||
| MT58L256L36FS-7.5 | 5.2800 | | 15 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | SRAM - Padrão | 3.135V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | Volátil | 8MBIT | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | 71V416L10YG8 | - | | 5430 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm de largura) | 71V416L | SRAM - Assíncrono | 3V ~ 3,6V | 44-SOJ | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | Volátil | 4MBIT | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
 | CAT25C128V-1.8-26604 | 0,1400 | | 11 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | CAT25C128 | EEPROM | 1.8V ~ 6V | 8-SOIC | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-CAT25C128V-1.8-26604-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 5 MHz | Não Volátil | 128kbit | 80 ns | EEPROM | 16k x 8 | Spi | 5ms | |||
| EDFP112A3PB-GDTJ-FD | - | | 9647 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | EDFP112 | Sdram - Móvel lpddr3 | 1.14V ~ 1,95V | - | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 800 MHz | Volátil | 24 gbit | Dram | 192m x 128 | Paralelo | - |
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