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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF540SPBF | 2.3500 |  | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF540 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF540SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4V A 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||
 | BLF13H9L750PU | - | | 6434 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Bandeja | Descontinuado no sic | 108 v | Montagem do chassi | SOT-539A | BLF13 | 1,3 GHz | LDMOS | SOT539A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | Fonte Dupla E Comum | 2.8µA | 200 MA | 750W | 19dB | - | 50 v | |||||||||||||||
 | IXFH20N60 | - | | 3829 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IXFH20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD (IXFH) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | IXFH20N60-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 20a (TC) | 10V | 350mohm @ 10a, 10V | 4.5V @ 4MA | 170 nc @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | Ixta150n15x4-7 | 13.7900 | | 9311 | 0,00000000 | Ixys | Ultra X4 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | Ixta150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263-7 (IXTA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 150 v | 150a (TC) | 10V | 6.9mohm @ 75a, 10V | 4.5V a 250µA | 105 nc @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 25 V | - | 480W (TC) | ||||||||||||
 | DMTH6016LFDFW-7 | 0,2725 | | 8530 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | DMTH6016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | U-DFN2020-6 (SWP) (TIPO F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 9.4a (ta) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 10a, 10V | 3V A 250µA | 15,3 nc @ 10 V | ± 20V | 925 pf @ 30 V | - | 1.06W (TA) | ||||||||||||
 | FDW2512NZ | - | | 3251 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | FDW25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.6W | 8-TSSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 6a | 28mohm @ 6a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 12NC @ 4.5V | 670pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | FDD5N50FTF_WS | - | | 8922 | 0,00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FDD5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 500 v | 3.5a (TC) | 10V | 1.55Ohm @ 1.75a, 10V | 5V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 30V | 650 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
 | STS20N3llh6 | - | | 7264 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | STS20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 20a (TC) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 10a, 10V | 1V a 250µA | 17 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1690 pf @ 25 V | - | 2.7W (TC) | ||||||||||||
 | SI2321-TP | 0,4100 | | 61 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2321 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.9a (ta) | 4.5V | 110mohm @ 2.2a, 10V | 900MV A 250µA | 13 NC @ 4,5 V | ± 12V | 715 pf @ 6 V | - | 350mW (TA) | ||||||||||||
 | MRF6S21050LSR3 | - | | 9100 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 v | Montagem do chassi | NI-400S | MRF6 | 2,16 GHz | LDMOS | NI-400S | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 450 Ma | 11.5W | 16dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
 | SSM3J66MFV, L3F | 0,3800 | | 7 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOT-723 | SSM3J66 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Vesm | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | Canal P. | 20 v | 800mA (TA) | 1.2V, 4.5V | 390mohm @ 800Ma, 4.5V | 1V @ 1MA | 1,6 nc @ 4,5 V | +6V, -8V | 100 pf @ 10 V | - | 150mW (TA) | |||||||||||||
 | BG5120KH6327XTSA1 | - | | 7662 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 v | Montagem na Superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT363-PO | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20mA | 10 MA | - | 23dB | 1.1dB | 5 v | |||||||||||||||||
 | TPIC5403DW | 1.4400 | | 778 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | Volume | Ativo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IXFN210N30X3 | 48.2200 | | 369 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Ultra X3 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | IXFN210 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 300 v | 210a (TC) | 10V | 4.6mohm @ 105a, 10V | 4.5V @ 8Ma | 375 nc @ 10 V | ± 20V | 24200 pf @ 25 V | - | 695W (TC) | ||||||||||||
 | IPZ60R125P6FKSA1 | - | | 8676 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P6 | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-4 | IPZ60R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA247-4 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 600 v | 37.9a (TC) | 10V | 99mohm @ 14.5a, 10V | 4.5V @ 1.21MA | 70 nc @ 10 V | ± 20V | 3330 PF @ 100 V | - | 219W (TC) | |||||||||||||
