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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
1N4004AT-82 Rohm Semiconductor 1N4004AT-82 -
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 ECAD 7935 0,00000000 Rohm Semiconducor - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4004 Padrão DO-41 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 10 µA A 400 V 175 ° C (max) 1a -
SS16-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS16-E3/5AT 0,3900
RFQ
 ECAD 72 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SS16 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 750 mv @ 1 a 200 µA A 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a -
V3NM153-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3nm153-m3/h 0,4900
RFQ
 ECAD 5180 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Volume Ativo Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 2-VDFN V3nm153 Schottky DFN3820A download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 112-V3NM153-M3/H. 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 970 mV @ 3 a 35 µA @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C. 1.8a 160pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA04SD60SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA04SD60SHM3 0,9590
RFQ
 ECAD 5573 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 HFA04 Padrão TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSHFA04SD60SHM3 Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,8 V @ 4 a 42 ns 3 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a -
BAS170WS-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS170WS-G3-18 0,4100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 Bas170 Schottky SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 70 v 1 V @ 15 mA 10 µA A 70 V -55 ° C ~ 125 ° C. 70mA 2pf @ 0V, 1MHz
EGP10BE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10BE-M3/73 -
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 ECAD 8600 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial EGP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 1 a 50 ns 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 22pf @ 4V, 1MHz
CDBB3150LR-HF Comchip Technology CDBB3150LR-HF 0,2248
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 ECAD 6767 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB CDBB3150 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 820 mv @ 3 a 500 µA @ 150 V -50 ° C ~ 175 ° C. 3a 250pf @ 4V, 1MHz
MBRF3060CTP SMC Diode Solutions MBRF3060CTP 0,8800
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 ECAD 1 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF3060 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO -1765-MBRF3060CTP Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v - 770 mV @ 15 A 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
CMR3U-06 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMR3U-06 TR13 PBFREE 0,1950
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 ECAD 2941 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC CMR3U-06 Padrão SMC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,4 V @ 3 A 100 ns 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
NRVBA2H100T3G-VF01 onsemi NRVBA2H100T3G-VF01 -
RFQ
 ECAD 5833 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA NRVBA2 Schottky SMA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 790 mV @ 2 a 8 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2a -
RURU8080 Harris Corporation RURU8080 4.6200
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 ECAD 274 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem do chassi TO-218-1 Avalanche To-218 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,9 V @ 80 A 200 ns 500 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 80a -
SE60PWGC-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE60PWGC-M3/i 0,2714
RFQ
 ECAD 1791 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SE60 Padrão Slimdpak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 112-SE60PWGC-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 4.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 3 A 1,2 µs 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 22pf @ 4V, 1MHz
VS-12CWQ03FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ03FNTRR-M3 0,9200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 12CWQ03 Schottky D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 6a 550 mV @ 12 A 3 mA a 30 V 150 ° C (Máximo)
JANTX1N649UR-1 Microchip Technology Jantx1n649ur-1 -
RFQ
 ECAD 9600 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/240 Volume Ativo Montagem na Superfície DO-213AA 1N649 Padrão DO-213AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 400 mA 50 Na @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 400mA -
B250AF-13 Diodes Incorporated B250AF-13 0,4600
RFQ
 ECAD 3233 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads B250 Schottky SMAF download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 650 mV @ 2 a 100 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 80pf @ 4V, 1MHz
1SS270ARX-E Renesas Electronics America Inc 1SS270Arx-e 0,0200
RFQ
 ECAD 7151 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 14.000
UGB10BCTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugb10bcthe3_a/i -
RFQ
 ECAD 5346 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão TO-263AB download Alcançar Não Afetado 112-UGB10BCTHH3_A/ITR Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 5a 1,1 V @ 5 A 25 ns 10 µA A 100 V -40 ° C ~ 150 ° C.
SR805HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR805HA0G -
RFQ
 ECAD 5381 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR805 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 8 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
UH1PB-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH1PB-M3/84A 0,0986
RFQ
 ECAD 5940 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-220AA UH1 Padrão DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,05 V @ 3 A 40 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2.5a 16pf @ 4V, 1MHz
G5S06510CT Global Power Technology Co. Ltd G5S06510CT -
RFQ
 ECAD 8523 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 - Fornecedor indefinido 4436-G5S06510CT 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 35.8a 645pf @ 0V, 1MHz
SS10P6HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss10p6hm3_a/h 0,9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN SS10P6 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 670 mV @ 7 a 150 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 7a 560pf @ 4V, 1MHz
SK24A Good-Ark Semiconductor SK24A 0,3000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor de Boa Coisa Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mv @ 2 a 200 Na @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 200pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA08TB120SL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TB120SL-M3 0,8286
RFQ
 ECAD 3249 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Hexfred® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab HFA08 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 4,3 V @ 16 a 95 ns 10 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N5818T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5818T/R. 0,1000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 EIC Semicondutor Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Schottky DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2439-1N5818T/RTR 8541.10.0000 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 mA a 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
F1T4G Taiwan Semiconductor Corporation F1T4G 0,0679
RFQ
 ECAD 4534 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T-18, axial F1T4 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
1N3167R Powerex Inc. 1N3167R -
RFQ
 ECAD 9957 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo 1N3167 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1
RGL41K-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41K-E3/97 0,1284
RFQ
 ECAD 3872 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) RGL41 Padrão DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
DZ23C11Q Yangjie Technology DZ23C11Q 0,0460
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-DZ23C11QTR Ear99 3.000
RB751S-40L2-TP Micro Commercial Co RB751S-40L2-TP 0,2400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 0402 (1006 Mética) RB751 Schottky 2-DFN1006 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 370 mV @ 1 Ma 500 Na @ 30 V 125 ° C (Máximo) 30Ma -
S43120 Microchip Technology S43120 57.8550
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 ECAD 7701 0,00000000 Microchip Technology - Bandeja Ativo Montagem do Pino Do-205AA, DO-8, Stud S43120 Padrão Do-205AA (DO-8) download Alcançar Não Afetado S43120MS Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,1 V @ 200 A 50 µA A 1200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
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