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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FFSD2065B | 6.9200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FFSD2065 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D-Pak (TO-252) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 23.4a | 866pf @ 1V, 100kHz | ||||
![]() | Sf20dg_hf | 0,0963 | ![]() | 6223 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SF20DG | Padrão | DO-15 | download | 31-SF20DG_HF | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | B5818WS-TP | 0,2900 | ![]() | 67 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | B5818 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 mA a 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 120pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | BYP35K05 | 1.0878 | ![]() | 4320 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-208aa | Padrão | DO-208 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-BYP35K05TR | 8541.10.0000 | 300 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 35 A | 1,5 µs | 100 µA a 50 V | -50 ° C ~ 200 ° C. | 35a | - | ||||||
SK36A | 0,1053 | ![]() | 1999 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SK36 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 720 mv @ 3 a | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||
![]() | 1ss270a07te-e | 0,0200 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | Sd090sb45b.t1 | 0,6491 | ![]() | 8751 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SD090 | Schottky | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0040 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 640 mV @ 7.5 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | 400pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | FES16DTR | 1.0000 | ![]() | 3870 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Padrão | To-220-2 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 170pf @ 4V, 1MHz | |||||||
RLS139TE-11 | - | ![]() | 7264 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | RLS139 | Padrão | LLDS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1,2 V @ 100 Ma | 50 ns | 20 Na @ 30 V | 175 ° C (max) | 130mA | 5pf @ 0,5V, 1MHz | |||||
STTH3010W | 4.2700 | ![]() | 9006 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Do-247-2 (leads retos) | STTH3010 | Padrão | Do-247 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-5154-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 2 V @ 30 A | 100 ns | 15 µA A 1000 V | 175 ° C (max) | 30a | - | ||||
![]() | G3S12006B | - | ![]() | 2075 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-247AB | - | Fornecedor indefinido | 4436-G3S12006B | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 14a (DC) | 1,7 V @ 3 A | 0 ns | 100 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||
Es1ahm2g | - | ![]() | 4131 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1A | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 16pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | MSASC25H15K/TR | - | ![]() | 7246 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-MSASC25H15K/TR | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRB1545CTHE3/81 | - | ![]() | 9931 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB15 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 7.5a | 840 mV @ 7.5 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
SJPM-H4 | - | ![]() | 5669 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, J-Lead | Padrão | Sjp | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | SJPM-H4 DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 2 A | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||
![]() | PD30KN16 | - | ![]() | 1877 | 0,00000000 | Kyocera Avx | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 80 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1600 v | 30a | 1,29 V @ 90 A | 5 MA A 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | 1PS70SB85,115 | 0,1000 | ![]() | 362 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | 1ps70 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | MB800K01F3 | 26.9890 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | Schottky | F3 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MB800K01F3 | Ear99 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 400A | 890 mV @ 400 A | 5 mA A 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | S307030F | 49.0050 | ![]() | 6968 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-S307030F | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Mur440 | 0,1590 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MUR440TB | Ear99 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,35 V @ 4 a | 60 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | VS-VS38DSR16M | - | ![]() | 5177 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Vs38 | - | 112-VS-VS38DSR16M | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | A330B | - | ![]() | 2979 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | A330 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SMBD301LT3G | 0,3800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SMBD301 | Schottky | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 600 mV a 10 mA | 200 Na @ 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | 1.5pf @ 15V, 1MHz | |||||
![]() | Murta60020 | 188.1435 | ![]() | 5611 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Murta60020gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 300A | 1,3 V @ 300 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | LSIC2SD120E40CCA | - | ![]() | 4860 | 0,00000000 | Littelfuse Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247 | download | 18-LSIC2SD120E40CCA | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 55a (DC) | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 100 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||
![]() | V6km120du-m3/i | 0,2723 | ![]() | 5451 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | V6km120 | Schottky | Flatpak 5x6 (Duplo) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 120 v | 3a | 820 mv @ 3 a | 300 µA A 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | ESSH1PC-M3/84A | 0,4600 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | Esh1 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Rs1glwh | 0,0643 | ![]() | 2915 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-RS1GLWHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | BAS40-04-HF | 0,0460 | ![]() | 1404 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | Bas40-xx-hf | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-BAS40-04-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 40 v | 200Ma (DC) | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 Na @ 30 V | 125 ° C. | ||||
SDLWH | 0,0567 | ![]() | 6517 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | - | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SDLWHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 800 mA | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 7pf @ 4V, 1MHz |
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