| SAC2504 | 10.2100 | | 49 | 0,00000000 | Aperapex, LLC | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | 40GHz | Morrer | - | 4775-Sac2504TB | 3 | 85mA | 20 MA | - | 6dB | 1.4dB | 2 v | |||||||||||||||||||||||
 | GTVA101K42EV-V1-R250 | 1.0000 | | 4221 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Gan | Tape & Reel (TR) | Ativo | 125 v | Montagem do chassi | H-36275-4 | GTVA101 | 960MHz ~ 1.215 GHz | Hemt | H-36275-4 | download | 1 (ilimito) | 1697-GTVA101K42EV-V1-R250TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 200 MA | 1400W | 17db | - | 50 v | |||||||||||||||||
| CLF1G0060S-30 | - | | 2745 | 0,00000000 | Rochester Electronics, LLC | - | Volume | Obsoleto | 150 v | Montagem na Superfície | SOT-1227B | 6GHz | Hemt | SOT1227B | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 2156-CLF1G0060S-30 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 150 MA | 30w | 13.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||||
 | BLF248,112 | - | | 7689 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | SOT-262A1 | 225MHz | MOSFET | CDFM4 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 25a | 300W | 11.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||
 | STW12NK90Z | 6.2600 | | 6006 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | STW12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-4421-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 900 v | 11a (TC) | 10V | 880mohm @ 5.5a, 10V | 4.5V @ 100µA | 152 NC @ 10 V | ± 30V | 3500 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||
 | SIS415DNT-T1-GE3 | 0,7500 | | 9694 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SIS415 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 35a (TC) | 2.5V, 10V | 4mohm @ 20a, 10V | 1,5V a 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 12V | 5460 pf @ 10 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||
 | Buk962R5-60E, 118 | 3.8800 | | 800 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Buk962 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 5V | 2.5mohm @ 25a, 5V | 2.1V @ 1Ma | 120 nc @ 5 V | ± 10V | 17450 pf @ 25 V | - | 357W (TC) | ||||||||||||
 | CSD18534Q5a | 1.0700 | | 51 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD18534 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 13a (ta), 50a (tc) | 4.5V, 10V | 9.8mohm @ 14a, 10v | 2.3V A 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | ||||||||||||
| DMPH6050SFG-7 | 0,2482 | | 9500 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DMPH6050 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | DMPH6050SFG-7DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P. | 60 v | 6.1a (ta), 18a (tc) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 7a, 10V | 3V A 250µA | 24,1 nc @ 10 V | ± 20V | 1293 pf @ 30 V | - | 3.2w | |||||||||||||
 | SQJ264EP-T1_GE3 | 1.6100 | | 9441 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ264 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W (TC), 48W (TC) | PowerPak® SO-8 Assimético Duplo | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 60V | 20A (TC), 54A (TC) | 20mohm @ 6a, 10v, 8.6mohm @ 10a, 10V | 3,5V a 250µA | 16NC @ 10V, 32NC @ 10V | 1000pf @ 25V, 2100pf @ 25V | - | ||||||||||||||||
 | IPBE65R050CFD7AATMA1 | 13.8700 | | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Coolmos ™ CFD7A | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB | IpBe65 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-7-3-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 650 v | 45a (TC) | 10V | 50mohm @ 24.8a, 10V | 4.5V @ 1.24MA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 4975 PF @ 400 V | - | 227W (TC) | ||||||||||||
 | FDPF190N15A | 3.0500 | | 6360 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | FDPF190 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 150 v | 27.4a (TC) | 10V | 19mohm @ 27.4a, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 2685 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | ||||||||||||
 | IRF3710STRR | - | | 4742 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 57a (TC) | 10V | 23mohm @ 28a, 10V | 4V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 3130 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||
| A2T09D400-23NR6 | 95.1720 | | 4344 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 70 v | Montagem do chassi | OM-1230-4L2S | A2T09 | 716MHz ~ 960MHz | LDMOS | OM-1230-4L2S | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 935318726528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | 10µA | 1.2 a | 400W | 17.8db | - | 28 v | |||||||||||||||
| PXFC211507SCV1R250XTMA1 | - | | 9036 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 28 v | H-37248G-4/2 | PXFC211507 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | H-37248G-4/2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001232280 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | Dual | 10µA | - | 20.4dB | - |
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