O MMBF170 é um transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento de canal N topo de linha da ON Semiconductor, criado usando sua avançada tecnologia DMOS. Otimizado para operações de alta velocidade e baixa tensão, ele foi projetado com foco na redução da resistência do estado ligado, oferecendo assim confiabilidade incomparável e recursos de comutação extremamente rápidos. Este MOSFET (Canal N) oferece excelente desempenho para comutação de sinais analógicos e digitais. Ideal para aplicações que exigem até 500mA DC, ele se destaca em cenários de baixa tensão e baixa corrente, como controle de servo motor pequeno e drivers de porta MOSFET de potência. Esteja você envolvido em trabalhos de eletrônica de precisão ou lidando com máquinas pesadas, o versátil MMBF170 está bem posicionado para atender às suas necessidades específicas.
Recursos do ONSemi MMBF170
Algoritmos de criptografia avançados para transmissão segura de dados
Taxa de digitalização rápida para digitalização de documentos em alta velocidade
Tecnologia de detecção inteligente para detecção precisa de objetos
Gerenciamento inteligente de energia para uso otimizado de energia
Tela de alta resolução para imagens nítidas e nítidas
Calibração ajustada para resultados de medição precisos
Aplicação do ONsemi MMBF170
Adequado para qualquer projeto
Funciona para vários usos
Uma escolha versátil de produto
Atributos de ONSemi MMBF170
| Tipo | Descrição |
|---|---|
| Categoria | Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FETs únicos, MOSFETs |
| Fabricante | onsemi |
| Embalagem | Fita e Carretel (TR) Fita Cortada (CT) |
| Status da peça | Ativo |
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | 60 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs | 5 Ohm @ 200 mA, 10 V |
| Vgs(th) (máx.) @ ID | 3V @ 1mA |
| Vgs (máx.) | ±20 V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 40 pF a 10 V |
| Dissipação de energia (máx.) | 300mW (Ta) |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem em superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 |
| Pacote/Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Número básico do produto | MMBF17 |
Ficha técnica do ONSemi MMBF170
Categoria-FETs, MOSFETs do ONSemi MMBF170LT1G
Metal - Óxido - Semicondutor Transistores de efeito de campo (MOSFETs, abreviadamente) são um tipo de semicondutor comumente usado em circuitos digitais e analógicos e também são dispositivos de energia úteis. Como transistor compacto original, os MOSFETs são adequados para uma ampla gama de aplicações elétricas.
Há muito se acredita que muitos avanços tecnológicos no século 21 não teriam sido possíveis sem os MOSFETs. Os MOSFETs são mais amplamente utilizados que os transistores de junção bipolares (BJTs) porque requerem muito pouca corrente de controle para a corrente de carga. A condutividade de um MOSFET de modo de aprimoramento pode ser aumentada no estado "normalmente desligado". A tensão aplicada através da porta pode minimizar a condutividade no estado “normalmente ligado”. O processo de miniaturização dos MOSFETs é relativamente simples e seu tamanho pode ser efetivamente reduzido para aplicações compactas.
Outras vantagens dos MOSFETs incluem comutação rápida (especialmente para sinais digitais), consumo mínimo de energia e capacitância de alta densidade, o que os torna uma escolha ideal para integração em larga escala.
MOSFETs são os principais componentes dos circuitos integrados. Graças à sua miniaturização, podem ser projetados e fabricados em um único chip. Os MOSFETs em um chip de circuito integrado são quatro elementos terminais, ou seja, a fonte (S), a porta (G), o dreno (D) e o corpo (B). O corpo geralmente é conectado à fonte, permitindo que o MOSFET funcione como um transistor de efeito de campo. Existem basicamente dois tipos de transistores. Um é o Transistor de Junção Bipolar (BJT) e o outro é o Transistor de Efeito de Campo (FET). Os MOSFETs pertencem ao tipo de transistor de efeito de campo. Os BJTs são geralmente usados para correntes abaixo de 1 ampere; MOSFETs são normalmente usados para aplicações com correntes maiores.
Existem dois tipos de MOSFETs: modo de esgotamento e modo de aprimoramento. O MOSFET em modo de esgotamento funciona como uma chave fechada. Uma tensão positiva gera uma corrente operacional e uma tensão negativa interrompe a corrente operacional. O modo de aprimoramento MOSFET é um tipo comumente usado em aplicações modernas. Como mencionado anteriormente, um MOSFET é um dispositivo usado para comutar ou amplificar sinais elétricos. Isto pode ser conseguido alterando a condutividade, que pode ser alterada variando a tensão aplicada.
Os MOSFETs são os transistores mais comumente usados em circuitos digitais e podem atingir integração de milhões de níveis em chips de memória ou microprocessadores. Além disso, os transistores MOSFET são comumente usados como chaves em circuitos controlados por tensão. Acredita-se que o surgimento dos MOSFETs tenha contribuído para o desenvolvimento de uma série de dispositivos tecnológicos, como calculadoras de bolso e relógios de pulso digitais.
Fabricante de MMBF170LT1G - ONSemi
A ONsemi está impulsionando inovações em eficiência energética, capacitando os clientes a reduzir o uso global de energia. A empresa oferece um portfólio abrangente de soluções de gerenciamento de sinal e energia com eficiência energética, soluções lógicas, discretas e personalizadas para ajudar os engenheiros de projeto a resolver seus desafios exclusivos de projeto em aplicações automotivas, de comunicações, de computação, de consumo, industriais, de iluminação LED, médicas, militares/aeroespaciais e de fornecimento de energia. A onsemi opera uma cadeia de suprimentos e um programa de qualidade responsivos, confiáveis e de classe mundial, além de uma rede de instalações de fabricação, escritórios de vendas e centros de design nos principais mercados da América do Norte, Europa e regiões da Ásia-Pacífico.
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