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Transistores (100539)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
2N5153U3 Microchip Technology 2N5153U3 107.4906
RFQ
 ECAD 3026 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 3-SMD, sem chumbo 1.16 w U3 - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1Ma Pnp 1,5V a 500mA, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies IPD600N25N3GATMA1 3.0100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD600 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 250 v 25a (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V A 90µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
STP8NM60ND STMicroelectronics STP8NM60nd -
RFQ
 ECAD 9228 0,00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 STP8N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 7a (TC) 10V 700mohm @ 3.5a, 10V 5V A 250µA 22 NC @ 10 V ± 30V 560 pf @ 50 V - 70W (TC)
SI4409DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4409DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3513 0,00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) SI4409 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 150 v 1.3a (TC) 6V, 10V 1.2OHM @ 500MA, 10V 4V A 250µA 12 nc @ 10 V ± 20V 332 pf @ 50 V - 2.2W (TA), 4,6W (TC)
RJK03E2DNS-00#J5 onsemi Rjk03e2dns-00#j5 -
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 ECAD 5128 0,00000000 Onsemi - Volume Obsoleto 150 ° C. Montagem NA Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-hwson (3.3x3.3) - 2156-RJK03E2DNS-00#J5 1 N-canal 30 v 16a (ta) 4.5V, 10V 9mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1MA 1,8 nc @ 4,5 V ± 20V 1100 pf @ 10 V - 12.5W (TC)
AFV10700HR5 NXP Semiconductors AFV10700HR5 537.6400
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 105 v Montagem do chassi NI-780-4 960MHz ~ 1.215 GHz LDMOS (DUPLO) NI-780-4 - 2156-AFV10700HR5 1 2 n-canal 1µA 100 ma 700W 19.2dB @ 1.03GHz - 52 v
IPW50R140CPFKSA1 Infineon Technologies IPW50R140CPFKSA1 4.5928
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 ECAD 3574 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IPW50R140 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 N-canal 550 v 23a (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10v 3,5V a 930µA 64 nc @ 10 V ± 20V 2540 pf @ 100 V - 192W (TC)
FMMT718TA-50 Diodes Incorporated FMMT718TA-50 0,0852
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 ECAD 9862 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT718 625 MW SOT-23-3 download 31-FMMT718TA-50 Ear99 8541.21.0075 3.000 20 v 1.5 a 100na Pnp 220mv @ 50Ma, 1.5a 300 @ 100mA, 2V 180MHz
BLP15M9S30GZ Ampleon USA Inc. BLP15M9S30GZ 20.1900
RFQ
 ECAD 8529 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo 65 v Montagem NA Superfície SOT-1483-1 BLP15 1,5 GHz LDMOS SOT1483-1 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.33.0001 500 N-canal - 30w 19.3db -
PDTC144VU,115 NXP Semiconductors PDTC144VU, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PDTC144VU, 115-954 14.990
JANSF2N2906AUB/TR Microchip Technology JANSF2N2906AUB/TR 157.4550
RFQ
 ECAD 2630 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo - 150-JANSF2N2906AUB/TR 50
TSM70N900CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N900CP 1.9252
RFQ
 ECAD 4507 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM70 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM70N900CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 700 v 4.5a (TC) 10V 900MOHM @ 1.5A, 10V 4V A 250µA 9,7 nc @ 10 V ± 30V 482 pf @ 100 V - 50W (TC)
IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies IPB110P06LMATMA1 5.4300
RFQ
 ECAD 159 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB110 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 60 v 100a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 100a, 10V 2V @ 5.55mA 281 NC @ 10 V ± 20V 8500 pf @ 30 V - 300W (TC)
SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT2280KEHRC11 15.1500
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 SCT2280 Sicfet (Carboneto de Silício) To-247n download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 846-SCT2280KEHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 v 14a (TC) 18V 364mohm @ 4a, 18V 4V @ 1.4MA 36 NC @ 400 V +22V, -6V 667 pf @ 800 V - 108W (TC)
AONS32106 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS32106 0,2379
RFQ
 ECAD 2124 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-POWERSMD, FIOS Planos AONS321 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (5x6) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 785-AONS32106TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 20a (ta), 20a (tc) 2.5V, 4.5V 5.3mohm @ 20a, 4.5V 1,25V a 250µA 45 nc @ 4,5 V ± 12V 3300 pf @ 10 V - 5W (TA), 36W (TC)
