- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Transistores (100539)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste | Tensão - Quebra (V (BR) GSS) | Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ id | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXGF36N300 | - |  | 5844 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | I4 -PAC ™ -5 (3 leads) | IXGF36 | Padrão | 160 w | Isoplus I4-PAC ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - | - | 3000 v | 36 a | 400 a | 5.2V @ 15V, 100A | - | 136 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRGPS4070D0 | 11.6300 | | 933 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-274AA | AUIRGPS4070 | Padrão | 750 w | PG-PARA274-3-903 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 120A, 4.7OHM, 15V | 210 ns | Trincheira | 600 v | 240 a | 360 a | 2V @ 15V, 120A | 5,7mj (ON), 4,2MJ (Desligado) | 250 NC | 40ns/140ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STD134N4F7AG | 2.0800 | | 2058 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101, Stripfet ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | STD134 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 80a (TC) | 10V | 3.5mohm @ 40a, 10V | 4V A 250µA | 41 nc @ 10 V | ± 20V | 2790 pf @ 25 V | - | 134W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sia411dj-t1-ge3 | - | | 7128 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SC-70-6 | Sia411 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 30mohm @ 5.9a, 4.5V | 1V a 250µA | 38 NC @ 8 V | ± 8V | 1200 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LS3954 TO-71 6L | 8.8600 | | 1 | 0,00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | LS3954 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-71-6 METAL CAN | 400 MW | TO-71 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 6pf @ 20V | 60 v | 500 µA A 20 V | 1 V @ 1 NA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7483MTRPBF | 0,9900 | | 13 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Strongirfet ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DirectFet ™ MF ISOMÉTRICO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ MF ISOMÉTRICO | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 135a (TC) | 6V, 10V | 2.3mohm @ 81a, 10V | 3.9V @ 100µA | 81 nc @ 10 V | ± 20V | 3913 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF1404ZSTRR | - | | 6752 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 180A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 150 nc @ 10 V | ± 20V | 4340 PF @ 25 V | - | 220W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DSS60600MZ4Q-13 | 0,5700 | | 5871 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 1.2 w | SOT-223-3 | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 v | 6 a | 100na (ICBO) | Pnp | 350mv a 600mA, 6a | 150 @ 500MA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7201pbf | - | | 1045 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 30 v | 7.3a (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7.3a, 10V | 1V a 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 25 V | - | 2.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9607-30b, 118 | 0,4200 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Buk96 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DCX114EUQ-13-F | 0,0528 | | 9872 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101, DCX (XXX) U | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX114 | 200mw | SOT-363 | download | Alcançar Não Afetado | 31-DCX114EUQ-13-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50V | 100mA | 500na (ICBO) | 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) | 300mv @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10kohms | 10kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PXT8550-D | 0,0820 | | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-243AA | 500 MW | SOT-89 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-PXT8550-DTR | Ear99 | 1.000 | 25 v | 1.5 a | 100na | Pnp | 500mv @ 80MA, 800mA | 160 @ 100MA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUA180N08S5N026Auma1 | 3.7400 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 5-POWERSFN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-HSOF-5-4 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 80 v | 180A (TJ) | 6V, 10V | 2.6mohm @ 90a, 10V | 3.8V @ 100µA | 87 nc @ 10 V | ± 20V | 5980 pf @ 40 V | - | 179W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX5316E6433HTMA1 | - | | 9917 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-243AA | BCX53 | 2 w | PG-SOT89 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100na (ICBO) | Pnp | 500mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tk7a55d (sta4, q, m) | 1.6000 | | 50 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | π-mosvii | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TK7A55 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220SIS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 550 v | 7a (ta) | 10V | 1.25OHM @ 3.5A, 10V | 4.4V @ 1MA | 16 nc @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BDT60C-S | - | | 4087 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | BDT60 | 2 w | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 120 v | 4 a | 500µA | PNP - Darlington | 2.5V @ 6MA, 1.5A | 750 @ 1.5A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF76407D3S | 0,2100 | | 19 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 60 v | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 92mohm @ 13a, 10V | 3V A 250µA | 11,3 nc @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN3R2-30YLC, 115 | - | | 9850 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PSMN3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT66F60B2 | 16.7900 | | 1113 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | APT66F60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | T-MAX ™ [B2] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 70A (TC) | 10V | 90mohm @ 33a, 10V | 5V @ 2.5mA | 330 NC @ 10 V | ± 30V | 13190 pf @ 25 V | - | 1135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STF80N10F7 | - | | 4000 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | STF80N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 40A (TC) | 10V | 10mohm @ 40a, 10V | 4.5V a 250µA | 45 nc @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 50 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMN2040UVT-7 | 0,0927 | | 2540 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMN2040 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TSOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 6.7a (ta) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 6.2a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 7,5 nc @ 4,5 V | ± 8V | 667 pf @ 10 V | - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N4858A | 5.0000 | | 8827 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 300 MW | To-18 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-2N4858A | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - | 40 v | 18pf @ 10V | 40 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQB9N25TM | - | | 2005 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FQB9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 v | 9.4a (TC) | 10V | 420mohm @ 4.7a, 10V | 5V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AON4807 | - | | 8703 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | AON480 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.9W | 8-DFN (3x2) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 4a | 68mohm @ 4a, 10V | 2.3V A 250µA | 10NC @ 10V | 290pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V3090NR1 | - | | 4392 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 110 v | Montagem NA Superfície | TO-270AB | MRF6 | 860MHz | LDMOS | TO-270 WB-4 | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 350 Ma | 18W | 22dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF225R17ME4PBPSA1 | 234.8150 | | 8761 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Econodual ™ 3 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FF225R17 | 20 mw | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 1700 v | 450 a | 2.3V @ 15V, 225a | 3 MA | Sim | 18.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTD113ZT-QVL | 0,0467 | | 1562 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTD113 | 250 MW | TO-236AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1727-PDTD113ZT-QVLTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 500 MA | 500na | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 2.5mA, 50mA | 70 @ 50MA, 5V | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC2001-A | 0,2200 | | 7 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120DDUM16TBL3NG | - | | 4184 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM120 | Carboneto de Silício (sic) | 560W | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM120DDUM16TBL3NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais n, Fonte Comum | 1200V (1,2kV) | 150a | 16mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 6MA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRGSL30B60K | 2.3500 | | 8 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | Auirgsl30 | download | Fornecedor indefinido | ALCANCE AFETADO | 2156-AUirgsl30B60K-600047 | 1 |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)