SIC
close
  • Lar
  • Blogue
  • Diodos Incorporados MMBF170-7-F MOSFET

1739947563896646.png

Diodos Incorporados MMBF170-7-F MOSFET


O MOSFET MMBF170-7-F é um componente versátil e confiável. Ele combina recursos de manuseio de alta corrente com baixa resistência, apresentando uma solução eficiente para gerenciamento de energia em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos. Com sua polaridade de transistor de canal N e tipo de transistor de aprimoramento, ele é bem adaptado para aplicações que exigem controle preciso sobre o fluxo de corrente. A tensão de 10V Vgs Rds na medição garante desempenho preciso em diferentes condições operacionais, e o estilo de caixa SOT - 23 facilita a integração em vários layouts de circuito.


Otimizado para operações de alta velocidade e baixa tensão, oferece excelente desempenho em comutação de sinais analógicos e digitais. Além disso, como um transistor de efeito de campo projetado para aplicações de baixa potência, o chip MMBF170-7-F apresenta uma baixa tensão de limiar e alta impedância de entrada, tornando-o uma escolha ideal para uso em amplificadores e circuitos controlados por tensão. Seu tamanho pequeno e alta confiabilidade o tornam uma escolha comum em dispositivos eletrônicos portáteis e aplicações de sensores. Confie no MOSFET MMBF170-7-F para seus próximos projetos eletrônicos.

Diodos Incorporados Recursos do MMBF170-7-F

  • MOSFET de canal N
  • Operação 60V
  • manipulação atual 0.5A
  • Embalagem de fita e bobina

Diodos Incorporados Aplicações do MMBF170-7-F

  • Troca de aplicativos
  • Proteção Sóliton
  • Circuitos Tolerantes a Falhas

1739948628201141.png


Atributos de diodos incorporados MMBF170-7-F

Categoria de produtoMOSFETRoHSDetalhes
TecnologiaSiEstilo de montagemSMD/SMT
Pacote/CasoSOT-23-3Polaridade do transistorCanal N
Número de canais1 canalVds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem60 V
Id - Corrente de Drenagem Contínua200 mARds On - Resistência Fonte de Dreno5 Ohms
Vgs - Tensão Gate-Fonte- 20 V, + 20 VVgs th - Tensão limite da porta-fonte800 mV
Temperatura Mínima de Operação- 55ºCTemperatura máxima de operação+ 150ºC
Pd - Dissipação de Energia300 mWModo de canalAprimoramento
SérieMMBF170MarcaDiodos Incorporados
ConfiguraçãoSolteiroTranscondutância direta - Mín.80mS
Altura1mmComprimento2,9mm
ProdutoMOSFET Pequenos SinaisTipo de produtoMOSFET
Quantidade do pacote de fábrica3.000SubcategoriaMOSFETs
Tipo de transistor1 Canal NTipoTransistor de efeito de campo de modo de aprimoramento
Tempo típico de atraso de desligamento10 nsTempo típico de atraso de ativação10 ns
Largura1,3 mmPeso unitário0,000282 onças

Diodos IncorporadosFolha de dados do MMBF170-7-F

1739947885965243.png


Diodos IncorporadosMMBF170-7-FCategoria-FETs, MOSFETs

Metal - Óxido - Semicondutor Transistores de efeito de campo (MOSFETs, abreviadamente) são um tipo de semicondutor comumente usado em circuitos digitais e analógicos e também são dispositivos de energia úteis. Como transistor compacto original, os MOSFETs são adequados para uma ampla gama de aplicações elétricas.

Há muito se acredita que muitos avanços tecnológicos no século 21 não teriam sido possíveis sem os MOSFETs. Os MOSFETs são mais amplamente utilizados que os transistores de junção bipolares (BJTs) porque requerem muito pouca corrente de controle para a corrente de carga. A condutividade de um MOSFET de modo de aprimoramento pode ser aumentada no estado "normalmente desligado". A tensão aplicada através da porta pode minimizar a condutividade no estado “normalmente ligado”. O processo de miniaturização dos MOSFETs é relativamente simples e seu tamanho pode ser efetivamente reduzido para aplicações compactas.

