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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDLL6263/TR | 21.6750 | ![]() | 4335 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-CDLL6263/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 16 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 33mA | 2.2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Jantxv1n5535dur-1/tr | 55.0221 | ![]() | 7786 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N5535DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 13,5 V | 15 v | 100 ohms | ||||||||||||
![]() | Uf1khb0g | - | ![]() | 7747 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Uf1k | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | PDS1045-13-2477 | - | ![]() | 6131 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | Schottky | Powerdi ™ 5 | - | 31-PDS1045-13-2477 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 510 mV @ 10 A | 600 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||
![]() | TLZ5V6A-GS08 | 0,2500 | ![]() | 6816 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Tlz5v6 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 13 ohms | |||||||||||
UF306G_R2_00001 | 0.1107 | ![]() | 3304 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UF306 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 3 A | 100 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | TS6K80H | 0,6464 | ![]() | 3781 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, ts4k | TS6K80 | Padrão | TS4K | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TS6K80H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 6 A | 5 µA A 800 V | 6 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||
![]() | JANS1N4114UR-1 | 48.9900 | ![]() | 1214 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | 500 MW | DO-213AA | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15,2 V | 20 v | 150 ohms | ||||||||||||||
![]() | BZX55C3V6 | 0,0287 | ![]() | 7236 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZX55C3V6TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 Ma | 2 µA @ 1 V | 3,6 v | 85 ohms | |||||||||||
1n5988b-1/tr | 3.5850 | ![]() | 8310 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N5988B-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | ||||||||||||||
Jantxv1n4970dus | 51.1200 | ![]() | 2279 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | SQ-Melf, e | 1N4970 | 5 w | D-5b | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA a 25,1 V | 33 v | 10 ohms | ||||||||||||
![]() | Fesb16gthe3_a/i | 1.1385 | ![]() | 9265 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FESB16 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 175pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N4735G | 0,0633 | ![]() | 9528 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4735 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N4735GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 3 V | 6.2 v | 2 ohms | |||||||||||
![]() | VS-15EWL06FNTRR-M3 | 0,6181 | ![]() | 6457 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 15ewl06 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs15ewl06fntrrm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,05 V @ 15 A | 220 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | ||||||||
![]() | ER5D-TP | 0,1972 | ![]() | 8412 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Er5d | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | 353-er5d-tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 100pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 1N1345B | 1.9500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N1345B | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA A 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - | ||||||||||
![]() | BZX84B6V2_R1_00001 | 0,1900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1,94% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 410 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-BZX84B6V2_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA A 4 V | 6.2 v | 10 ohms | |||||||||||
![]() | SMB2EZ13D5HE3-TP | 0.1501 | ![]() | 9397 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMB2EZ10 | 2 w | DO-214AA (SMB) | download | 353-SMB2EZ13D5HE3-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 500 Na @ 9,9 V | 13 v | 5 ohms | |||||||||||||
CDLL4738A | 3.4950 | ![]() | 2582 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | CDLL4738 | DO-213AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA a 6 V | 8.2 v | 4,5 ohms | |||||||||||||
![]() | FFPF04F150STU | - | ![]() | 9994 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | FFPF04 | Padrão | TO-220F-2L | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1500 v | 1,5 V @ 4 A | 170 ns | 5 µA A 1500 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - | ||||||||||
1N825E3 | 5.4750 | ![]() | 5114 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204aa, do-7, axial | 1N825 | 500 MW | Do-7 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1n825e3ms | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 5,9 v | 15 ohms | |||||||||||||
![]() | Es1db | 0,0320 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES1DBTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | VLZ10D-GS08 | - | ![]() | 1847 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | VLZ10 | 500 MW | Sod-80 Quadromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 mA | 40 µA A 9,44 V | 10.19 v | 8 ohms | |||||||||||
![]() | 31DQ03 | 0,3700 | ![]() | 701 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | 31DQ | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 570 mV @ 3 a | 1 mA a 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.3a | 250pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZT52-B5V8S-AU_R1_000A1 | 0,0270 | ![]() | 5573 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2,07% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.250.000 | 100 Na @ 1,5 V | 5,8 v | 30 ohms | ||||||||||||
![]() | MMBZ5248B-AU_R1_000A1 | 0,1900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5248 | 410 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-MMBZ5248B-AU_R1_000A1CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21 ohms | |||||||||||
BZX84-A3V3-QR | 0,1443 | ![]() | 4423 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1727-BZX84-A3V3-QRTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||||
![]() | GBPC5008 | 4.5670 | ![]() | 8542 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC50 | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 Quadrados, GBPC | GBPC5008 | Padrão | GBPC | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-GBPC5008 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA a 800 V | 50 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||
![]() | JAN1N6331CUS/TR | 63.8550 | ![]() | 8875 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 500 MW | B, Sq-Melf | - | 150-JAN1N6331CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 A | 50 Na @ 15 V | 20 v | 18 ohms | ||||||||||||||
Jan1n5529b-1 | 5.5200 | ![]() | 6253 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5529 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 8,2 V | 9.1 v | 45 ohms |
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