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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | A2T21S161W12SR3 | - |  | 6110 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 28 v | Montagem do chassi | NI-780-2S2L | A2T21 | 2,11 GHz ~ 2,2 GHz | LDMOS | NI-780-2S2L | - | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 935363146128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 38W | - | - | |||||||||||||||||
 | IRFR24N15DPBF | - | | 3046 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 150 v | 24a (TC) | 10V | 95mohm @ 14a, 10v | 5V A 250µA | 45 nc @ 10 V | ± 30V | 890 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||
 | IPD70R1K4Ceauma1 | 0,8200 | | 2771 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 700 v | 5.4a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 1A, 10V | 3,5V A 130µA | 10,5 nc @ 10 V | ± 20V | 225 pf @ 100 V | - | 53W (TC) | ||||||||||||
 | EPC2030 | 6.9400 | | 4 | 0,00000000 | EPC | Egan® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Morrer | EPC20 | Ganfet (Nitreto de Gálio) | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0040 | 500 | N-canal | 40 v | 31a (TA) | 2.4mohm @ 30a, 5V | 2.5V @ 16Ma | 18 NC @ 5 V | 1900 pf @ 20 V | - | |||||||||||||||
 | SIR1309DP-T1-GE3 | 0,9400 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 19.1a (TA), 65.7a (TC) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 87 nc @ 10 V | ± 25V | 3250 pf @ 15 V | - | 4.8W (TA), 56,8W (TC) | |||||||||||||||
| FDMS8350L | 2.1700 | | 981 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Power56 | download | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-FDMS8350L | Ear99 | 8541.29.0095 | 139 | N-canal | 40 v | 47A (TA), 290A (TC) | 4.5V, 10V | 0,85mohm @ 47a, 10V | 3V A 250µA | 242 NC @ 10 V | ± 20V | 17500 pf @ 20 V | - | 2.7W (TA), 113W (TC) | |||||||||||||
| ECH8607-TL-E | 0,4100 | | 3 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SIR164ADP-T1-GE3 | 1.0700 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir164 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 35.9a (ta), 40a (tc) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 15a, 10V | 2.2V A 250µA | 77 nc @ 10 V | +20V, -16V | 3595 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||||||||||
| CDM2206-800lr | - | | 7583 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | 1 (ilimito) | 1514-CDM2206-800LR | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 6a (TC) | 10V | 950mohm @ 3a, 10V | 4V A 250µA | 24,3 nc @ 10 V | 30V | 474,7 pf @ 100 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||
 | PMPB100EEA115 | 0,1500 | | 27 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | PMPB100 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | AON2240 | 0,2051 | | 5556 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | Aon22 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-DFN (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 8a (ta) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 8a, 10V | 2.4V a 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 415 pf @ 20 V | - | 2.8W (TA) | ||||||||||||
| APTM50DHM35G | - | | 4534 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 781W | Sp6 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 500V | 99a | 39mohm @ 49.5a, 10V | 5V @ 5MA | 280NC @ 10V | 14000pf @ 25V | - | ||||||||||||||||
 | BLP05H635XRY | - | | 4680 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 135 v | Montagem na Superfície | SOT-1223-2 | BLP05 | 108MHz | LDMOS | 4-HSOPF | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | Fonte Dupla E Comum | - | 10 MA | 35W | 27dB | - | 50 v | |||||||||||||||
 | DMPH4015SK3-13 | 0,4263 | | 8976 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | DMPH4015 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 40 v | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 9.8a, 10V | 2,5V a 250µA | 91 nc @ 10 V | ± 25V | 4234 pf @ 20 V | - | 3.3W (TA) | ||||||||||||
| IRFS7434-7ppbf | - | | 2838 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 v | 240a (TC) | 6V, 10V | 1mohm @ 100a, 10V | 3,9V a 250µA | 315 NC @ 10 V | ± 20V | 10250 pf @ 25 V | - | 245W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRFS7530pbf | - | | 9253 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 2mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250µA | 411 NC @ 10 V | ± 20V | 13703 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||
