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Diodos (166326)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Resistência @ se, f
CD6325 Microchip Technology CD6325 2.1014
RFQ
 ECAD 2810 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo - - Montagem na Superfície Morrer Morrer - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-CD6325 Ear99 8541.10.0050 1
VS-E5TH3006THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-e5th3006thn3 2.2800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Vs-e5 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 112-VS-E5TH3006THN3 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,6 V @ 30 A 46 ns 20 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a -
SRA1660 Taiwan Semiconductor Corporation SRA1660 -
RFQ
 ECAD 7430 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRA1660 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mV @ 16 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a -
SB32AFC_R1_00001 Panjit International Inc. SB32AFC_R1_00001 0,0780
RFQ
 ECAD 5079 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads SB32 Schottky SMAF-C download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 201.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 mv @ 3 a 100 µA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 485pf @ 0V, 1MHz
JANS1N4119-1 Microchip Technology JANS1N4119-1 33.7800
RFQ
 ECAD 7029 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/435 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 mA 10 Na @ 21,3 V 28 v 200 ohms
BZX79-B7V5,133 Nexperia USA Inc. BZX79-B7V5.133 0,2100
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 ECAD 9 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Fita de Corte (CT) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79-B7V5 400 MW ALF2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mV a 10 mA 1 µA a 5 V 7,5 v 15 ohms
SBCT30200 Diotec Semiconductor SBCT30200 1.0127
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 ECAD 7440 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 Schottky TO-220AB download Rohs Não Compatível Não Aplicável Fornecedor indefinido 2796-SBCT30200 8541.10.0000 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 20a 850 mV @ 15 a 10 µA A 200 V -50 ° C ~ 150 ° C.
VBT2045BP-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2045BP-M3/8W 0,7145
RFQ
 ECAD 3172 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab VBT2045 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 660 mV @ 20 A 2 mA a 45 V -40 ° C ~ 150 ° C. 20a -
LZ52C8V2W Diodes Incorporated LZ52C8V2W -
RFQ
 ECAD 2646 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Última Vez compra ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1206 (3216 Mética) LZ52C 500 MW 1206 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 mA 100 Na @ 6,2 V 8.2 v 7 ohms
HVD131KRF-E Renesas Electronics America Inc HVD131KRF-E 0,0900
RFQ
 ECAD 196 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Obsoleto download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 8.000
S2G-CT Diotec Semiconductor S2G-CT 0,3449
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tira Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB S2G Padrão SMB (DO-214AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada 2721-S2G-CT 8541.10.0000 15 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,15 V @ 2 A 1,5 µs 5 µA A 400 V -50 ° C ~ 150 ° C. 2a -
M3Z18VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z18VC 0,0294
RFQ
 ECAD 6817 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F M3Z18 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-M3Z18VCTR Ear99 8541.10.0050 6.000 100 Na @ 14 V 18 v 45 ohms
ACZRW5229B-HF Comchip Technology ACZRW5229B-HF 0,0511
RFQ
 ECAD 6847 0,00000000 Tecnologia Comchip Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 350 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 641-ACZRW5229B-HFTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 5 µA @ 1 V 4.3 v 22 ohms
BZX79B10 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B10 A0G -
RFQ
 ECAD 9610 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 Ma 7 ma @ 200 mV 10 v 20 ohms
MBRF16H35HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF16H35HE3/45 -
RFQ
 ECAD 5514 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada MBRF16 Schottky ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 660 mV @ 16 a 100 µA A 35 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a -
TZM5233C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5233C-GS18 -
RFQ
 ECAD 2833 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 TZM5233 500 MW SOD-80 MINIMELL download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 5 µA A 3,5 V 6 v 7 ohms
BZD17C36P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P R3G 0,2625
RFQ
 ECAD 2511 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 27 V 36 v 40 ohms
VIT3080CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3080CHM3/4W -
RFQ
 ECAD 7415 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Vit3080 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 15a 820 mV @ 15 a 700 µA A 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MMBZ5230C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5230C-E3-08 -
RFQ
 ECAD 6956 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5230 225 MW SOT-23-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 15.000 5 µA @ 2 V 4,7 v 19 ohms
1N746A Fairchild Semiconductor 1n746a 1.9200
RFQ
 ECAD 74 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 156 1,5 V @ 200 mA 10 µA A 1 V 3,3 v 28 ohms
JANTXV1N4104DUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4104dur-1/tr 36.8809
RFQ
 ECAD 2951 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Ativo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AA (Vidro) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANTXV1N4104DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 mA 500 Na @ 7,6 V 10 v 200 ohms
VS-3EJH02-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EJH02-M3/6B 0,5000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads 3EJH02 Padrão DO-221AC (Slimsma) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 930 mV @ 3 a 30 ns 2 µA a 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
UM4001BHR2 Microchip Technology UM4001BHR2 -
RFQ
 ECAD 6631 0,00000000 Microchip Technology - Bolsa Ativo - Axial Axial - Alcançar Não Afetado 150-UM4001BHR2 Ear99 8541.10.0060 1 12 w 3pf @ 100V, 1MHz Pino - único 100V 500MOHM @ 100MA, 100MHz
Z4KE170A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE170A-E3/54 0,1584
RFQ
 ECAD 2323 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Z4KE170 1,5 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.500 1 V @ 500 mA 500 Na @ 129,6 V 170 v 1200 ohms
JANTXV1N6348CUS/TR Microchip Technology Jantxv1n6348cus/tr 57.2550
RFQ
 ECAD 8329 0,00000000 Microchip Technology MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SQ-Melf, b 500 MW B, Sq-Melf - 150-JANTXV1N6348CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1,4 V @ 1 A 50 Na @ 76 V 100 v 340 ohms
VUC36-12GO2 IXYS VUC36-12GO2 42.9000
RFQ
 ECAD 7573 0,00000000 Ixys - CAIXA Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Kamm VUC36 Padrão Kamm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5 1,85 V @ 55 A 5 MA A 1200 V 34 a Três fase 1,2 kV
CZRA4755-HF Comchip Technology CZRA4755-HF 0,1550
RFQ
 ECAD 2684 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Flat Leads CZRA4755 1 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA a 32,7 V 43 v 70 ohms
JANTXV1N3027DUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3027dur-1/tr 50.5932
RFQ
 ECAD 2888 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Ativo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) 1 w DO-213AB (Mell, LL41) - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANTXV1N3027DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 15,2 V 20 v 22 ohms
PDA9T9R90612 Powerex Inc. PDA9T9R90612 -
RFQ
 ECAD 9580 0,00000000 Powerex Inc. * Volume Ativo PDA9T9 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 10
UZ8816 Microchip Technology UZ8816 22.4400
RFQ
 ECAD 6619 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco A, axial 1 w A, axial - Alcançar Não Afetado 150-UZ8816 Ear99 8541.10.0050 1 500 Na @ 11,5 V 16 v 16 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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