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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK6E4R0-75C, 127 | 1.0200 |  | 19 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BUK6E4R0-75C, 127-954 | 1 | N-canal | 75 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 234 NC @ 10 V | ± 16V | 15450 pf @ 25 V | - | 306W (TC) | |||||||||||||||
 | MTM231232LBF | - | | 2850 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | MTM231232 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Smini3-g1-b | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 3a (ta) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 1a, 4v | 1.3V @ 1MA | ± 10V | 1000 pf @ 10 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||||
 | IRL530NSTRR | - | | 4547 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 17a (TC) | 4V, 10V | 100mohm @ 9a, 10V | 2V A 250µA | 34 NC @ 5 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 79W (TC) | |||||||||||||
 | FDMC0208 | - | | 5749 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Obsoleto | FDMC02 | - | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD17576Q5BT | 1.5700 | | 477 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD17576Q5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 v | 100a (ta) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 25a, 10V | 1.8V a 250µA | 32 NC a 4,5 V | ± 20V | 4430 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||
| 2SK972-94-E | 2.0000 | | 537 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Obsoleto | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | AOUS66414 | 0,7428 | | 6853 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ALPHASGT ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-POWERSMD, FIOS Planos | AOUS664 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ultraso-8 ™ | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 40A (TA), 92A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 80 nc @ 10 V | ± 20V | 4350 PF @ 20 V | - | 6.2W (TA), 92W (TC) | ||||||||||||
| 2SK583-MTK-AA | 0,2700 | | 160 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | 2SK583 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | SQJA72EP-T1_BE3 | 1.4100 | | 3317 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJA72EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 37a (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 1390 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||
| IxtT4N150HV-Trl | 29.9225 | | 1834 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | Ixtt4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-268HV (IXTT) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 238-IXTT4N150HV-TrlTr | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 1500 v | 4a (TC) | 10V | 6ohm @ 2a, 10V | 5V A 250µA | 44,5 nc @ 10 V | ± 30V | 1576 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||||||||||
 | MMFTP3401 | 0,0648 | | 231 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-mmftp3401tr | 8541.21.0000 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 4a (ta) | 2.5V, 10V | 65mohm @ 4a, 10V | 1.3V a 250µA | ± 12V | 954 PF @ 0 V | - | 500mW (TA) | |||||||||||||||
 | BSO201SPNTMA1 | - | | 8940 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-DSO-8 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 20 v | 14.9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 8mohm @ 14.9a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 128 nc @ 4,5 V | ± 12V | 5962 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
 | STB160N75F3 | 5.7400 | | 1167 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STB160 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 75 v | 120A (TC) | 10V | 4mohm @ 60a, 10V | 4V A 250µA | 85 nc @ 10 V | ± 20V | 6750 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | ||||||||||||
| FDT3612-SB82273 | - | | 1143 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223-4 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 v | 3.7a (ta) | 6V, 10V | 120mohm @ 3.7a, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 632 pf @ 50 V | - | 1.1W (TA) | |||||||||||||
 | AO4405 | 0,5400 | | 2 | 0,00000000 | Umw | Umw | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 6a (ta) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 520 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||
 | SSFQ3812 | 0,4100 | | 6 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.1W (TC) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 n-canal | 30V | 7.5a (TC) | 20mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 8nc @ 4.5V | 500pf @ 25V | Padrão | |||||||||||||||
 | Ntmfs4708nt1g | - | | 2420 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 v | 7.8a (ta) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 11.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 15 NC a 4,5 V | ± 20V | 970 pf @ 24 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | G75P04D5I | 0,3673 | | 2339 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (4.9x5.75) | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 3141-g75p04d5itr | Ear99 | 8541.29.0000 | 5.000 | Canal P. | 40 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 106 nc @ 10 V | ± 20V | 6414 PF @ 20 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||
 | IPL65R130CFD7AUMA1 | 5.5200 | | 3481 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-Powertsfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-vson-4 | download | ROHS3 Compatível | 2a (4 semanas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 v | 21a (TC) | 10V | 130mohm @ 8.5a, 10V | 4.5V A 420µA | 36 nc @ 10 V | ± 20V | 1694 PF @ 400 V | - | 127W (TC) | |||||||||||||
 | IRF644PBF-BE3 | 1.7300 | | 980 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF644 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | 742-IRF644PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 v | 14a (TC) | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||
 | IRLR3714ZPBF | - | | 7036 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 v | 37a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 15a, 10V | 2,55V a 250µA | 7,1 nc @ 4,5 V | ± 20V | 560 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||
 | GSF0301 | 0,2600 | | 6 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-523 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 v | 600mA (TC) | 2.5V, 4.5V | 500MOHM @ 300MA, 4,5V | 1.2V a 250µA | 5,2 nc @ 4,5 V | ± 12V | 146 pf @ 15 V | - | 310MW (TC) | |||||||||||||
 | IPI45N06S3L-13 | - | | 3586 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IPI45N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 v | 45a (TC) | 5V, 10V | 13.4mohm @ 26a, 10v | 2.2V @ 30µA | 75 NC @ 10 V | ± 16V | 3600 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||
 | STD9HN65M2 | - | | 6351 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M2 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Std9h | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 v | 5.5a (TC) | 10V | 820mohm @ 2.5a, 10V | 4V A 250µA | 11,5 nc @ 10 V | ± 25V | 325 pf @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||
 | IXTH20P50P | 11.6500 | | 1 | 0,00000000 | Ixys | Polarp ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Ixth20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 (ixth) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal P. | 500 v | 20a (TC) | 10V | 450mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 103 NC @ 10 V | ± 20V | 5120 pf @ 25 V | - | 460W (TC) | ||||||||||||
| IPC60R099CPX1SA2 | - | | 2534 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | IPC60 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000482526 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | A2I08H040NR1 | - | | 5353 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem na Superfície | TO-270-15 Variante, Pistas Planas | A2I08 | 920MHz | LDMOS | TO-270WB-15 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.33.0001 | 500 | Dual | - | 25 MA | 9w | 30.7dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | HUFA76504DK8T | - | | 5793 | 0,00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | HUFA76504 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 80V | - | 200mohm @ 2.5a, 10V | 3V A 250µA | 10NC @ 10V | 270pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | SQ4940AEY-T1_BE3 | 1.0100 | | 18 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SQ4940 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4W (TC) | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | 742-SQ4940AEY-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 8a (TC) | 24mohm @ 5.3a, 10V | 2,5V a 250µA | 43NC @ 10V | 741pf @ 20V | - | |||||||||||||||
 | Fqu1N60TU | 0,5500 | | 607 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 607 | N-canal | 600 v | 1a (TC) | 10V | 11.5OHM @ 500MA, 10V | 5V A 250µA | 6 nc @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) |
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