Sua tensão limite notavelmente baixa de 1 volt o torna a escolha ideal para cenários de baixo consumo de energia, onde minimizar o consumo de energia é de extrema importância. Complementado por uma baixa resistência de 7 ohms, o 2N7002HR é excelente na redução da dissipação de energia e no aumento da eficiência em circuitos de comutação de alta velocidade.
Alojado em um pacote compacto SOT - 23, é adequado para aplicações de montagem em superfície em diversos setores. Além disso, como um MOSFET otimizado para operações de alta velocidade e baixa tensão, ele oferece excelente desempenho em tarefas de comutação de sinais analógicos e digitais.
Características do Nexperia USA Inc.
- Baixa emissão de ruído garantida
- Design robusto e confiável
- Adequado para uso industrial
- Alcança altos níveis de desempenho
Nexperia USA Inc.Aplicativo
- Sensor atual
- Sensor de toque
- Amplificador de célula de carga
- Controlador de velocidade
Atributos de Nexperia USA Inc.
| Número de canaisv | 2 | Tensão de alimentação total (+5 V = 5, ±5 V = 10) (máx.) (V) | 30 |
| Tensão de alimentação total (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) | 7 | De trilho a trilho | Para V+ |
| GBW (tipo) (MHz) | 3 | Taxa de variação (tipo) (V/µs) | 13 |
| Vos (tensão de deslocamento a 25°C) (máx.) (mV) | 3 | QI por canal (tipo) (mA) | 1.4 |
| Vn a 1 kHz (típico) (nV√Hz) | 18 | Avaliação | Catálogo |
| Faixa de temperatura operacional (°C) | 0 a 70 | Desvio de deslocamento (típico) (µV/°C) | 18 |
| Características | Amplificadores padrão | Corrente de polarização de entrada (máx.) (pA) | 200 |
| CMRR (tipo) (dB) | 100 | Iout (tipo) (A) | 0,01 |
| Arquitetura | FET | Headroom de modo comum de entrada (para alimentação negativa) (típico) (V) | 3 |
| Headroom de modo comum de entrada (para alimentação positiva) (típico) (V) | 0 | Altura livre de oscilação de saída (para alimentação negativa) (típico) (V) | 1,5 |
| Altura livre de oscilação de saída (para alimentação positiva) (típico) (V) | -1,5 |
Ficha técnica da Nexperia USA Inc.
2N7002BKW versus 2N7002HR
| Foto |  |  |
|---|---|---|
| Número da peça | 2N7002BKW | 2N7002HR |
| Fabricante | Nexperia EUA Inc. | Nexperia EUA Inc. |
| Pacote | SC - 70,SOT - 323 | SOT23-3 |
| Descrição | 2N7002BKW N - canal MOSFET N - Canal 60 V 300mA (Tc) 830mW (Tc) Montagem em superfície TO - 236AB | N/A (não totalmente descrito no texto fonte, mas em uma parte relacionada) |
| Estoque | 9307 | 9240 |
| Digite o número | 2N7002BKW | 2N7002H |
| Nome do pacote | SC - 70 | SOT23 |
| Estado do produto | Produção | Produção |
| Tipo de canal | N | N |
| Nº de transistores | 1 | 1 |
| VDS [máx.] (V) | 60 | 60 |
| RDSon [máx] @ VGS = 10 V (mΩ) | 1600 | 1600 |
| RDSon [máx] @ VGS = 5 V (mΩ) | 2000 | 2000 |
| Tj [máx] (°C) | 150 | 150 |
| ID [máx.] (A) | 0,31 | 0,36 |
| QGD [tipo] (nC) | 0,1 | 0,1 |
| QG(tot) [tipo] @ VGS = 4,5 V (nC) | 0,5 | 0,3 |
| Ptot [máx.] (W) | 0,275 | 0,34 |
| VGSth [tipo] (V) | 1.6 | 1,75 |
| Qualificado automotivo | S | S |
| Ciss [tipo] (pF) | 33 | 34 |
| Coss [tipo] (pF) | 7 | 7 |
| Data | 2011 - 01 - 24 | 2021 - 12 - 01 |
| Número de peça solicitável | 2N7002BKW,115 | 2N7002HR |
| Conteúdo químico | 2N7002BKW | 2N7002H |
| VGS [máx.] (V) | 20 | 20 |
Categoria-FETs, MOSFETs da Nexperia USA Inc.
