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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOD66406 | 0,6000 |  | 44 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ALPHASGT ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AOD66 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 25a (ta), 60a (tc) | 4.5V, 10V | 6.1mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 1480 pf @ 20 V | - | 6.2W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||
 | IRFB4310GPBF | - | | 3919 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001564018 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 130a (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 7670 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||
 | TSM3457CX6 | 0,3881 | | 6115 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | TSM3457 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-26 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM3457CX6TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | Canal P. | 30 v | 5a (ta) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 5a, 10V | 3V A 250µA | 9,52 nc @ 10 V | ± 20V | 551,57 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||
 | IRF6728MTRPBF | - | | 4208 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MX | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MX | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001530842 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 v | 23A (TA), 140A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 23a, 10V | 2.35V @ 100µA | 42 NC a 4,5 V | ± 20V | 4110 PF @ 15 V | - | 2.1W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||
 | Aptm100um45fag | 457.3533 | | 4543 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Sp6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 215a (TC) | 10V | 52mohm @ 107.5a, 10V | 5V @ 30MA | 1602 nc @ 10 V | ± 30V | 42700 pf @ 25 V | - | 5000W (TC) | ||||||||||||
| Aptm20am05fg | 279.2300 | | 6828 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1136W | Sp6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 200V | 317a | 5mohm @ 158.5a, 10V | 5V @ 10Ma | 448NC @ 10V | 27400pf @ 25V | - | ||||||||||||||
 | CPH6341-TL-EX | - | | 7425 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | CPH634 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6 cph | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 5a (ta) | 4V, 10V | 59mohm @ 3a, 10V | - | 10 nc @ 10 V | ± 20V | 430 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||
 | PJQ5428_R2_00001 | 0,5795 | | 2339 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | PJQ5428 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN5060-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJQ5428_R2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 20a (ta), 130a (tc) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 60 nc @ 4,5 V | ± 20V | 6771 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 83W (TC) | |||||||||||
 | DMP6180SK3-13 | 0,5900 | | 10 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | DMP6180 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 60 v | 14a (TC) | 4.5V, 10V | 110mohm @ 12a, 10V | 2.7V @ 250µA | 17,1 nc @ 10 V | ± 20V | 984.7 pf @ 30 V | - | 1.7W (TA) | ||||||||||||
 | SI3460DDV-T1-GE3 | 0,4100 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3460 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 7.9a (TC) | 1.8V, 4.5V | 28mohm @ 5.1a, 4.5V | 1V a 250µA | 18 NC @ 8 V | ± 8V | 666 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 2,7W (TC) | |||||||||||||
 | FCP4N60 | 2.3200 | | 273 | 0,00000000 | Onsemi | Superfet ™ | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | FCP4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 3.9a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 2A, 10V | 5V A 250µA | 16,6 nc @ 10 V | ± 30V | 540 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||
 | BSD314SPE L6327 | - | | 5959 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ -p 3 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT363-6-6 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 790 | Canal P. | 30 v | 1.5a (ta) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 1.5a, 10V | 2V @ 6.3µA | 2,9 nc @ 10 V | ± 20V | 294 pf @ 15 V | - | 500mW (TA) | |||||||||||||
| ZXMN4A06KTC | 1.2500 | | 3622 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | ZXMN4A06 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 7.2a (ta) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 4.5a, 10V | 1V a 250µA | 17,1 nc @ 10 V | ± 20V | 827 pf @ 20 V | - | 2.15W (TA) | ||||||||||||
 | DMP3099L-7-50 | 0,0600 | | 8358 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMP3099 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | 31-DMP3099L-7-50 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 3.8a (ta) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 3.8a, 10V | 2.1V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 563 pf @ 25 V | - | 1.08W | ||||||||||||||
 | IRFH7107TRPBF | - | | 2052 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 75 v | 14a (ta), 75a (tc) | 10V | 8.5mohm @ 45a, 10V | 4V @ 100µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3110 pf @ 25 V | - | 3.6W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||
 | CEDM7002AE TR PBFREE | 0,3900 | | 2 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | CEDM7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-883L | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-canal | 60 v | 300mA (TA) | 2.5V, 10V | 1.4OHM @ 500MA, 10V | 2V A 250µA | 0,5 nc @ 4,5 V | 20V | 50 pf @ 25 V | - | 100mW (TA) | ||||||||||||
 | IRF9333TRPBF | - | | 8220 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF9333 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P. | 30 v | 9.2a (TA) | 4.5V, 10V | 19.4mohm @ 9.2a, 10V | 2.4V @ 25µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 1110 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | AO4818BL_101 | - | | 7586 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO481 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8a | 19mohm @ 8a, 10V | 2.4V a 250µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | PSMN3R2-40YLDX | 1.5300 | | 5371 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | PSMN3R2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 v | 120A (TA) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 25a, 10V | 2.05V @ 1MA | 57 nc @ 10 V | ± 20V | 4103 pf @ 20 V | Diodo Schottky (Corpo) | 115W (TA) | ||||||||||||
| AO4354 | 0,7600 | | 167 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO43 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 23a (TA) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 2010 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||
 | IRF9630S | - | | 4438 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF9630 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF9630S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 200 v | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||||||||
 | FQAF6N80 | - | | 6629 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo para 3p-3 | Fqaf6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3PF | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 800 v | 4.4a (TC) | 10V | 1.95OHM @ 2.2a, 10V | 5V A 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||
| FDD3672-F085 | - | | 7875 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Automotivo, AEC-Q101, Ultrafet ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-FDD3672-F085-600039 | 1 | N-canal | 100 v | 44a (TC) | 6V, 10V | 47mohm @ 21a, 6v | 4V A 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 20V | 1635 pf @ 25 V | - | 144W (TC) | |||||||||||||||
 | MMRF1305HR5 | 88.3000 | | 56 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 133 v | Montagem do chassi | NI-780-4 | MMRF1305 | 512MHz | LDMOS | NI-780-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - | 100 ma | 100w | 26dB | - | 50 v | |||||||||||||||
 | STF10NK50Z | - | | 2239 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | STF10N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 9a (TC) | 10V | 700mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 100µA | 39,2 nc @ 10 V | ± 30V | 1219 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||
 | AUIRFS3006-7TRL | 4.2330 | | 8438 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001521716 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 240a (TC) | 2.1mohm @ 168a, 10V | 4V A 250µA | 300 nc @ 10 V | 8850 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||
 | IRFR1010ZTRLPBF | 0,7149 | | 8864 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR1010 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001564960 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 v | 42a (TC) | 10V | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||
 | FQP5N20L | 0,2900 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 200 v | 4.5a (TC) | 5V, 10V | 1.2OHM @ 2.25A, 10V | 2V A 250µA | 6,2 nc @ 5 V | ± 20V | 325 pf @ 25 V | - | 52W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFH5006TR2PBF | - | | 5406 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 v | 21a (ta), 100a (tc) | 4.1mohm @ 50a, 10V | 4V A 150µA | 100 nc @ 10 V | 4175 pf @ 30 V | - | ||||||||||||||||||
| Rd3p07bbhtl1 | 3.0100 | | 8402 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RD3P07 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 80A (TA), 70A (TC) | 6V, 10V | 7.7mohm @ 70a, 10V | 4V @ 1MA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 50 V | - | 89W (TA) |
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