RN2113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113ACT (TPL3) 0,0527
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície SC-101, SOT-883 RN2113 100 mw Cst3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 MA 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 47 Kohms
FGA3060ADF onsemi FGA3060ADF 2.8800
RFQ
 ECAD 179 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 FGA3060 Padrão 176 w TO-3PN download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 450 400V, 30A, 6OHM, 15V 26 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 60 a 90 a 2.3V @ 15V, 30A 960µJ (ON), 165µJ (Off) 37.4 NC 12ns/42.4ns
IRFL1006PBF Infineon Technologies IRFL1006PBF -
RFQ
 ECAD 9766 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 80 N-canal 60 v 1.6a (ta) 10V 220mohm @ 1.6a, 10V 4V A 250µA 8 nc @ 10 V ± 20V 160 pf @ 25 V - 1W (TA)
FJV3101RMTF onsemi Fjv3101rmtf -
RFQ
 ECAD 6273 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Fjv310 200 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 20 @ 10MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PBLS2021D,115 NXP USA Inc. PBLS2021D, 115 -
RFQ
 ECAD 5929 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo PBLS20 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000
IKA08N65H5XKSA1 International Rectifier Ika08n65h5xksa1 -
RFQ
 ECAD 2861 0,00000000 Retificador Internacional Trenchstop ™ 5 Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão 31.2 w PG-PARA220-3-111 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-ika08n65h5xksa1-600047 1 400V, 4A, 48OHM, 15V 40 ns Parada de Campo da Trinceira 650 v 10.8 a 24 a 2.1V @ 15V, 8a 70µJ (ON), 30µJ (Off) 22 NC 11ns/115ns
BC 850B E6327 Infineon Technologies BC 850B E6327 0,0400
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 6.836 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
NTE175 NTE Electronics, Inc NTE175 5.6600
RFQ
 ECAD 3806 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-213AA, TO-66-2 35 w TO-66 download ROHS3 Compatível 2368-nte175 Ear99 8541.29.0095 1 300 v 2 a 5mA Npn 750mV a 125mA, 1A 40 @ 100mA, 10V 15MHz
KST5087MTF Fairchild Semiconductor KST5087MTF -
RFQ
 ECAD 9487 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto - Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-KST5087MTF-600039 1 50 v 50 MA 50na (ICBO) Pnp 300mV @ 1Ma, 10MA 250 @ 10MA, 5V 40MHz
IPI80P04P4L04AKSA1 Infineon Technologies IPI80P04P4L04AKSA1 -
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 ECAD 6076 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI80P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000840198 Ear99 8541.29.0095 500 Canal P. 40 v 80a (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 2.2V A 250µA 176 NC @ 10 V +5V, -16V 3800 pf @ 25 V - 125W (TC)
IPDQ60R017S7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ60R017S7AXTMA1 20.3200
RFQ
 ECAD 4002 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ S7 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície Módulo 22-powerBsop IPDQ60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HDDDSOP-22-1 - 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 750 N-canal 600 v 30a (TC) 12V 17mohm @ 29a, 12v 4.5V @ 1.89MA 196 NC @ 12 V ± 20V 7370 pf @ 300 v - 500W (TC)
MMBT5401M3T5G onsemi MMBT5401M3T5G 0,0534
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 ECAD 8038 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SOT-723 MMBT5401 130 MW SOT-723 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 8.000 150 v 60 MA 100na (ICBO) Pnp 600mV @ 5MA, 50MA 60 @ 10MA, 5V 180MHz
BCX55TF Nexperia USA Inc. BCX55TF 0,4000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-243AA BCX55 500 MW SOT-89 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 4.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V -
BLC8G24LS-240AVY Ampleon USA Inc. BLC8G24LS-240AVY -
RFQ
 ECAD 6284 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem do chassi SOT-1252-1 2,3 GHz ~ 2,4 GHz LDMOS DFM8 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 Fonte Dupla E Comum - 500 MA 56W 14.5dB - 28 v
PDTA144EMB,315 NXP USA Inc. PDTA144EMB, 315 0,0300
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 ECAD 200 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo Montagem NA Superfície SC-101, SOT-883 PDTA144 250 MW DFN1006B-3 download Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 1µA PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 500µA, 10MA 80 @ 5MA, 5V 180 MHz 47 Kohms 47 Kohms
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