 | RFM04U6P (TE12L, F) | 1.5493 | | 7126 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 16 v | Montagem na Superfície | TO-243AA | RFM04U6 | 470MHz | MOSFET | Pw-mini | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 2a | 500 MA | 4.3W | 13.3dB | - | 6 v | ||||||||||||||||
| IRF3415S | - | | 6790 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF3415S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 150 v | 43a (TC) | 10V | 42mohm @ 22a, 10V | 4V A 250µA | 200 nc @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||
 | BLL8H0514-25U | - | | 3413 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Bandeja | Descontinuado no sic | 100 v | Montagem do chassi | SOT-467C | Bll8 | 1,2 GHz | LDMOS | SOT467C | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 20 | - | 50 MA | 25W | 21dB | - | 50 v | ||||||||||||||||
 | Ixty4n65x2-trl | 1.2663 | | 1584 | 0,00000000 | Ixys | Ultra X2 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Ixty4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-IXTY4N65X2-TRLTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 v | 4a (TC) | 10V | 850mohm @ 2a, 10V | 5V A 250µA | 8,3 nc @ 10 V | ± 30V | 455 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||
| Ntd4913nt4g | - | | 7119 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | NTD49 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 7.7a (ta), 32a (tc) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V A 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 1013 pf @ 15 V | - | 1.36W (TA), 24W (TC) | |||||||||||||
 | 2SJ360 (TE12L, F) | - | | 7247 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 2SJ360 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pw-mini | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | Canal P. | 60 v | 1a (ta) | 4V, 10V | 730mohm @ 500mA, 10V | 2V @ 1MA | 6,5 nc @ 10 V | ± 20V | 155 pf @ 10 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||||
 | SC8673010L | 2.5000 | | 2 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERSMD, FIOS Planos | SC86730 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W, 2,5W | HSO8-F3-B | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 30V | 16a, 40a | 10mohm @ 8a, 10V | 3V @ 4.38MA | 6.3NC @ 4.5V | 5180pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | DMT32M6LDG-7 | 1.4800 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | DMT32 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W (TA) | PowerDi3333-8 (Tipo G) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 21a (ta), 47a (tc) | 2.5mohm @ 18a, 10V | 2.2V @ 400µA | 15.6NC @ 4.5V | 2101pf @ 15V | Padrão | |||||||||||||||
 | IXFP230N075T2 | 7.1800 | | 24 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Trencht2 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IXFP230 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 v | 230A (TC) | 10V | 4.2mohm @ 50a, 10V | 4V @ 1MA | 178 NC @ 10 V | ± 20V | 10500 pf @ 25 V | - | 480W (TC) | ||||||||||||
 | 2SK2848 | - | | 3739 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 2SK2848 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.750 | N-canal | 600 v | 2a (ta) | 10V | 3.8OHM @ 1A, 10V | 4V A 250µA | ± 30V | 290 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||
| N0400P-ZK-E1-AY | 1.5400 | | 9180 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | -1161-N0400P-ZK-E1-AYCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 40 v | 15a (TC) | 2.5V, 4.5V | 40mohm @ 7.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 16 nc @ 4,5 V | ± 12V | 1400 pf @ 10 V | - | 1W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||
 | SIJ4108DP-T1-GE3 | 1.7200 | | 3275 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sij4108 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 15.2a (ta), 56.7a (tc) | 7.5V, 10V | 52mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2440 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 69,4W (TC) | ||||||||||||||
 | FDB2532-F085 | 3.2604 | | 8537 | 0,00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FDB2532 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 v | 79a (TC) | 6V, 10V | 16mohm @ 33a, 10V | 4V A 250µA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 5870 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||
 | BUK9K6R8-40EX | 1.8300 | | 6 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk9K6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 64W | LFPAK56D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 40A | 6.1mohm @ 10a, 10V | 2.1V @ 1Ma | 22.2NC @ 5V | 3000pf @ 25V | Portão de Nível Lógico |
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