SIC
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Transistores (100539)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
NDCTR3065A onsemi NDCTR3065A -
RFQ
 ECAD 9618 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo NDCTR3065 - ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 488-NDCTR3065ATR 3.000 -
PDTC143ZU-QAX Nexperia USA Inc. PDTC143ZU-QAX 0,0365
RFQ
 ECAD 1388 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície SC-70, SOT-323 PDTC143 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1727-PDTC143ZU-QAXTR Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 1µA Npn - pré -tendencioso 100mv @ 250µA, 5MA 100 @ 10Ma, 5V 230 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
MMDT5213W Diotec Semiconductor MMDT5213W 0,0266
RFQ
 ECAD 2486 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície SC-70, SOT-323 MMDT5213 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2796-MMDT5213WTR 8541.21.0000 3.000 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso - 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
LGD8209TI Littelfuse Inc. LGD8209TI -
RFQ
 ECAD 6710 0,00000000 Littelfuse Inc. * Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível 1 (ilimito) 18-LGD8209TITR 0000.00.0000 2.500
AUIRF3315S International Rectifier AUIRF3315S -
RFQ
 ECAD 9179 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 150 v 21a (TC) 10V 82mohm @ 12a, 10V 4V A 250µA 95 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 94W (TC)
NVMFS5C430NLAFT3G onsemi NVMFS5C430NLAFT3G 1.4382
RFQ
 ECAD 3277 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-powertdfn, 5 leads Nvmfs5 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 38a (TA), 200a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 50a, 10V 2V A 250µA 70 nc @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 20 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
IXGT28N60B IXYS IXGT28N60B -
RFQ
 ECAD 9087 0,00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA IXGT28 Padrão 150 w TO-268AA download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 480V, 28a, 10ohm, 15v - 600 v 40 a 80 a 2V @ 15V, 28a 2MJ (Desligado) 68 NC 15ns/175ns
BLL1214-250 Rochester Electronics, LLC BLL1214-250 261.9600
RFQ
 ECAD 153 0,00000000 Rochester Electronics, LLC * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-BLL1214-250-2156 Ear99 8541.29.0075 1
SQJQ186ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ186ER-T1_GE3 2.9300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix Automotivo, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-POWERSMD, ASA DE GAIVOTA SQJQ186 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Powerpak® 8 x 8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 80 v 329a (TC) 10V 2.3mohm @ 20a, 10V 3,5V a 250µA 185 NC @ 10 V ± 20V 10552 pf @ 25 V - 600W (TC)
CG2H80030D-GP4 Wolfspeed, Inc. CG2H80030D-GP4 93.5950
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Wolfspeed, Inc. Gan Bandeja Ativo 84 v Morrer CG2H80030 8GHz Hemt Morrer download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 10 - 200 MA 30w 16.5dB - 28 v
IRFC250NB Infineon Technologies IRFC250NB -
RFQ
 ECAD 4149 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Volume Obsoleto - Montagem NA Superfície Morrer MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Morrer - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 448-IRFC250NB Obsoleto 1 - 200 v - - - - - - -
SI4948BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4948BEY-T1-GE3 1.3200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) SI4948 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.4w 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Duplo) 60V 2.4a 120mohm @ 3.1a, 10V 3V A 250µA 22NC @ 10V - Portão de Nível Lógico
TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk4a60d (sta4, q, m) -
RFQ
 ECAD 6275 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK4A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 4a (ta) 10V 1.7ohm @ 2a, 10V 4.4V @ 1MA 12 nc @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 35W (TC)
MMFTN620KD-AQ Diotec Semiconductor MMFTN620KD-AQ -
RFQ
 ECAD 5614 0,00000000 Diotec Semiconductor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-74, SOT-457 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 500mW SOT-26 download Não Aplicável Não Aplicável Fornecedor indefinido 2796-mmftn620kd-aqtr 8541.21.0000 1 2 n-canal 60V 350mA 1.5OHM @ 500MA, 10V 1,5V a 250µA 1.3NC @ 10V 35pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IRF5806 Infineon Technologies IRF5806 -
RFQ
 ECAD 8768 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro6 ™ (TSOP-6) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 Canal P. 20 v 4a (ta) 2.5V, 4.5V 86mohm @ 4a, 4.5V 1.2V a 250µA 11,4 nc a 4,5 V ± 20V 594 pf @ 15 V - 2W (TA)
BC875,126 NXP USA Inc. BC875.126 -
RFQ
 ECAD 1437 0,00000000 NXP USA Inc. - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC87 830 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 2.000 45 v 1 a 50na NPN - Darlington 1.8V @ 1MA, 1A 2000 @ 500MA, 10V 200MHz
2SA1381FSTU onsemi 2SA1381FSTU -
RFQ
 ECAD 5129 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 2SA1381 7 w TO-126-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 60 300 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 600mv @ 2Ma, 20Ma 160 @ 10MA, 10V 150MHz
ZXTP2096FQTA Diodes Incorporated ZXTP2096FQTA 0,1444
RFQ
 ECAD 6271 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Ativo - 31-ZXTP2096FQTA 3.000
TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002KCX RFG -
RFQ
 ECAD 7633 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2N7002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 300mA (TA) 4.5V, 10V 2OHM @ 300MA, 10V 2,5V a 250µA 0,4 nc @ 4,5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 300mW (TA)
MRF085HR5 NXP USA Inc. MRF085HR5 -
RFQ
 ECAD 2068 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 133 v NI-650H-4L MRF08 1,8MHz ~ 1.215 GHz LDMOS NI-650H-4L download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 50 Dual 7µA 100 ma 85W 25.6dB - 50 v
ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC027N10NM6ATMA1 4.0800
RFQ
 ECAD 6757 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn ISC027N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 448-GISC027N10NM6ATMA1CT Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 23a (TA), 192a (TC) 8V, 10V 2.7mohm @ 50a, 10V 3.3V @ 116µA 72,5 nc @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 50 V - 3W (TA), 217W (TC)
STU10P6F6 STMicroelectronics STU10P6F6 -
RFQ
 ECAD 2036 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA STU10P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 Canal P. 60 v 10a (TC) 10V 160mohm @ 5a, 10V 4V A 250µA 6,4 nc @ 10 V ± 20V 340 pf @ 48 V - 35W (TC)
AO3422L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3422L -
RFQ
 ECAD 7011 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície Variante 3-SMD, SOT-23-3 AO34 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 v 2.1a (ta) 2.5V, 4.5V 160mohm @ 2.1a, 4.5V 2V A 250µA 3,3 nc @ 4,5 V ± 12V 300 pf @ 25 V - 1.25W (TA)
IRFH8202TRPBF Infineon Technologies IRFH8202TRPBF 1.8200
RFQ
 ECAD 5114 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn IRFH8202 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 25 v 47A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.05mohm @ 50a, 10V 2,35V a 150µA 110 nc @ 10 V ± 20V 7174 pf @ 13 V - 3.6W (TA), 160W (TC)
SUP85N04-03-E3 Vishay Siliconix SUP85N04-03-E3 -
RFQ
 ECAD 2150 0,00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 SUP85 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 40 v 85a (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 3V A 250µA 250 nc @ 10 V ± 20V 6860 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 250W (TC)
IRF6216TRPBF Infineon Technologies IRF6216TRPBF -
RFQ
 ECAD 1347 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 150 v 2.2a (ta) 10V 240mohm @ 1.3a, 10V 5V A 250µA 49 NC @ 10 V ± 20V 1280 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IXDR30N120 IXYS IXDR30N120 -
RFQ
 ECAD 6790 0,00000000 Ixys - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IXDR30 Padrão 200 w Isoplus247 ™ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 600V, 30A, 47OHM, 15V NPT 1200 v 50 a 60 a 2.9V @ 15V, 30A 4.6MJ (ON), 3,4MJ (Desligado) 120 NC -
FDMS9408 Fairchild Semiconductor FDMS9408 0,6700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDMS940 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 3.000 -
FDS6994S Fairchild Semiconductor FDS6994S 0,9200
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS69 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 2.500 2 canal n (Duplo) 30V 6.9a, 8.2a 21mohm @ 6.9a, 10V 3V A 250µA 12NC @ 5V 800pf @ 15V Portão de Nível Lógico
IRFS7434TRL7PP International Rectifier IRFS7434TRL7PP -
RFQ
 ECAD 3629 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET®, STROTLIRFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK-7 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 40 v 240a (TC) 6V, 10V 1mohm @ 100a, 10V 3,9V a 250µA 315 NC @ 10 V ± 20V 10250 pf @ 25 V - 245W (TC)
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