Outras vantagens dos MOSFETs incluem comutação rápida (especialmente para sinais digitais), consumo mínimo de energia e capacitância de alta densidade, o que os torna uma escolha ideal para integração em larga escala.

MOSFETs são os principais componentes dos circuitos integrados. Graças à sua miniaturização, podem ser projetados e fabricados em um único chip. Os MOSFETs em um chip de circuito integrado são quatro elementos terminais, ou seja, a fonte (S), a porta (G), o dreno (D) e o corpo (B). O corpo geralmente é conectado à fonte, permitindo que o MOSFET funcione como um transistor de efeito de campo. Existem basicamente dois tipos de transistores. Um é o Transistor de Junção Bipolar (BJT) e o outro é o Transistor de Efeito de Campo (FET). Os MOSFETs pertencem ao tipo de transistor de efeito de campo. Os BJTs são geralmente usados ​​para correntes abaixo de 1 ampere; MOSFETs são normalmente usados ​​para aplicações com correntes maiores.

Existem dois tipos de MOSFETs: modo de esgotamento e modo de aprimoramento. O MOSFET em modo de esgotamento funciona como uma chave fechada. Uma tensão positiva gera uma corrente operacional e uma tensão negativa interrompe a corrente operacional. O modo de aprimoramento MOSFET é um tipo comumente usado em aplicações modernas. Como mencionado anteriormente, um MOSFET é um dispositivo usado para comutar ou amplificar sinais elétricos. Isto pode ser conseguido alterando a condutividade, que pode ser alterada variando a tensão aplicada.

Os MOSFETs são os transistores mais comumente usados ​​em circuitos digitais e podem atingir integração de milhões de níveis em chips de memória ou microprocessadores. Além disso, os transistores MOSFET são comumente usados ​​como chaves em circuitos controlados por tensão. Acredita-se que o surgimento dos MOSFETs tenha contribuído para o desenvolvimento de uma série de dispositivos tecnológicos, como calculadoras de bolso e relógios de pulso digitais.

Fabricante de MMBF170LT1G - Diodos Incorporados

A ONsemi está impulsionando inovações em eficiência energética, capacitando os clientes a reduzir o uso global de energia. A empresa oferece um portfólio abrangente de soluções de gerenciamento de sinal e energia com eficiência energética, soluções lógicas, discretas e personalizadas para ajudar os engenheiros de projeto a resolver seus desafios exclusivos de projeto em aplicações automotivas, de comunicações, de computação, de consumo, industriais, de iluminação LED, médicas, militares/aeroespaciais e de fornecimento de energia. A onsemi opera uma cadeia de suprimentos e um programa de qualidade responsivos, confiáveis ​​e de classe mundial, além de uma rede de instalações de fabricação, escritórios de vendas e centros de design nos principais mercados da América do Norte, Europa e regiões da Ásia-Pacífico.

Produtos mais vendidos da SIC

AUIRFS3004                               IXFH30N40Q                        IXFH32N50Q                          IXFH88N20Q                        IXUN280N10                          IXUV170N075

IXTH220N075T                           SI8413DB-T1-E1                    SIA810DJ-T1-E3                     SI4398DY-T1-E3                  IRF9Z24NSTRLPBF                  IRFS3307TRLPBF


As informações do produto são deSIC Eletrônica Limitada. Se você estiver interessado no produto ou precisar de parâmetros do produto, pode entrar em contato conosco online a qualquer momento ou enviar-nos um e-mail: sales@sic-components.com.

Etiquetas: MMBF170-7-F
Anterior:ONsemi MMBF170
O MMBF170 é um transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento N - Channel topo de linha da ON Semiconductor, criado usando sua tecnologia DMOS avançada...
Próximo:Nexperia USA Inc.
O MMBF170 é um transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento N - Channel topo de linha da ON Semiconductor, criado usando sua tecnologia DMOS avançada...
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque