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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMP3003-DL-1E | - |  | 6310 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SMP3003 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 75 v | 100a (ta) | 4V, 10V | 8mohm @ 50a, 10V | - | 280 nc @ 10 V | ± 20V | 13400 pf @ 20 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||
 | IRLU3717pbf | - | | 7850 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 15a, 10V | 2,45V a 250µA | 31 NC a 4,5 V | ± 20V | 2830 pf @ 10 V | - | 89W (TC) | ||||||||||||||
 | EPC2106ENGRT | - | | 7434 | 0,00000000 | EPC | Egan® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Morrer | EPC210 | Ganfet (Nitreto de Gálio) | - | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0040 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 100V | 1.7a | 70mohm @ 2a, 5V | 2,5V a 600µA | 0,73NC @ 5V | 75pf @ 50V | - | ||||||||||||||
 | IPA80R460CEXKSA1 | - | | 2657 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ CE | Tubo | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | IPA80R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A220-FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 5a (TC) | 10V | 460mohm @ 7.1a, 10V | 3.9V @ 680µA | 64 nc @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||||||||
 | Ao4423 | - | | 9704 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 17a (TA) | 6V, 20V | 6.2mohm @ 15a, 20V | 2.6V a 250µA | 57 nc @ 10 V | ± 25V | 3033 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||
 | IxTA02N250HV-Trl | 8.6140 | | 6494 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Ixta02 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263HV | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 238-IXTA02N250HV-TrlTr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 2500 v | 200Ma (TC) | 10V | 450OHM @ 50MA, 10V | 4.5V a 250µA | 7,4 nc @ 10 V | ± 20V | 116 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||
 | Rum002N02T2L | 0,3700 | | 783 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-723 | Rum002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Vmt3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-canal | 20 v | 200Ma (TA) | 1.2V, 2,5V | 1.2OHM @ 200MA, 2.5V | 1V @ 1MA | ± 8V | 25 pf @ 10 V | - | 150mW (TA) | |||||||||||||
 | ATF-55143-TR1G | - | | 2819 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 5 v | SC-82A, SOT-343 | ATF-55143 | 2GHz | E-phemt | SOT-343 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100mA | 10 MA | 14.4DBM | 17.7db | 0,6dB | 2,7 v | ||||||||||||||||||
 | STFU13N60M2 | 0,8990 | | 2480 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M2 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | STFU13 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10V | 4V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 25V | 580 pf @ 100 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||
 | DMT47M2SFVWQ-7-52 | 0,3621 | | 1407 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi3333-8 (SWP) Tipo UX | download | 31-DMT47M2SFVWQ-7-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 40 v | 15.4a (ta), 49.1a (tc) | 10V | 7.5mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 12,1 nc @ 10 V | ± 20V | 897 pf @ 20 V | - | 2.67W (TA), 27,1W (TC) | |||||||||||||||
 | IRF1010EPBF | 1.6500 | | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF1010 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 84a (TC) | 10V | 12mohm @ 50a, 10V | 4V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 3210 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||
 | SIR680LDP-T1-RE3 | 2.3400 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir680 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | - | 1 (ilimito) | 742-SIR680LDP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 31.8a (ta), 130a (tc) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 7250 PF @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||
 | IPW65R050CFD7AXKSA1 | 12.6000 | | 2055 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Coolmos ™ CFD7A | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IPW65R050 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA247-3-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 45a (TC) | 10V | 50mohm @ 24.8a, 10V | 4.5V @ 1.24MA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 4975 PF @ 400 V | - | 227W (TC) | ||||||||||||
 | FDB8443 | - | | 2256 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FDB844 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 25a (ta), 120a (tc) | 10V | 3mohm @ 80a, 10V | 4V A 250µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 9310 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | ||||||||||||
