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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C1Z180B TR | - | ![]() | 6640 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 500 mA | 5 µA a 136,8 V | 180 v | 1200 ohms | |||||||||||||
![]() | BZT52C30S RRG | - | ![]() | 9588 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 21 V | 30 v | 80 ohms | |||||||||||
![]() | PR1503S-T | - | ![]() | 7039 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | PR1503 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | |||||||||
![]() | 1N4112DUR-1/TR | 9.6300 | ![]() | 4914 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13,7 V | 18 v | 100 ohms | |||||||||||||||
![]() | W02G/1 | - | ![]() | 9559 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-circular, WOG | Padrão | Wog | download | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 1 A | 5 µA A 200 V | 1.5 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||||
![]() | SL43HE3_B/H. | 0,4125 | ![]() | 8702 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SL43 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 470 mV @ 8 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - | ||||||||||
![]() | G5S12010C | - | ![]() | 3634 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252 | - | Fornecedor indefinido | 4436-G5S12010C | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 34.2a | 825pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5926BPE3/TR8 | 0,9450 | ![]() | 2900 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5926 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 v | 5,5 ohms | |||||||||||
![]() | SK55CHR7G | - | ![]() | 3398 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK55 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mv @ 5 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||
JANS1N3156-1/TR | - | ![]() | 9491 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N3156-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 A | 10 µA a 5,5 V | 8,8 v | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | FFPF05U120STTU | - | ![]() | 4387 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | FFPF05 | Padrão | TO-220F-2L | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,5 V @ 5 A | 100 ns | 5 µA A 1200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||
![]() | GPP20G-E3/73 | - | ![]() | 5063 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | GPP20 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 2 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||
DBL151G C1G | - | ![]() | 6882 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl151 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 100 V | 1.5 a | Fase Única | 50 v | ||||||||||||
![]() | Sml4762ahe3_a/i | 0,2063 | ![]() | 4229 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4762 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA A 62,2 V | 82 v | 200 ohms | ||||||||||||
Flz4v7c | - | ![]() | 1266 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Flz4 | 500 MW | SOD-80 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 mA | 190 Na @ 1 V | 4,8 v | 21 ohms | |||||||||||||
Jantxv1N4996Cus | - | ![]() | 7308 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA @ 297 V | 390 v | 1800 ohms | ||||||||||||||
![]() | SE100PWTGHM3/i | 1.0100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Padrão | Slimdpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,14 V @ 10 A | 2,6 µs | 20 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.7a | 78pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | CZRER52C2-HF | - | ![]() | 3223 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | 0503 (1308 Mética) | CZRER52C2 | 150 MW | 0503 (1308 Mética) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mV a 10 mA | 100 µA @ 1 V | 2 v | 100 ohms | |||||||||||
![]() | Jan1n5418/tr | 6.0900 | ![]() | 8678 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N5418/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||||||||
![]() | SR22W_R1_00001 | 0,3800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SR22 | Schottky | SMA (DO-214AC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | ||||||||||
![]() | Es3bhm6g | - | ![]() | 4194 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ES3B | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | MM5Z47VT5G | 0,2600 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Onsemi | Mm5zzxxxxt1g | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,38% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | MM5Z47 | 500 MW | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 32,9 V | 47 v | 170 ohms | |||||||||||
![]() | RHRP860-R4647 | - | ![]() | 8543 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 2156-RHRP860-R4647-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C68-AU_R1_000A1 | 0,0216 | ![]() | 1738 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 410 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.250.000 | 100 Na @ 51 V | 68 v | 200 ohms | ||||||||||||
![]() | 1N4977US/TR | 9.5200 | ![]() | 5570 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 101 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA a 47,1 V | 62 v | 42 ohms | |||||||||||||||
![]() | ZM4756A | 0.0830 | ![]() | 8016 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | ZM4756 | 1 w | Mell | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-ZM4756ATR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA A 35,8 V | 47 v | 80 ohms | ||||||||||||
![]() | HZS7B3TD-E | 0,1100 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Sft11g a1g | - | ![]() | 9783 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Descontinuado no sic | Através do buraco | T-18, axial | SFT11 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SF18GL-BP | 0,0945 | ![]() | 3479 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SF18 | Padrão | DO-41 | download | 353-SF18GL-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MURF1560 | - | ![]() | 1219 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | Padrão | ITO-220AC | - | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1655-MURF1560 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 15 A | 50 ns | 25 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - |
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