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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLF6G27LS-50BN, 118 | - |  | 5685 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 65 v | Montagem do chassi | SOT-1112B | BLF6G27 | 2,5 GHz ~ 2,7 GHz | LDMOS | CDFM6 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934064687118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | Dual | 12a | 430 MA | 3w | 16.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||
 | IRF9640 | - | | 3506 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF9640 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF9640 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V A 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
 | DMT10H032LFVW-13 | 0,3632 | | 5205 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 8-powervdfn | DMT10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi3333-8 (SWP) Tipo UX | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMT10H032LFVW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 17a (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 11,9 nc @ 10 V | ± 20V | 683 pf @ 50 V | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||
 | BSZ0704LSATMA1 | 0,8900 | | 9 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSZ0704 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8 fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 60 v | 11a (ta), 40a (tc) | 4.5V, 10V | 9.9mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 14µA | 8,6 nc @ 4,5 V | ± 20V | 1300 pf @ 30 V | - | 2.1W (TA), 36W (TC) | ||||||||||||
 | STD3NM50T4 | - | | 4672 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Std3n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 550 v | 3a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 5V A 250µA | 5,5 nc @ 10 V | ± 30V | 140 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | ||||||||||||
 | AON6418 | - | | 4267 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERSMD, FIOS Planos | AON641 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (5x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 14a (ta), 36a (tc) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10V | 1.8V a 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 20V | 1229 pf @ 15 V | - | 6W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||
 | SQJ476EP-T1_BE3 | 0,9400 | | 3693 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ476EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 23a (TC) | 4.5V, 10V | 38mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||
 | NTD23N03RT4 | - | | 2967 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | NTD23 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 3.8a (ta), 17.1a (tc) | 4V, 5V | 45mohm @ 6a, 10V | 2V A 250µA | 3,76 NC a 4,5 V | ± 20V | 225 pf @ 20 V | - | 1.14W (TA), 22,3W (TC) | ||||||||||||
 | STP12NM50 | 4.5000 | | 9916 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ | Tubo | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | STP12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 12a (TC) | 10V | 350mohm @ 6a, 10V | 5V @ 50µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||
 | SI4931DY-T1-E3 | 1.2300 | | 8988 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4931 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8.9a, 4.5V | 1V A 350µA | 52NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | Ixty24n15t | - | | 9676 | 0,00000000 | Ixys | Trincheira | Tubo | Ativo | - | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Ixty24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 150 v | 24a (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||
 | MCH6306-TL-E | 0,0800 | | 210 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FDG6303N | 0,4900 | | 33 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG6303 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 300mw | SC-88 (SC-70-6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 500mA | 450mohm @ 500mA, 4,5V | 1,5V a 250µA | 2.3NC @ 4.5V | 50pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | IRFR7540TRLPBF | - | | 9339 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR7540 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001565094 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 90A (TC) | 6V, 10V | 4.8mohm @ 66a, 10V | 3.7V @ 100µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 4360 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||
| 62-0258pbf | - | | 2048 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tubo | Ativo | 62-0258 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001562410 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | |||||||||||||||||||||||||||
 | SI8802DB-T2-E1 | 0,5400 | | 175 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-xfbga | SI8802 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-microfoot | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 8 v | 3a (ta) | 1.2V, 4.5V | 54mohm @ 1a, 4.5V | 700MV A 250µA | 6,5 nc a 4,5 V | ± 5V | - | 500mW (TA) | |||||||||||||
 | Rur040n02tl | 0,6800 | | 23 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-96 | RUR040 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TSMT3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 4a (ta) | 1.5V, 4.5V | 35mohm @ 4a, 4.5V | 1.3V @ 1MA | 8 nc @ 4,5 V | ± 10V | 680 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||
 | DMP3096LQ-7 | 0,4000 | | 3 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3.000 | Canal P. | 30 v | 3.4a (ta) | 4.5V, 10V | 70mohm @ 3.8a, 10V | 2.1V @ 250µA | 7,5 nc @ 10 V | ± 20V | 366 pf @ 25 V | - | 800mW (TA) | |||||||||||||||
| MGSF1N02ELT1G | - | | 1144 | 0,00000000 | Onsemi | * | Obsoleto | MGSF1 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ687-ZK-E1-AY | 1.5000 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (MP-3ZK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 20 v | 20a (TC) | 2.5V, 4.5V | 7mohm @ 10a, 4.5V | - | 57 nc @ 4,5 V | ± 12V | 4400 pf @ 10 V | - | 1W (TA), 36W (TC) | |||||||||||||
 | UF3C065080K4S | 8.4600 | | 13 | 0,00000000 | Qorvo | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-4 | UF3C065080 | To-247-4 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2312-UF3C065080K4S | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 31a (TC) | 12V | 100mohm @ 20a, 12v | 6V @ 10Ma | 43 NC @ 12 V | ± 25V | 1500 pf @ 100 V | - | 190W (TC) | ||||||||||||
 | IPP04CN10NG | - | | 8610 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP04C | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 v | 100a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 100a, 10V | 4V A 250µA | 210 nc @ 10 V | ± 20V | 13800 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||
 | IXFP3N120 | 8.6700 | | 2 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IXFP3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1200 v | 3a (TC) | 10V | 4.5OHM @ 500MA, 10V | 5V A 1,5mA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||
 | Irfz46npbf | 1.4500 | | 25 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFZ46 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 55 v | 53a (TC) | 10V | 16.5mohm @ 28a, 10V | 4V A 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1696 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||||||||||
 | Ph4840s, 115 | - | | 5714 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 v | 94.5a (TC) | 7V, 10V | 4.1mohm @ 25a, 10V | 3V @ 1Ma | 67 nc @ 10 V | ± 20V | 3660 pf @ 10 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||
 | PJA3433-AU_R1_000A1 | 0,3300 | | 57 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3433 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 1.1a (ta) | 1.8V, 4.5V | 370mohm @ 1.1a, 4.5V | 1.3V a 250µA | 1,6 nc @ 4,5 V | ± 8V | 125 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||
 | BSC100N10NSFGATMA1 | 2.3900 | | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 100 v | 11.4a (ta), 90a (tc) | 10V | 10mohm @ 25a, 10V | 4V A 110µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 50 V | - | 156W (TC) | ||||||||||||
 | NTE492 | 2.2800 | | 4454 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2368-NTE492 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 250mA (TJ) | 10V | 3V @ 1Ma | ± 20V | 60 pf @ 25 V | - | 350mW (TA) | |||||||||||||||
 | NTD18N06L-001 | - | | 3399 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | NTD18 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 v | 18a (TA) | 5V | 65mohm @ 9a, 5v | 2V A 250µA | 22 NC @ 5 V | ± 15V | 675 pf @ 25 V | - | 2.1W (TA), 55W (TJ) | ||||||||||||
| PJX8856_R1_00001 | - | | 9503 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | PJX8856 | - | ROHS3 Compatível | 3757-PJX8856_R1_00001TR | Obsoleto | 1 |
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