Diodos Incorporados MMBF170-7-F MOSFET
O MOSFET MMBF170-7-F é um componente versátil e confiável. Ele combina recursos de manuseio de alta corrente com baixa resistência, apresentando uma solução eficiente para gerenciamento de energia em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos. Com sua polaridade de transistor de canal N e tipo de transistor de aprimoramento, ele é bem adaptado para aplicações que exigem controle preciso sobre o fluxo de corrente. A tensão de 10V Vgs Rds na medição garante desempenho preciso em diferentes condições operacionais, e o estilo de caixa SOT - 23 facilita a integração em vários layouts de circuito.
Otimizado para operações de alta velocidade e baixa tensão, oferece excelente desempenho em comutação de sinais analógicos e digitais. Além disso, como um transistor de efeito de campo projetado para aplicações de baixa potência, o chip MMBF170-7-F apresenta uma baixa tensão de limiar e alta impedância de entrada, tornando-o uma escolha ideal para uso em amplificadores e circuitos controlados por tensão. Seu tamanho pequeno e alta confiabilidade o tornam uma escolha comum em dispositivos eletrônicos portáteis e aplicações de sensores. Confie no MOSFET MMBF170-7-F para seus próximos projetos eletrônicos.
Diodos Incorporados Recursos do MMBF170-7-F
Diodos Incorporados Aplicações do MMBF170-7-F

Atributos de diodos incorporados MMBF170-7-F
| Categoria de produto | MOSFET | RoHS | Detalhes |
| Tecnologia | Si | Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Pacote/Caso | SOT-23-3 | Polaridade do transistor | Canal N |
| Número de canais | 1 canal | Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem | 60 V |
| Id - Corrente de Drenagem Contínua | 200 mA | Rds On - Resistência Fonte de Dreno | 5 Ohms |
| Vgs - Tensão Gate-Fonte | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Tensão limite da porta-fonte | 800 mV |
| Temperatura Mínima de Operação | - 55ºC | Temperatura máxima de operação | + 150ºC |
| Pd - Dissipação de Energia | 300 mW | Modo de canal | Aprimoramento |
| Série | MMBF170 | Marca | Diodos Incorporados |
| Configuração | Solteiro | Transcondutância direta - Mín. | 80mS |
| Altura | 1mm | Comprimento | 2,9mm |
| Produto | MOSFET Pequenos Sinais | Tipo de produto | MOSFET |
| Quantidade do pacote de fábrica | 3.000 | Subcategoria | MOSFETs |
| Tipo de transistor | 1 Canal N | Tipo | Transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento |
| Tempo típico de atraso de desligamento | 10 ns | Tempo típico de atraso de ativação | 10 ns |
| Largura | 1,3 mm | Peso unitário | 0,000282 onças |
Diodos IncorporadosFolha de dados do MMBF170-7-F
Diodos IncorporadosMMBF170-7-FCategoria-FETs, MOSFETs
Metal - Óxido - Semicondutor Transistores de efeito de campo (MOSFETs, abreviadamente) são um tipo de semicondutor comumente usado em circuitos digitais e analógicos e também são dispositivos de energia úteis. Como transistor compacto original, os MOSFETs são adequados para uma ampla gama de aplicações elétricas.
Há muito se acredita que muitos avanços tecnológicos no século 21 não teriam sido possíveis sem os MOSFETs. Os MOSFETs são mais amplamente utilizados que os transistores de junção bipolares (BJTs) porque requerem muito pouca corrente de controle para a corrente de carga. A condutividade de um MOSFET de modo de aprimoramento pode ser aumentada no estado "normalmente desligado". A tensão aplicada através da porta pode minimizar a condutividade no estado “normalmente ligado”. O processo de miniaturização dos MOSFETs é relativamente simples e seu tamanho pode ser efetivamente reduzido para aplicações compactas.
Outras vantagens dos MOSFETs incluem comutação rápida (especialmente para sinais digitais), consumo mínimo de energia e capacitância de alta densidade, o que os torna uma escolha ideal para integração em larga escala.
MOSFETs são os principais componentes dos circuitos integrados. Graças à sua miniaturização, podem ser projetados e fabricados em um único chip. Os MOSFETs em um chip de circuito integrado são quatro elementos terminais, ou seja, a fonte (S), a porta (G), o dreno (D) e o corpo (B). O corpo geralmente é conectado à fonte, permitindo que o MOSFET funcione como um transistor de efeito de campo. Existem basicamente dois tipos de transistores. Um é o Transistor de Junção Bipolar (BJT) e o outro é o Transistor de Efeito de Campo (FET). Os MOSFETs pertencem ao tipo de transistor de efeito de campo. Os BJTs são geralmente usados para correntes abaixo de 1 ampere; MOSFETs são normalmente usados para aplicações com correntes maiores.
Existem dois tipos de MOSFETs: modo de esgotamento e modo de aprimoramento. O MOSFET em modo de esgotamento funciona como uma chave fechada. Uma tensão positiva gera uma corrente operacional e uma tensão negativa interrompe a corrente operacional. O modo de aprimoramento MOSFET é um tipo comumente usado em aplicações modernas. Como mencionado anteriormente, um MOSFET é um dispositivo usado para comutar ou amplificar sinais elétricos. Isto pode ser conseguido alterando a condutividade, que pode ser alterada variando a tensão aplicada.
Os MOSFETs são os transistores mais comumente usados em circuitos digitais e podem atingir integração de milhões de níveis em chips de memória ou microprocessadores. Além disso, os transistores MOSFET são comumente usados como chaves em circuitos controlados por tensão. Acredita-se que o surgimento dos MOSFETs tenha contribuído para o desenvolvimento de uma série de dispositivos tecnológicos, como calculadoras de bolso e relógios de pulso digitais.
Fabricante de MMBF170LT1G - Diodos Incorporados
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