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Diodos (166326)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SZMMBZ5250ELT1G | - |  | 1201 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SZMMBZ5250 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25 ohms | |||||||||||||
 | Janhca1n984c | - | | 7310 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem NA Superfície | Morrer | 500 MW | Morrer | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANHCA1N984C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA A 69,2 V | 91 v | 400 ohms | |||||||||||||||
 | 1n4571/tr | 6.7050 | | 8426 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204aa, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N4571/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 141 | 2 µA @ 3 V | 6,4 v | 100 ohms | ||||||||||||||||
 | Puup6bh | 1.1100 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 940 mV @ 6 a | 25 ns | 2 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 96pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | MBRBL30100CT | 0,4960 | | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Schottky | D2PAK | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBRBL30100CTTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 720 mV @ 15 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
| 1N7053UR-1/TR | 9.4500 | | 8810 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 102 | |||||||||||||||||||||||||||
 | VS-60CTQ035-N3 | - | | 7120 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | 60ctq035 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs60ctq035n3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 30a | 560 mV @ 30 A | 2 mA a 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | BZT52C22Q | 0,0220 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZT52C22QTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | ES5F | 0,1050 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES5FTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ5267C-G3-18 | 0,0483 | | 5891 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem NA Superfície | SOD-123 | MMSZ5267 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 56 V | 75 v | 270 ohms | ||||||||||||||
| DD171N16KKHPSA1 | 160.0375 | | 6321 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | DD171N16 | - | ROHS3 Compatível | 8 | |||||||||||||||||||||||||||
 | TZM5264C-GS18 | - | | 4112 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C. | Montagem NA Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TZM5264 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 46 V | 60 v | 170 ohms | |||||||||||||
 | BZX284-C51,115 | - | | 7630 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem NA Superfície | SOD-110 | BZX284 | 400 MW | SOD-110 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 35,7 V | 51 v | 110 ohms | |||||||||||||
 | MMBZ5267C-E3-18 | - | | 2627 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5267 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 56 V | 75 v | 270 ohms | ||||||||||||||
 | 1N5348C-TP | - | | 5046 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5348 | 5 w | DO-15 | - | 353-1N5348C-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 1 A | 5 µA a 8,4 V | 11 v | 2,5 ohms | |||||||||||||||
| GBJA2004-BP | 0,5012 | | 2288 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | 4-sip, JA | GBJA2004 | Padrão | JA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 10 A | 10 µA A 400 V | 20 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||||
 | NTE6068 | 18.4700 | | 26 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6068 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,25 V @ 20 mA | 2 mA a 800 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 70A | - | ||||||||||||||
 | CDLL5235/TR | 2.7132 | | 9781 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem NA Superfície | Do-213ab, Mell | 10 MW | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-CDLL5235/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA a 5 V | 6,8 v | 5 ohms | ||||||||||||||
 | 1S40-T | 0,0550 | | 9988 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | R-1, axial | Schottky | R-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-1S40-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 550 mV @ 1 a | 200 µA a 40 V | 150 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
 | M1MA151AT1G | - | | 5723 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | M1MA151 | Padrão | SC-59 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 1,2 V @ 100 Ma | 3 ns | 100 Na @ 35 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
 | 1N5952B3P-TP | 0.1102 | | 6694 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5952 | 3 w | DO-41 | download | 353-1N5952B3P-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA a 98,8 V | 130 v | 450 ohms | |||||||||||||||
| RD13F-AZ | - | | 6863 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0050 | 60 | ||||||||||||||||||||||||
 | BZX584C24-G3-08 | 0,3000 | | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX584C | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 50 Na @ 16,8 V | 24 v | 25 ohms | ||||||||||||||
| CPZ58X-BZX55C3V3-WN | - | | 1309 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | Morrer | Morrer | - | 1514-CPZ58X-BZX55C3V3-WN | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 100 Ma | 2 µA @ 1 V | 3,3 v | 85 ohms | |||||||||||||||||
| MMSZ5236B-G3-18 | 0,0409 | | 6658 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem NA Superfície | SOD-123 | MMSZ5236 | 500 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3 µA a 6 V | 7,5 v | 6 ohms | ||||||||||||||
 | UF158G_R2_00001 | 0,0567 | | 2102 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | UF158 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1,5 A | 100 ns | 1 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
 | BZX84-B8V2-QR | 0,0400 | | 3640 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1727-BZX84-B8V2-QRTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 15 ohms | ||||||||||||||
 | 1N5934BPE3/TR12 | 0,9450 | | 8463 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5934 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 18,2 V | 24 v | 19 ohms | |||||||||||||
| BZX84B43Q-7-F | 0,0382 | | 2436 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | BZX84 | - | Alcançar Não Afetado | 31-BZX84B43Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | 1n936a-1/tr | 11.7750 | | 6942 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N936a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 9 v | 20 ohms |
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