 | ZVN3320astz | - | | 9604 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | - | Através do buraco | E-line-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | E-line (Compatível com 92) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-canal | 200 v | 100mA (ta) | 10V | 25ohm @ 100ma, 10V | 3V @ 1Ma | ± 20V | 45 pf @ 25 V | - | 625MW (TA) | ||||||||||||||
 | BSS306NH6327XTSA1 | 0,4200 | | 123 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS306 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 2.3a (ta) | 4.5V, 10V | 57mohm @ 2.3a, 10V | 2V @ 11µA | 1,5 nc @ 5 V | ± 20V | 275 pf @ 15 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||
 | IRFR9024TRLPBF | 1.9400 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||
 | BSP315PE6327T | - | | 7341 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223-4 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 60 v | 1.17a (ta) | 4.5V, 10V | 800mohm @ 1.17a, 10V | 2V A 160µA | 7,8 nc @ 10 V | ± 20V | 160 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||
 | Fqu6N40CTU | - | | 6824 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-canal | 400 v | 4.5a (TC) | 10V | 1OHM @ 2.25A, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 30V | 625 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFS4310TRLPBF | 4.8200 | | 5 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFS4310 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 130a (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 7670 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | NMSD200B01-7 | - | | 4041 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 200Ma (TA) | 5V, 10V | 3ohm @ 50ma, 5V | 3V @ 1Ma | ± 20V | 50 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Isolado) | 200MW (TA) | ||||||||||||||
| ZVP4424ASTOA | - | | 7195 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | E-line-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | E-line (Compatível com 92) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | Canal P. | 240 v | 200Ma (TA) | 3.5V, 10V | 9OHM @ 200MA, 10V | 2V @ 1MA | ± 40V | 200 pf @ 25 V | - | 750mW (TA) | |||||||||||||||
 | FDD6670As | - | | 6521 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FDD667 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 76a (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 13.8a, 10V | 3V @ 1Ma | 40 nc @ 10 V | ± 20V | 1580 pf @ 15 V | - | 70W (TA) | |||||||||||||
| DMTH6006LPSW-13 | 0,3896 | | 7863 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | DMTH6006 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi5060-8 (TIPO Q) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 31-DMTH6006LPSW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 17.2a (ta), 100a (tc) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 34,9 nc @ 10 V | ± 20V | 2162 pf @ 30 V | - | 2.88W (TA), 100W (TC) | |||||||||||
| TK4P55DA (T6RSS-Q) | - | | 2865 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | π-mosvii | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TK4P55 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | TK4P55DAT6RSSQ | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 550 v | 3.5a (ta) | 10V | 2.45Ohm @ 1.8a, 10V | 4.4V @ 1MA | 9 nc @ 10 V | ± 30V | 380 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||
 | FDS6375 | 0,9600 | | 2423 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 20 v | 8a (ta) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 8a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 36 NC a 4,5 V | ± 8V | 2694 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | AON5802B | - | | 6842 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-WFDFN PAD EXPOSTO | AON5802 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.6W | 6-DFN-EP (2x5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 30V | 7.2a | 19mohm @ 7a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 24NC @ 10V | 1150pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | EPC2044 | 2.0400 | | 7 | 0,00000000 | EPC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Morrer | EPC20 | Ganfet (Nitreto de Gálio) | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2.500 | N-canal | 100 v | 9.4a (ta) | 5V | 10.5mohm @ 10a, 5V | 2.5V @ 3Ma | 5,5 nc @ 5 V | +6V, -4V | 664 pf @ 50 V | - | - | ||||||||||||||
 | IXFZ520N075T2 | 45.8900 | | 7 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Trencht2 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | IXFZ520 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | De475 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 75 v | 465a (TC) | 10V | 1.3mohm @ 100a, 10V | 4V @ 8MA | 545 nc @ 10 V | ± 20V | 41000 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||||||||||
 | MRF5S21090HSR5 | - | | 9089 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | NI-780S | MRF5 | 2.11 GHz | LDMOS | NI-780S | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 850 mA | 19W | 14.5dB | - | 28 v |
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