Metal - Óxido - Semicondutor Transistores de efeito de campo (MOSFETs, abreviadamente) são um tipo de semicondutor comumente usado em circuitos digitais e analógicos e também são dispositivos de energia úteis. Como transistor compacto original, os MOSFETs são adequados para uma ampla gama de aplicações elétricas.
Há muito se acredita que muitos avanços tecnológicos no século 21 não teriam sido possíveis sem os MOSFETs. Os MOSFETs são mais amplamente utilizados que os transistores de junção bipolares (BJTs) porque requerem muito pouca corrente de controle para a corrente de carga. A condutividade de um MOSFET de modo de aprimoramento pode ser aumentada no estado "normalmente desligado". A tensão aplicada através da porta pode minimizar a condutividade no estado “normalmente ligado”. O processo de miniaturização dos MOSFETs é relativamente simples e seu tamanho pode ser efetivamente reduzido para aplicações compactas.
Outras vantagens dos MOSFETs incluem comutação rápida (especialmente para sinais digitais), consumo mínimo de energia e capacitância de alta densidade, o que os torna uma escolha ideal para integração em larga escala.
MOSFETs são os principais componentes dos circuitos integrados. Graças à sua miniaturização, podem ser projetados e fabricados em um único chip. Os MOSFETs em um chip de circuito integrado são quatro elementos terminais, ou seja, a fonte (S), a porta (G), o dreno (D) e o corpo (B). O corpo geralmente é conectado à fonte, permitindo que o MOSFET funcione como um transistor de efeito de campo. Existem basicamente dois tipos de transistores. Um é o Transistor de Junção Bipolar (BJT) e o outro é o Transistor de Efeito de Campo (FET). Os MOSFETs pertencem ao tipo de transistor de efeito de campo. Os BJTs são geralmente usados para correntes abaixo de 1 ampere; MOSFETs são normalmente usados para aplicações com correntes maiores.
Existem dois tipos de MOSFETs: modo de esgotamento e modo de aprimoramento. O MOSFET em modo de esgotamento funciona como uma chave fechada. Uma tensão positiva gera uma corrente operacional e uma tensão negativa interrompe a corrente operacional. O modo de aprimoramento MOSFET é um tipo comumente usado em aplicações modernas. Como mencionado anteriormente, um MOSFET é um dispositivo usado para comutar ou amplificar sinais elétricos. Isto pode ser conseguido alterando a condutividade, que pode ser alterada variando a tensão aplicada.
Os MOSFETs são os transistores mais comumente usados em circuitos digitais e podem atingir integração de milhões de níveis em chips de memória ou microprocessadores. Além disso, os transistores MOSFET são comumente usados como chaves em circuitos controlados por tensão. Acredita-se que o surgimento dos MOSFETs tenha contribuído para o desenvolvimento de uma série de dispositivos tecnológicos, como calculadoras de bolso e relógios de pulso digitais.
Produtos mais vendidos da SIC
AUIRFS3004 IXFH30N40Q IXFH32N50Q IXFH88N20Q IXUN280N10 IXUV170N075
IXTH220N075T SI8413DB-T1-E1 SIA810DJ-T1-E3 SI4398DY-T1-E3 IRF9Z24NSTRLPBF IRFS3307TRLPBF
As informações do produto são deSIC Eletrônica Limitada. Se você estiver interessado no produto ou precisar de parâmetros do produto, pode entrar em contato conosco online a qualquer momento ou enviar-nos um e-mail: sales@sic-components.com.
Lista de desejos (0 itens)