SIC
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Fets, MOSFETS (55612)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)
PJP9NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJP9NA90_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 2389 0,00000000 Panjit International Inc. - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 PJP9 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 3757-PJP9NA90_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 900 v 9a (ta) 10V 1.4OHM @ 4.5A, 10V 4V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1634 PF @ 25 V - 205W (TC)
BUK98150-55/CU135 Nexperia USA Inc. Buk98150-55/Cu135 -
RFQ
 ECAD 2618 0,00000000 Nexperia EUA Inc. * Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 4.000
ZXMN2A03E6TA Diodes Incorporated ZXMN2A03E6TA 0,8300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Zxmn2 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 3.7a (ta) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 7.2a, 4.5V 700mv @ 250µA (min) 8,2 nc @ 4,5 V ± 12V 837 pf @ 10 V - 1.1W (TA)
IXFC26N50P IXYS IXFC26N50P -
RFQ
 ECAD 6595 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polarht ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Isoplus220 ™ IXFC26N50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Isoplus220 ™ download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 15a (TC) 10V 260mohm @ 13a, 10v 5.5V @ 4MA 65 nc @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 130W (TC)
IRFU2307ZPBF Infineon Technologies IRFU2307ZPBF -
RFQ
 ECAD 6593 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) IPAK (TO-251AA) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001565178 Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 75 v 42a (TC) 10V 16mohm @ 32a, 10V 4V @ 100µA 75 NC @ 10 V ± 20V 2190 pf @ 25 V - 110W (TC)
SI7946DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7946DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1178 0,00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície PowerPak® SO-8 dual SI7946 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.4W PowerPak® SO-8 dual download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 150V 2.1a 150mohm @ 3.3a, 10V 4V A 250µA 20NC @ 10V - Portão de Nível Lógico
STB47N50DM6AG STMicroelectronics STB47N50DM6AG 6.5900
RFQ
 ECAD 5070 0,00000000 Stmicroelectronics Automotivo, AEC-Q101, MDMESH ™ DM6 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab STB47 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 500 v 38a (TC) 10V 71mohm @ 19a, 10V 5V A 250µA 57 nc @ 10 V ± 25V 2300 pf @ 100 V - 250W (TC)
SFT1341-TL-W onsemi SFT1341-TL-W -
RFQ
 ECAD 7315 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SFT134 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK/TP-FA download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 700 Canal P. 40 v 10a (ta) 1.8V, 4.5V 112mohm @ 5a, 4.5V - 8 nc @ 4,5 V ± 10V 650 pf @ 20 V - 1W (TA), 15W (TC)
IPB26CN10N Infineon Technologies IPB26CN10N -
RFQ
 ECAD 4443 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 35a (TC) 10V 26mohm @ 35a, 10V 4V @ 39µA 31 NC @ 10 V ± 20V 2070 pf @ 50 V - 71W (TC)
IRF6708S2TRPBF Infineon Technologies IRF6708S2TRPBF -
RFQ
 ECAD 6254 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ S1 Isométrico MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ S1 Isométrico download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 v 13a (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 13a, 10V 2.35V @ 25µA 10 nc @ 4,5 V ± 20V 1010 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 20W (TC)
FDMS3616S Fairchild Semiconductor FDMS3616S 0,8300
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS3616 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1w 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 2 canal n (Duplo) Assimético 25V 16a, 18a 6.6mohm @ 16a, 10V 2,5V a 250µA 27NC @ 10V 1765pf @ 13V Portão de Nível Lógico
SQJB44EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB44EP-T1_GE3 1.5800
RFQ
 ECAD 5490 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície PowerPak® SO-8 dual SQJB44 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 48W (TC) PowerPak® SO-8 dual download 1 (ilimito) 742-SQJB44EP-T1_GE3TR Ear99 8541.29.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 40V 30a (TC) 5.2mohm @ 8a, 10V 2.2V A 250µA 50NC @ 10V 3075pf @ 25V -
FDC6432SH Fairchild Semiconductor FDC6432SH 0,4400
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC6432 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 700mW SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 N E P-Canal 30V, 12V 2.4a, 2.5a 90mohm @ 2.4a, 10V 3V @ 1Ma 3.5NC @ 5V 270pf @ 15V Portão de Nível Lógico
SH32N65DM6AG STMicroelectronics Sh32n65dm6ag 21.2800
RFQ
 ECAD 61 0,00000000 Stmicroelectronics Ecopack® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 9-POWERSMD SH32N65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 208W (TC) 9-AUPPEPACK Smit download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 200 2 canal n (Meia Ponte) 650V 32a (TC) 97mohm @ 23a, 10V 4.75V @ 250µA 47NC @ 10V 2211pf @ 100V -
