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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOI8N25 | 0,4160 |  | 3681 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 Leads de Stub, Ipak | Aoi8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 785-1454-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.500 | N-canal | 250 v | 8a (TC) | 10V | 560mohm @ 1.5a, 10V | 4.3V A 250µA | 7.2 NC @ 10 V | ± 30V | 306 pf @ 25 V | - | 78W (TC) | |||||||||||
 | DMP2900UDW-7 | 0,3500 | | 3120 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMP2900 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 370MW (TA) | SOT-363 | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 630mA (TA) | 750mohm @ 430mA, 4.5V | 1V a 250µA | 0,7NC @ 4.5V | 49pf @ 16V | - | ||||||||||||||||
 | Aotl66610 | 3.8800 | | 13 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ALPHASGT ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERSFN | AOTL666 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TOLLA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 61a (ta), 350a (tc) | 6V, 10V | 1.2mohm @ 20a, 10V | 3,6V a 250µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 7625 pf @ 30 V | - | 8.3W (TA), 272W (TC) | ||||||||||||
 | STF11N65M5 | 2.2300 | | 9 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ V. | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | STF11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 9a (TC) | 10V | 480mohm @ 4.5a, 10V | 5V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 25V | 644 pf @ 100 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||
 | FQB27P06TM | 2.0600 | | 9234 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FQB27 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 60 v | 27a (TC) | 10V | 70mohm @ 13.5a, 10V | 4V A 250µA | 43 nc @ 10 V | ± 25V | 1400 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||
 | DMN2029USD-13 | 0,4000 | | 4 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMN2029 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 5.8a | 25mohm @ 6.5a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 18.6NC @ 8V | 1171pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | SI6928DQ-T1-E3 | - | | 6592 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | Si6928 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 4a | 35mohm @ 4a, 10V | 1V a 250µA | 14NC @ 5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | NTMFS4C06NBT1G | 1.3500 | | 2515 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 v | 20a (ta), 69a (tc) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 30a, 10V | 2.1V @ 250µA | 26 NC A 10 V | ± 20V | 1683 pf @ 15 V | - | 2,55W (TA), 30,5W (TC) | ||||||||||||
 | SI7922DN-T1-E3 | 1.7700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7922 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W | PowerPak® 1212-8 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 1.8a | 195mohm @ 2.5a, 10V | 3,5V a 250µA | 8NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | IPI80N04S403BAKSA1 | - | | 6119 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | - | IPI80N | - | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
 | PSMN4R2-30MLDX | 0,9100 | | 3 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 FLEDES) | PSMN4R2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK33 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 25a, 10V | 2.2V @ 1Ma | 29,3 nc @ 10 V | ± 20V | 1795 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Corpo) | 65W (TC) | ||||||||||||
 | CPH6604-TL-E | 0,1400 | | 2 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 2156-CPH6604-TL-E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC6604R-TR | - | | 8346 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-xfbga | EFC6604 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.6W | 6-EFCP (1.9x1.46) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | - | - | - | - | 29NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico, Unidade de 2.5V | ||||||||||||||
 | SI2301BDS-T1-E3 | 0,4600 | | 64 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2301 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.2a (ta) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 2.8a, 4.5V | 950MV A 250µA | 10 nc @ 4,5 V | ± 8V | 375 pf @ 6 V | - | 700mW (TA) | ||||||||||||
 | STP185N55F3 | 5.6500 | | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | STP185 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 120A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 60a, 10V | 4V A 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | ||||||||||||
 | MTAJ3055EL | 0,4700 | | 36 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | DMG6968UDM-7 | 0,4600 | | 70 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 | DMG6968 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 850mw | SOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 20V | 6.5a | 24mohm @ 6.5a, 4.5V | 900MV A 250µA | 8.8nc @ 4.5V | 143pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | PSMNR82-30YLEX | 3.0300 | | 1 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-100, SOT-669 | PSMNR82 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 v | 330A (TA) | 7V, 10V | 0,87mohm @ 25a, 10V | 2.2V @ 2Ma | 149 NC @ 10 V | ± 20V | 10131 pf @ 15 V | - | 268W (TA) | ||||||||||||
| BUK7M20-40HX | 0,7700 | | 6 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 FLEDES) | BUK7M20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK33 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 v | 25a (ta) | 10V | 20mohm @ 10a, 10V | 3.6V @ 1Ma | 10.2 NC @ 10 V | +20V, -10V | 598 pf @ 25 V | - | 38W (TA) | ||||||||||||
 | NTMS4503NR2G-001 | 1.0800 | | 108 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | NTMS4503 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | BUK661R8-30C, 118 | 1.1300 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 168 NC @ 10 V | ± 16V | 10918 pf @ 25 V | - | 263W (TC) | ||||||||||||||||
 | HUFA75309P3 | - | | 7527 | 0,00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Hufa75 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 v | 19a (TC) | 10V | 70mohm @ 19a, 10V | 4V A 250µA | 24 nc @ 20 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||
| ART700FHGJ | 174.9300 | | 84 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | 177 v | Montagem do chassi | SOT-1214C | 1MHz ~ 450MHz | LDMOS | SOT1214C | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | Fonte Dupla E Comum | 1.4µA | 1.2 a | 700W | 28.6dB | - | 55 v | ||||||||||||||||
 | UPA2719GR-E2-AT | 0,9400 | | 7 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0040120J1-MVF | 20.3616 | | 9239 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tubo | Ativo | - | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF19030LSR5 | - | | 1502 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | NI-400S | MRF19 | 1,96 GHz | LDMOS | NI-400S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 5A991G | 8542.31.0001 | 50 | - | 300 mA | 30w | 13dB | - | 26 v | ||||||||||||||||
 | IRF9530SPBF | 2.4500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF9530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 100 v | 12a (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||||||||||
 | STB18N55M5 | - | | 8003 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ V. | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STB18N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 550 v | 16a (TC) | 10V | 192mohm @ 8a, 10V | 5V A 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 25V | 1260 pf @ 100 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||
 | DMP31D7LQ-7 | 0,0600 | | 3603 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Dmp31 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | 31-DMP31D7LQ-7 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 580mA (TA) | 4.5V, 10V | 900MOHM @ 420MA, 10V | 2.6V a 250µA | 0,36 nc @ 4,5 V | ± 20V | 19 pf @ 15 V | - | 430mW (TA) | ||||||||||||||
 | PD54008TR-E | 10.5270 | | 1847 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 25 v | Powerso-10rf Exposto Bottom Pad (2 FiOS Formados) | PD54008 | 500MHz | LDMOS | Powerso-10rf (Formado Chumbo) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 5a | 150 MA | 8w | 11.5dB | - | 7,5 v |
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