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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRF9952QTR | - |  | 6192 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AUIRF9952 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001517940 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N E P-Canal | 30V | 3.5a, 2.3a | 100mohm @ 2.2a, 10V | 3V A 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
 | SI4804BDY-T1-E3 | - | | 8729 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4804 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a, 10V | 3V A 250µA | 11nc @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | MRF140 | 111.4650 | | 3299 | 0,00000000 | Macom Technology Solutions | - | Bandeja | Ativo | 65 v | 211-11, Estilo 2 | 30MHz ~ 150MHz | MOSFET | 211-11, Estilo 2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1465-1149 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 16a | 250 Ma | 150W | 6dB ~ 15dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
 | PMV120ENEAR | 0,4200 | | 382 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-236AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 2.1a (ta) | 4.5V, 10V | 123mohm @ 2.1a, 10V | 2.7V @ 250µA | 7,4 nc @ 10 V | ± 20V | 275 pf @ 30 V | - | 513MW (TA), 6,4W (TC) | ||||||||||||
 | NVD20N03L27T4G | - | | 2456 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | NVD20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 20A (TA) | 4V, 5V | 27mohm @ 10a, 5V | 2V A 250µA | 18,9 nc @ 10 V | ± 20V | 1260 pf @ 25 V | - | 1.75W (TA), 74W (TC) | |||||||||||||
 | DMN3023L-13 | 0,0930 | | 8065 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN3023 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMN3023L-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-canal | 30 v | 6.2a (ta) | 2.5V, 10V | 25mohm @ 4a, 10V | 1.8V a 250µA | 18,4 nc @ 10 V | ± 20V | 873 pf @ 15 V | - | 900MW (TA) | |||||||||||
 | HUFA76629D3 | - | | 2028 | 0,00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | Hufa76 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 v | 20a (TC) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 46 nc @ 10 V | ± 16V | 1285 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||
 | MRF7S21150HSR3 | - | | 1533 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | NI-780S | MRF7 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-780S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 935309845128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.35 a | 44W | 17.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | Sia436dj-t1-ge3 | 0,6300 | | 1430 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 | Sia436 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 v | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 9.4mohm @ 15.7a, 4.5V | 800mV A 250µA | 25,2 nc @ 5 V | ± 5V | 1508 pf @ 4 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||
 | FDPF5N50NZF | 0,7900 | | 552 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Unifet-ii ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 4.2a (TC) | 10V | 1.75Ohm @ 2.1a, 10V | 5V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 25V | 485 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||
 | Tsm150nb04lcr rlg | 1.4100 | | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 10a (ta), 41a (tc) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 966 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 56W (TC) | ||||||||||||
 | IPW65R019C7FKSA1 | 26.2000 | | 324 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ C7 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IPW65R019 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 75a (TC) | 10V | 19mohm @ 58.3a, 10V | 4V @ 2.92MA | 215 NC @ 10 V | ± 20V | 9900 pf @ 400 V | - | 446W (TC) | ||||||||||||
 | FDC6000NZ_F077 | - | | 4196 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6 -Ssot Lead Plana, SuperSot ™ -6 FLMP | FDC6000 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.2W | SuperSot ™ -6 FLMP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 7.3a | 20mohm @ 6.5a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 11nc @ 4.5V | 840pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | IRFH4251DTRPBF | - | | 3738 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | FastIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | IRFH4251 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 31W, 63W | Pg-tison-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 N-Canal (Duplo), Schottky | 25V | 64a, 188a | 3.2mohm @ 30a, 10V | 2.1V @ 35µA | 15NC @ 4.5V | 1314pf @ 13V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | MMIX1T600N04T2 | 39.4400 | | 20 | 0,00000000 | Ixys | FRFET®, Supremos® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 24-Powersmd, 21 leads | MMIX1T600 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 24-smpd | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 40 v | 600A (TC) | 10V | 1.3mohm @ 100a, 10V | 3,5V a 250µA | 590 nc @ 10 V | ± 20V | 40000 pf @ 25 V | - | 830W (TC) | ||||||||||||
 | PMCXB900UEZ | 0,4000 | | 165 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-XFDFN PAD EXPOSTO | PMCXB900 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 265mw | DFN1010B-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | N e P-Canal complementar | 20V | 600mA, 500mA | 620mohm @ 600mA, 4,5V | 950MV A 250µA | 0,7NC @ 4.5V | 21.3pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-7 | 1.1000 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | DMT47 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.34W (TA), 14,8W (TC) | PowerDi3333-8 (TIPO UXC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 11.9a (ta), 30.2a (TC) | 10.8mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 14NC @ 10V | 891pf @ 20V | - | ||||||||||||||
 | FQPF6N80 | - | | 8071 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 3.3a (TC) | 10V | 1.95OHM @ 1.65a, 10V | 5V A 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 25 V | - | 51W (TC) | |||||||||||||||
 | Ixtp4n65x2 | 2.8600 | | 236 | 0,00000000 | Ixys | Ultra X2 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ixtp4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 4a (TC) | 10V | 850mohm @ 2a, 10V | 5V A 250µA | 8,3 nc @ 10 V | ± 30V | 455 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||
 | YJD180N03A | 0,3400 | | 250 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-yjd180n03atr | Ear99 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD16N03LT, 118 | - | | 5240 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | PhD16 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 67mohm @ 16a, 10V | 2V @ 1MA | 8,5 nc @ 10 V | ± 15V | 210 pf @ 30 V | - | 32.6W (TC) | ||||||||||||
| AONS36326 | - | | 3418 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | AONS363 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 785-AONS36326TR | Obsoleto | 3.000 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDI9406 | 1.8500 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | FDI940 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Ixth60n30t | - | | 9046 | 0,00000000 | Ixys | Trincheira | Tubo | Ativo | - | Através do buraco | To-247-3 | Ixth60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 (ixth) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 300 v | 60a (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||
 | IRLL3303pbf | - | | 5319 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 160 | N-canal | 30 v | 4.6a (ta) | 31mohm @ 4.6a, 10V | 1V a 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 16V | 840 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||
| CA/JCOP/MF4K/4B-UZ | - | | 8812 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI4401DY-T1-GE3 | - | | 8411 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4401 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 40 v | 8.7a (ta) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 10.5a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 50 nc @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||
 | PJA3415_R1_00001 | 0,3700 | | 22 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3415 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 4a (ta) | 1.8V, 4.5V | 57mohm @ 4a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 18 NC a 4,5 V | ± 12V | 756 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||
 | IRFB7434GPBF | - | | 8217 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Tubo | Obsoleto | - | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.6mohm @ 100a, 10V | 3,9V a 250µA | 324 nc @ 10 V | ± 20V | 10820 pf @ 25 V | - | - | |||||||||||||
 | DMP2900UWQ-13 | 0,0500 | | 8772 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 31-DMP2900UWQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canal P. | 20 v | 600mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 750mohm @ 430mA, 4.5V | 1V a 250µA | 0,7 PC a 4,5 V | ± 6V | 49 pf @ 16 V | - | 300mw |
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