MTI85W100GC-SMD IXYS MTI85W100GC-SMD 29.1277
RFQ
 ECAD 4814 0,00000000 Ixys - Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 17-SMD, Asa de Gaivota MTI85W100 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) - Isoplus-Dil ™ - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 238-MTI85W100GC-SMD Ear99 8541.29.0095 13 6 CANais N (Ponte de Três Fases) 100V 120A (TC) 4mohm @ 80a, 10V 3,5V a 150µA 88NC @ 10V - -
FDS4935 Fairchild Semiconductor FDS4935 1.0000
RFQ
 ECAD 6688 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS49 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Duplo) 30V 7a 23mohm @ 7a, 10V 3V A 250µA 21NC @ 5V 1233pf @ 15V Portão de Nível Lógico
STW19NM65N STMicroelectronics STW19NM65N -
RFQ
 ECAD 4369 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 STW19N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 650 v 15.5a (TC) 10V 270mohm @ 7.75a, 10V 4V A 250µA 55 nc @ 10 V ± 25V 1900 pf @ 50 V - 150W (TC)
STP315N10F7 STMicroelectronics STP315N10F7 5.7900
RFQ
 ECAD 994 0,00000000 Stmicroelectronics Automotivo, AEC-Q101, Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 STP315 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-14717-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 180A (TC) 10V 2.7mohm @ 60a, 10V 4.5V a 250µA 180 nc @ 10 V ± 20V 12800 pf @ 25 V - 315W (TC)
IRF654B Fairchild Semiconductor IRF654B 0,9600
RFQ
 ECAD 447 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-IRF654B-600039 1
TSM60NB190CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CI 4.4264
RFQ
 ECAD 7507 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM60NB190CI Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 600 v 18a (TC) 10V 190mohm @ 6a, 10V 4V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1273 pf @ 100 V - 33.8W (TC)
DMP57D5UV-7 Diodes Incorporated DMP57D5UV-7 -
RFQ
 ECAD 3576 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 DMP57D5UV MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 400mW SOT-563 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 50V 160mA 6ohm @ 100ma, 4v 1V a 250µA - 29pf @ 25V Portão de Nível Lógico
R6007RND3TL1 Rohm Semiconductor R6007RND3TL1 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 R6007 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 - 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 7a (TC) 15V 940mohm @ 3.5a, 15V 7V @ 1Ma 17,5 nc @ 15 V ± 30V 460 pf @ 100 V - 96W (TC)
NTGS1135PT1G onsemi NTGS1135pt1g -
RFQ
 ECAD 7353 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 NTGS11 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-TSOP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 8 v 4.6a (ta) 1.2V, 4.5V 31mohm @ 4.6a, 4.5V 850mv @ 250µA 21 NC a 4,5 V ± 6V 2200 pf @ 6 V - 970MW (TA)
MP6M12TCR Rohm Semiconductor MP6M12TCR -
RFQ
 ECAD 2679 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-SMD, FiOS Planos MP6M12 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W Mpt6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N E P-Canal 30V 5a 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1MA 4NC @ 5V 250pf @ 10V Portão de Nível Lógico
IRF9952QPBF International Rectifier IRF9952QPBF -
RFQ
 ECAD 7036 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Tubo Obsoleto Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF995 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 190 N E P-Canal 30V 3.5a, 2.3a 100mohm @ 2.2a, 10V 1V a 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V Portão de Nível Lógico
DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated DMN61D8LQ-13 0,4600
RFQ
 ECAD 9822 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN61 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 60 v 470mA (TA) 3V, 5V 1.8OHM @ 150MA, 5V 2V @ 1MA 0,74 nc @ 5 V ± 12V 12,9 pf @ 12 V - 390MW (TA)
IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies IPL65R230C7Auma1 3.1200
RFQ
 ECAD 788 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-Powertsfn IPL65R230 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-vson-4 download ROHS3 Compatível 2a (4 semanas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 v 10a (TC) 10V 230mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 240µA 20 NC A 10 V ± 20V 996 PF @ 400 V - 67W (TC)
2SJ659-DL-E onsemi 2SJ659-dl-e 0,5100
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1.000
GWM160-0055X1-SLSAM IXYS GWM160-0055X1-SLSAM -
RFQ
 ECAD 5475 0,00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 17-SMD, Fios Planos GWM160 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) - Isoplus-Dil ™ download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 6 CANais N (Ponte de Três Fases) 55V 150a 3.3mohm @ 100a, 10V 4.5V @ 1MA 105NC @ 10V - -
IIPC20S4N04X2SA1 Infineon Technologies IIPC20S4N04X2SA1 -
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 ECAD 3394 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto IIPC20S4 - Obsoleto 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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